Kategori: Pressemeldinger

Den andre, CA., 15. august, 2022 - Energi halvleder (Nasdaq: NVTS), bransjeledende innen galliumnitrid (GaN) strøm ICer, kunngjorde i dag kjøpet av GeneSiC Semiconductor, et silisiumkarbid (SiC) pioner med dyp ekspertise innen SiC kraftenhetsdesign og prosess. Transaksjonen er umiddelbart aktiv for Navitas ettersom GeneSiC er svært lønnsomt, med mer enn 25% EBITDA-marginer. Kalender 2022 inntektene forventes å være ca $25 millioner med demonstrerte årlige vekstrater på over 60%. Det sammenslåtte selskapet skaper en helhetlig, bransjeledende teknologiportefølje innen neste generasjons krafthalvledere – både GaN og SiC – med en samlet markedsmulighet estimert til over $20 milliarder per år av 2026.

"GeneSiC er en ideell partner for Navitas med deres fokus og suksess i å utvikle bransjeledende SiC-teknologi," sa Gene Sheridan, Navitas administrerende direktør og medgründer. «Navitas har betydelige investeringer i globalt salg, drifts- og teknisk støtteteam, sammen med systemdesignsentre i EV og datasentre. Disse egenskapene er et perfekt supplement til GeneSiC og vil ytterligere akselerere deres vekst i både synergistiske og nye kunder og markeder. I dag, vi har tatt et stort skritt i selskapets oppdrag om å "elektrifisere vår verden™" og drive planetens overgang fra fossilt brensel til rent, effektiv, elektrisk energi."

"GeneSiC er patentbeskyttet, avansert teknologi og nyskapende, erfarne team er kritiske faktorer i veksten av selskapet vårt. SiC MOSFET-ene våre tilbyr bransjens høyeste ytelse, pålitelighet, og robusthet – parametere som er kritiske for utbredt bruk av elektriske kjøretøy og tilhørende infrastruktur," sa GeneSiC-president Dr. Ranbir Singh. «Med nesten 20 år med ledende R&D, velprøvde plattformer, over 500 ulike kunder, og økende inntekt og lønnsomhet, vi kan utnytte Navitas sin masseproduksjonsekspertise og go-to-market-strategi for å akselerere SiC-inntektene. Vi er veldig glade for dette nye partnerskapet.»

Dr.. Singh slutter seg til Navitas som Executive Vice-President for GeneSiC-virksomheten og Navitas forventer å beholde alle medlemmene av GeneSiC-teamet.

I krafthalvledere, både GaN og SiC er overlegne materialer i forhold til eldre silisium, muliggjør høyere hastigheter, større energibesparelser, raskere lading, og betydelig redusert størrelse, vekt, og kostnad. Sammen, disse utfyller hverandre, Neste generasjons materialer adresserer et bredt spekter av applikasjoner fra 20W smarttelefonladere, til 20kW EV-ladere, til 20MW nettinfrastruktursystemer og alt i mellom. Med over 500 kunder, GeneSiC-oppkjøpet leverer diversifiserte og synergistiske markeder og kunder, og akselererer Navitas' inntekter i strategisk, applikasjoner med høyere effekt:

• Elektrisk kjøretøy: Navitas GaN IC-er er optimalisert for 400V EV-systemer, og GeneSiC-teknologi er ideell for 800V EV-systemer, med eksisterende inntekts- og utviklingskunder som inkluderer BYD – verdens #1 EV leverandør, Land Rover, Mercedes AMG, Geely, Shinry, LG Magna, Saab, og innovasjon, sammen med dusinvis av andre.
• Solar & Energilagring: Navitas GaN IC-er betjener solenergi i boliger, mens GeneSiC har umiddelbare inntekter i høyere kraft, kommersielle sol- og energilagringskunder, inkludert APS, Avansert energi, Chint, Sungrow, Growatt, CATL, Exide og mange andre.
• Bredere industrielle markeder: GeneSiC høyspenningsprodukter gir umiddelbare inntekter i et bredt spekter av ytterligere industrielle markeder som inkluderer jernbane, UPS, vind, nettkraft, industrielle motorer, og medisinsk bildediagnostikk.

Transaksjonsdetaljer

Oppkjøpet av GeneSiC forventes å umiddelbart øke Navitas' inntjening per aksje. Samlet vederlag bestod av ca $100 millioner i kontanter, 24.9 millioner aksjer av Navitas-aksjer og mulige earn-out-betalinger på inntil $25 millioner betinget av oppnåelse av betydelige inntektsmål for GeneSiC-virksomheten over de fire regnskapskvartalene som avsluttes i september 30, 2023. Mer informasjon om GeneSiC er tilgjengelig på ir.navitassemi.com.

Rådgivere

Jefferies LLC fungerte som finansiell rådgiver for Navitas og Bank of America fungerte som finansiell rådgiver for GeneSiC. TCF Law Group, PLLC fungerte som juridisk rådgiver for Navitas og Gibson, Dunn & Crutcher LLP fungerte som juridisk rådgiver for GeneSiC.

Informasjon om telefonkonferanse og webcast

GeneSiC-oppkjøpet vil bli diskutert som en del av Navitas Q2 2022 inntjening samtale:

Når: mandag, august 15^th, 2022

Tid: 2:00 kl. Stillehavet / 5:00 kl. østlig

Gratis oppringing: (800) 715-9871 eller (646) 307-1963

Konferanse-ID: 6867001

Live Webcast: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Replay: En reprise av samtalen vil være tilgjengelig fra Investor Relations-delen av selskapets nettside på https://ir.navitassemi.com/.

Advarsel angående fremtidsrettede utsagn

Denne pressemeldingen inkluderer "fremtidsrettede uttalelser" i betydningen av § 21E i Securities Exchange Act av 1934, som endret. Fremtidsrettede utsagn kan identifiseres ved bruk av ord som "vi forventer" eller "forventes å være," "anslag," "plan," "prosjekt," "prognose," "har tenkt," "forutse," "tro," "søke,” eller andre lignende uttrykk som forutsier eller indikerer fremtidige hendelser eller trender eller som ikke er uttalelser om historiske forhold. Disse fremtidsrettede uttalelsene inkluderer, men er ikke begrenset til, uttalelser om estimater og prognoser for andre økonomiske og ytelsesmessige beregninger og prognoser for markedsmuligheter og markedsandeler. Disse utsagnene er basert på ulike forutsetninger, om det er identifisert i denne pressemeldingen eller ikke. Disse uttalelsene er også basert på gjeldende forventninger til ledelsen av Navitas og er ikke spådommer om faktisk ytelse. Slike fremtidsrettede uttalelser er kun gitt for illustrative formål og er ikke ment å tjene som, og må ikke stoles på av noen investor som, en garanti, en forsikring, en prediksjon eller en definitiv erklæring om fakta eller sannsynlighet. Faktiske hendelser og omstendigheter er vanskelige eller umulige å forutsi og vil avvike fra antakelser og forventninger. Mange faktiske hendelser og omstendigheter som påvirker ytelsen er utenfor Navitas kontroll. Fremtidsrettede utsagn er gjenstand for en rekke risikoer og usikkerhetsmomenter, inkludert muligheten for at den forventede veksten av Navitas og GeneSiCs virksomheter ikke vil bli realisert, eller vil ikke bli realisert innen forventede tidsperioder, på grunn av, blant annet, manglende vellykket integrering av GeneSiC i Navitas sine forretnings- og driftssystemer; effekten av oppkjøpet på kunde- og leverandørforhold eller manglende evne til å beholde og utvide disse relasjonene; suksess eller fiasko for andre forretningsutviklingstiltak; Navitas' økonomiske tilstand og driftsresultater; Navitas' evne til å forutsi fremtidige inntekter nøyaktig med det formål å budsjettere og justere Navitas' utgifter.; Navitas’ evne til å diversifisere kundebasen og utvikle relasjoner i nye markeder; Navitas’ evne til å skalere sin teknologi til nye markeder og applikasjoner; virkningene av konkurranse på Navitas virksomhet, inkludert handlinger fra konkurrenter med etablert tilstedeværelse og ressurser i markeder vi håper å penetrere, inkludert silisiumkarbidmarkeder; nivået på etterspørselen i Navitas’ og GeneSiC’s kunders sluttmarkeder, både generelt og med hensyn til påfølgende generasjoner av produkter eller teknologi; Navitas' evne til å tiltrekke seg, trene og beholde nøkkelkvalifisert personell; endringer i statens handelspolitikk, inkludert innføring av toll; virkningen av COVID-19-pandemien på Navitas virksomhet, driftsresultater og økonomiske forhold; virkningen av covid-19-pandemien på den globale økonomien, inkludert men ikke begrenset til Navitas’ forsyningskjede og forsyningskjedene til kunder og leverandører; reguleringsutviklingen i USA og andre land; og Navitas’ evne til å beskytte sine immaterielle rettigheter. Disse og andre risikofaktorer er omtalt i Risikofaktorer-seksjonen begynner på s. 11 av vår årsrapport på skjema 10-K for året avsluttet desember 31, 2021, som vi sendte inn til Securities and Exchange Commission ("SEC") i mars 31, 2022 og som senere endret, og i andre dokumenter arkiverer vi til SEC, inkludert våre kvartalsrapporter på skjema 10-Q. Hvis noen av disse risikoene materialiserer seg eller våre antakelser viser seg å være feil, faktiske resultater kan avvike vesentlig fra resultatene antydet av disse fremtidsrettede uttalelsene. Det kan være ytterligere risikoer som Navitas ikke er klar over eller som Navitas for øyeblikket mener er uvesentlige, som også kan føre til at faktiske resultater avviker vesentlig fra de som finnes i de fremtidsrettede uttalelsene. I tillegg, fremtidsrettede uttalelser gjenspeiler Navitas' forventninger, planer eller prognoser for fremtidige hendelser og synspunkter fra datoen for denne pressemeldingen. Navitas forventer at påfølgende hendelser og utviklinger vil føre til at Navitas sine vurderinger endres. men, mens Navitas kan velge å oppdatere disse fremtidsrettede uttalelsene på et tidspunkt i fremtiden, Navitas fraskriver seg spesifikt enhver forpliktelse til å gjøre dette. Disse fremtidsrettede uttalelsene skal ikke stoles på som å representere Navitas' vurderinger på noen dato etter datoen for denne pressemeldingen.

Om Navitas

Halvlederenergi (Nasdaq: NVTS) er industrileder innen galliumnitrid (GaN) strøm ICer, grunnlagt i 2014. GaNFast™-strømkretser integrerer GaN-kraft med stasjon, kontroll, sensing og beskyttelse for å muliggjøre raskere lading, høyere strømtetthet og større energibesparelser for mobil, forbruker, datasenter, EV og solenergi markeder. Over 165 Navitas-patenter er utstedt eller under behandling. Over 50 millioner enheter har blitt sendt med null rapporterte GaN-feltfeil, og Navitas introduserte bransjens første og eneste 20-års garanti. Navitas er verdens første halvlederselskap CarbonNeutral®-sertifisert.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbid (SiC) teknologi. Ledende globale produsenter er avhengige av GeneSiCs teknologi for å heve ytelsen og effektiviteten til produktene deres. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk og spiller en nøkkelrolle i å spare energi i et bredt spekter av høyeffektsystemer. GeneSiC har ledende patenter på bredbånds-gap strømenhetsteknologier, et marked som forventes å nå mer enn $5 milliarder av 2025. Våre kjernestyrker innen design, prosess og teknologi gir mer verdi til våre kunders sluttprodukt, med ytelses- og kostnadsmålinger som setter nye standarder i silisiumkarbidindustrien.

Kontaktinformasjon

Media

Graham Robertson, CMO Grand Bridges

Graham@GrandBridges.com

Investorer

Stephen Oliver, VP Corporate Marketing & Investor Relations

ir@navitassemi.com

Halvlederenergi, GaNFast, GaNSense og Navitas-logoen er varemerker eller registrerte varemerker for Navitas Semiconductor Limited. Alle andre merker, produktnavn og merker er eller kan være varemerker eller registrerte varemerker som brukes til å identifisere produkter eller tjenester til deres respektive eiere.

Power System Design Intervjuer GeneSiC

Nürnberg, Tyskland mai 12, 2016 — GeneSiC Semiconductors president ble intervjuet av Alix Paultre fra Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) på PCIM-messen i Nürnberg, Tyskland.

Sampakket SiC Transistor-Diode kombinasjon i en robust, isolert, 4-Blyført, minimodulemballasje reduserer energitap ved innkobling og muliggjør fleksible kretsdesign for høyfrekvente strømomformere

DULLES, VA, Kan 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodes i en isolert, 4-Blyholdig minimodulemballasje som muliggjør ekstremt lavt energitap ved start samtidig som den tilbyr fleksibel, modulære design i høyfrekvente kraftomformere. Bruk av høy frekvens, SiC-transistorer og likerettere med høy spenning og lav motstand vil redusere størrelsen/vekten/volumet til elektronikkapplikasjoner som krever høyere effekthåndtering ved høye driftsfrekvenser. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke bruksområder, inkludert induksjonsvarmer, plasma generatorer, hurtigladere, DC-DC-omformere, og byttet modus strømforsyninger.

1200 V/20 mOhm silisiumkarbidforbindelsestransistorlikeretter-sampakket i en isolert SOT-227-pakke som gir separat portkilde og synkekapasitet

Sampakkede SiC Junction Transistorer (SJT)-SiC-likerettere som tilbys av GeneSiC er unikt anvendelige for induktive svitsjeapplikasjoner fordi SJT-er er de eneste bredbåndssvitsjtilbudene >10 microsec repeterende kortslutningsevne, selv kl 80% av merkespenningene (f.eks. 960 V for en 1200 V enhet). I tillegg til stignings-/falltider under 10 nsec og et firkantet, omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), Gate Return-terminalen i den nye konfigurasjonen forbedrer muligheten til å redusere svitsjeenergiene betydelig. Denne nye klassen av produkter tilbyr forbigående energitap og koblingstider som er uavhengige av overgangstemperaturen. SiC Junction Transistorer fra GeneSiC er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives ved lave portspenninger, i motsetning til andre SiC-svitsjer.
SiC Schottky Likerettere som brukes i disse minimodulene viser lave spenningsfall i tilstanden, gode overspenningsstrømklassifiseringer og industriens laveste lekkasjestrøm ved høye temperaturer. Med temperaturuavhengig, nesten null omvendt gjenopprettingssvitsjekarakteristikk, SiC Schottky likerettere er ideelle kandidater for bruk i høyeffektive kretser.
“GeneSiCs SiC-transistor- og likeretterprodukter er designet og produsert for å realisere lave på-tilstand og svitsjetap. En kombinasjon av disse teknologiene i en innovativ pakke lover eksemplarisk ytelse i strømkretser som krever bredbåndsbaserte enheter. Minimodulemballasjen tilbyr stor designfleksibilitet for bruk i en rekke strømkretser som H-Bridge, Flyback og multi-level invertere” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
Produkt utgitt i dag inkluderer
20 mOhm/1200 V SiC Junction transistor/likeretter Co-pack (GA50SICP12-227):
• Isolert SOT-227/miniblokk/Isotop-pakke
• Transistorstrømforsterkning (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (begrenset av emballasje)
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <10 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% tested to full voltage/current ratings. The devices are immediately available from GeneSiC’s Autoriserte distributører.

For mer informasjon, besøk gjerne: https://192.168.88.14/kommersiell-sic/sic-modules-copack/

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisiumdiodemoduler. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, nedihulls oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

Høy temperatur (>210^DeC) Koblingstransistorer og likerettere i metallbokspakker med liten formfaktor gir revolusjonerende ytelsesfordeler til en rekke bruksområder, inkludert forsterkning, lavstøykretser og nedihulls aktuatorkontroller

DULLES, VA, mars 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av en serie kompakte, høytemperatur SiC Junction-transistorer samt en linje med likerettere i TO-46 metallbokspakker. Disse diskrete komponentene er designet og produsert for å fungere under omgivelsestemperaturer over 215^DeC. Bruk av høy temperatur, SiC-transistorer og likerettere med høy spenning og lav motstand vil redusere størrelsen/vekten/volumet til elektronikkapplikasjoner som krever høyere effekthåndtering ved høye temperaturer. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke applikasjoner, inkludert et bredt utvalg av nedihullskretser, geotermisk instrumentering, solenoidaktivering, generell forsterkning, og byttet modus strømforsyninger.

Høytemperatur SiC Junction Transistorer (SJT) tilbudt av GeneSiC utstilling under 10 nsec stige/fall ganger muliggjør >10 MHz-svitsjing samt et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA). De forbigående energitapene og koblingstidene er uavhengige av overgangstemperaturen. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å bli drevet av 0/+5 V TTL gate drivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Unike fordeler med SJT i motsetning til andre SiC-svitsjer er dens høyere langsiktige pålitelighet, >20 usec kortslutningsevne, og overlegen snøskredevne. Disse enhetene kan brukes som effektive forsterkere da de lover en mye høyere linearitet enn noen annen SiC-svitsj.

Høytemperatur SiC Schottky-likerettere som tilbys av GeneSiC viser lave spenningsfall i tilstanden, og industriens laveste lekkasjestrøm ved høye temperaturer. Med temperaturuavhengig, nesten null omvendt gjenopprettingssvitsjekarakteristikk, SiC Schottky likerettere er ideelle kandidater for bruk med høy effektivitet, høytemperaturkretser. TO-46 metallbokspakninger samt tilhørende pakkeprosesser som brukes til å lage disse produktene muliggjør kritisk langtidsbruk der høy pålitelighet er kritisk.

“GeneSiCs transistor- og likeretterprodukter er designet og produsert fra bakken og opp for å muliggjøre høytemperaturdrift. Disse kompakte TO-46-pakkede SJT-ene tilbyr høye strømforsterkning (>110), 0/+5 V TTL kontroll, og robust ytelse. Disse enhetene tilbyr lave ledningstap og høy linearitet. Vi designer vår "SHT" linje med likerettere, å tilby lave lekkasjestrømmer ved høye temperaturer. Disse metallboksemballerte produktene forsterker TO-257 og metall SMD-produkter utgitt i fjor for å tilby liten formfaktor, vibrasjonsbestandige løsninger” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

Produkter utgitt i dag inkluderer:

240 mOhm SiC Junction Transistorer:

• 300 V blokkeringsspenning. Delenummer GA05JT03-46
• 100 V blokkeringsspenning. Delenummer GA05JT01-46
• Nåværende gevinst (h_FE) >110
• T_jmax = 210^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <10 nanosekunder typisk.

Opp til 4 Ampere Schottky-dioder med høy temperatur:

• 600 V blokkeringsspenning. Delenummer GB02SHT06-46
• 300 V blokkeringsspenning. Delenummer GB02SHT03-46
• 100 V blokkeringsspenning. Delenummer GB02SHT01-46
• Total kapasitiv ladning 9 nC
• T_jmax = 210^DeC.

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i metallboks TO-46-pakker. Enhetene er umiddelbart tilgjengelige fra GeneSiCs autoriserte distributører.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisiumdiodemoduler. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, nedihulls oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, besøk gjerne https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; og https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Gate Driver Board optimert for høye svitsjehastigheter og atferdsbaserte modeller gjør det mulig for kraftelektroniske designingeniører å verifisere og kvantifisere fordelene med SJT-er i kortnivåevaluering og kretssimulering

DULLES, V.A., Nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av Gate Driver-evalueringskort og har utvidet designstøtten for bransjens brytere med lavest tap – SiC Junction Transistor (SJT) – med en fullt kvalifisert LTSPICE IV-modell. Bruker det nye Gate Driver Board, strømkonverteringskretsdesignere kan verifisere fordelene med under 15 nanosekunder, temperaturuavhengige svitsjekarakteristikk for SiC Junction Transistorer, med lavt sjåførkrafttap. Inkorporerer de nye SPICE-modellene, kretsdesignere kan enkelt evaluere fordelene GeneSiCs SJT-er gir for å oppnå et høyere effektivitetsnivå enn det som er mulig med konvensjonelle silisiumstrømbrytere for sammenlignbare rangerte enheter.

Gate-driverkort GA03IDDJT30-FR4 gjelder for SJT-er fra GeneSiC

SiC Junction Transistorer har vesentlig andre egenskaper enn andre SiC Transistor-teknologier, samt silisiumtransistorer. Gate Driver-kort som kan gi lave strømtap samtidig som de fortsatt tilbyr høye svitsjehastigheter, var nødvendig for å tilby drivløsninger for å utnytte fordelene med SiC Junction Transistors. GeneSiC er fullstendig isolert GA03IDDJT30-FR4 Gatedriverkort tar inn 0/12V og et TTL-signal for å optimalisere spennings-/strømbølgeformene som kreves for å gi små stige-/falltider, samtidig som det kontinuerlige strømkravet for å holde Normally-OFF SJT ledende under på-tilstand. Pinnekonfigurasjonen og formfaktorene holdes lik andre SiC-transistorer. GeneSiC har også gitt ut Gerber-filer og stykklister til sluttbrukere for å sette dem i stand til å innlemme fordelene med driverdesigninnovasjonene som er realisert.

SJT-er tilbyr veloppdragne on-state- og bytteegenskaper, gjør det enkelt å lage atferdsbaserte SPICE-modeller som stemmer bemerkelsesverdig godt med de underliggende fysikkbaserte modellene også. Bruke veletablerte og forståtte fysikkbaserte modeller, SPICE-parametere ble utgitt etter omfattende testing med enhetsatferd. GeneSiCs SPICE-modeller sammenlignes med de eksperimentelt målte dataene på alle enhetsdataark og gjelder for alle 1200 V og 1700 V SiC Junction Transistors utgitt.
GeneSiCs SJT-er er i stand til å levere svitsjefrekvenser som er mer enn 15 ganger høyere enn IGBT-baserte løsninger. Deres høyere svitsjefrekvenser kan muliggjøre mindre magnetiske og kapasitive elementer, og dermed krympe den totale størrelsen, vekt og kostnad for kraftelektronikksystemer.

Denne SiC Junction Transistor SPICE-modellen legger til GeneSiCs omfattende pakke med designstøtteverktøy, teknisk dokumentasjon, og pålitelighetsinformasjon for å gi kraftelektronikkingeniører designressursene som er nødvendige for å implementere GeneSiCs omfattende familie av SiC Junction-transistorer og likerettere i neste generasjon kraftsystemer.

GeneSiCs Gate Driver Board-datablad og SJT SPICE-modeller kan lastes ned fra https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/