전력 장치 과학자

GeneSiC는 광대역 갭 반도체 장치에 중점을 둔 전력 반도체 장치 과학자를 찾고 있습니다.. 후보자는 새로운 장치 구조를 개발할 것입니다., 응용 프로그램에 대한 제조 기술 및 관련 테스트 방법.

책임

• 모델링에 참여, 설계, 제작, 및 광대역 갭 반도체 장치의 테스트. 테스트 작업은 웨이퍼 상의 프로빙에서 신뢰성 평가 및/또는 다양한 장치의 고장 분석에 이르기까지 다양합니다..
• 정부 기관 연구 이니셔티브에 대한 백서 및 제안서 및 보고서 작성에 참여.
• 반도체 소재 등의 분야에 대한 전문지식 제공, 장치 물리학 및 설계, 및/또는 장치 제작 및 테스트. 이러한 장치의 자격 및/또는 신뢰성에 대한 전문 지식이 필요합니다..
• 서면 보고서를 준비하고 수행된 분석을 설명하는 프레젠테이션을 통해 결과를 효과적으로 전달합니다., 개발된 솔루션, 그리고 얻은 가치.
• 프로그램 성장과 새로운 아이디어 창출을 주도하는 반도체 기술 연구소의 사고 리더가 되십시오..
• GeneSiC가 관심을 갖는 화합물 반도체 기반 전력 장치와 관련된 문헌을 확인하고 연구 동향을 식별합니다..

요구 사항:

• 전기 공학 박사 학위, 바람직하게는 전력 반도체 장치 분야 또는 전기 공학 석사 학위, 이상으로 5 전력 반도체 장치 분야에서 다년간의 업무 경험.
• SiC 및/또는 GaN 전력 장치의 제조 기술에 대한 강력한 작업 지식이 필요합니다..
• Si에서 입증된 전문성, SiC 및/또는 GaN 전력 반도체 소자 모델링, 강력한 장치 물리학 지식은 중요한 요구 사항입니다..
• 반도체 클린룸에서 직접 제작한 경험을 선호합니다..
• 최신 및 현재 과제를 포함한 관련 재료 기술에 대한 강력한 작업 지식.
• 웨이퍼 및 패키지 전력 장치 매개변수 테스트에 대한 강력한 작업 지식이 필요합니다.
• 미국 시민 또는 미국 영주권자. 예외적인 경우, 미국에서 일할 수 있는 법적 허가를 받을 수 있는 후보자에게 제안될 수 있습니다..

이력서를 이메일로 보내주세요.: HR@genesicsemi.com.