高いスイッチング速度と動作ベースのモデル用に最適化されたゲートドライバボードにより、パワーエレクトロニクス設計エンジニアはボードレベルの評価と回路シミュレーションにおけるSJTの利点を検証および定量化できます。
ダレス, V.A., 11月 19, 2014 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、ゲートドライバ評価ボードの即時提供を発表し、業界で最も損失の少ないスイッチであるSiCジャンクショントランジスタの設計サポートを拡大しました。 (SJT) –完全修飾LTSPICEIVモデルを使用. 新しいゲートドライバーボードの使用, 電力変換回路の設計者は、15ナノ秒未満の利点を検証できます, SiCジャンクショントランジスタの温度に依存しないスイッチング特性, ドライバーの電力損失が少ない. 新しいSPICEモデルを組み込む, 回路設計者は、GeneSiCのSJTが、同等の定格のデバイス用の従来のシリコンパワースイッチングデバイスで可能であるよりも高いレベルの効率を達成するために提供する利点を簡単に評価できます。.
GeneSiCのSJTに適用可能なゲートドライバボードGA03IDDJT30-FR4
SiCジャンクショントランジスタは、他のSiCトランジスタ技術とは大幅に異なる特性を持っています, だけでなく、シリコントランジスタ. SiCジャンクショントランジスタの利点を活用するためのドライブソリューションを提供するには、高いスイッチング速度を提供しながら低電力損失を提供できるゲートドライバボードが必要でした。. GeneSiCは完全に分離されています GA03IDDJT30-FR4 ゲートドライバボードは0 / 12VとTTL信号を取り込み、小さな立ち上がり/立ち下がり時間を提供するために必要な電圧/電流波形を最適に調整します, オン状態の間、通常オフのSJTを導通状態に保つための連続電流要件を最小限に抑えながら. ピン構成とフォームファクタは、他のSiCトランジスタと同様に保たれています. GeneSiCはまた、ガーバーファイルとBOMをエンドユーザーにリリースし、実現されたドライバー設計の革新の利点を組み込むことができるようにしました。.
SJTは、正常に動作するオン状態およびスイッチング特性を提供します, 基礎となる物理ベースのモデルとも非常によく一致する動作ベースのSPICEモデルを簡単に作成できます. 確立され理解された物理ベースのモデルの使用, SPICEパラメータは、デバイスの動作を使用した広範なテストの後にリリースされました. GeneSiCのSPICEモデルは、すべてのデバイスデータシートで実験的に測定されたデータと比較され、すべてのデバイスに適用できます。 1200 Vと 1700 VSiCジャンクショントランジスタがリリースされました.
GeneSiCのSJTは、以上のスイッチング周波数を提供できます。 15 IGBTベースのソリューションの2倍. それらのより高いスイッチング周波数は、より小さな磁気および容量性要素を可能にすることができます, それにより全体のサイズを縮小します, パワーエレクトロニクスシステムの重量とコスト.
このSiCジャンクショントランジスタSPICEモデルは、GeneSiCの包括的な設計サポートツールスイートに追加されます, 技術文書, GeneSiCのSiCジャンクショントランジスタおよび整流器の包括的なファミリを次世代の電力システムに実装するために必要な設計リソースをパワーエレクトロニクスエンジニアに提供するための信頼性情報.
GeneSiCのGateDriverBoardデータシートとSJTSPICEモデルは、からダウンロードできます。 https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
