半導体エネルギー, 窒化ガリウムパワーICの業界リーダー, GeneSiC Semiconductorの買収を発表, 炭化ケイ素のパイオニア

 

二番目, カリフォルニア州。, 8月15日, 2022 - エネルギー半導体 (ナスダック: NVTS), 窒化ガリウムの業界リーダー (GaN) 電源 IC, 本日、GeneSiC Semiconductorの買収を発表, 炭化ケイ素 (SiC) SiCパワーデバイスの設計とプロセスに関する深い専門知識を持つパイオニア. GeneSiC は非常に収益性が高いため、この取引は Navitas にすぐに反映されます。, 以上で 25% EBITDAマージン. カレンダー 2022 収益はおよそ $25 100 万を超える実績のある年間成長率 60%. 統合された会社は包括的な, 次世代パワー半導体(GaN と SiC の両方)における業界をリードする技術ポートフォリオであり、総市場機会は $20 年間10億 2026.

「GeneSiC は、業界をリードする SiC 技術の開発に注力し、成功を収めている Navitas にとって理想的なパートナーです。,」 ジーン・シェリダンは言った, Navitas の CEO 兼共同創業者. 「ナビタスはグローバル販売に多額の投資を行っています, 運用およびテクニカル サポート チーム, EVおよびデータセンターのシステム設計センターとともに. これらの機能は GeneSiC を完全に補完するものであり、相乗的で新しい顧客と市場の両方での成長をさらに加速します。. 今日, 私たちは、「Electrify Our World™」という会社の使命に大きな一歩を踏み出し、化石燃料からクリーンへの地球の移行を推進しています, 効率的, 電気エネルギー。"

「GeneSiCの特許で保護された, 高度な技術と革新的な, 経験豊富なチームは、当社の成長における重要な要素です. 当社の SiC MOSFET は、業界最高の性能を提供します, 信頼性, 耐久性 – 電気自動車と関連インフラストラクチャの普及に向けて重要なパラメータ,」と GeneSiC 社長 Dr.. ランヴィール・シン. 「ほとんど 20 長年にわたる最先端の R&D, 実績のあるプラットフォーム, 以上 500 多様な顧客, 収益と収益性の向上, Navitas の大量生産の専門知識と市場投入戦略を活用して、SiC の収益を加速できます. この新しいパートナーシップに非常に興奮しています。」

博士. Singh は GeneSiC 事業のエグゼクティブ バイス プレジデントとして Navitas に加わり、Navitas は GeneSiC チームの全メンバーを維持する予定です。.

パワー半導体では, GaNとSiCはどちらも従来のシリコンよりも優れた材料です, 高速化を実現, より大きな省エネ, より速い充電, サイズを大幅に縮小, 重さ, とコスト. 一緒, これらの補完的な, 20Wスマートフォン充電器から幅広い用途に対応する次世代材料, ~20kW EV充電器, 20MW のグリッド インフラストラクチャ システムとその間のすべてのシステム. 以上で 500 顧客, GeneSiCの買収により、多様で相乗的な市場と顧客が実現, Navitas の収益を戦略的に加速させます。, 高出力アプリケーション:

  • 電気自動車: Navitas GaN IC は 400V EV システム向けに最適化されています, GeneSiC テクノロジーは 800V EV システムに最適, BYDを含む既存の収益および開発顧客と #1 EVサプライヤー, ランドローバー, メルセデス AMG, 吉利, しんりり, LGマグナ, サーブ, とイノベーション, 他の何十もの人と一緒に.
  • 太陽 & エネルギー貯蔵: Navitas の GaN IC が住宅用太陽光発電に貢献, 一方、GeneSiC は高出力ですぐに収益を上げます, 商業用太陽光発電およびエネルギー貯蔵のお客様, APSを含む, 先進エネルギー, チント, サングロー, グラウアット, CATL, Exide 他多数.
  • より広い工業市場: GeneSiC 高電圧製品は、鉄道を含む幅広い産業市場で即座に収益をもたらします, UPS, 風, グリッド電力, 産業用モーター, および医用画像.

取引明細

GeneSiC の買収により、Navitas の 1 株当たり利益が直ちに増加すると予想されます。. 対価の合計は、およそ $100 百万の現金, 24.9 Navitas の株式 100 万株と、最大 $25 100 万ドルは、9 月までの 4 四半期にわたる GeneSiC 事業の実質的な収益目標の達成を条件としています。 30, 2023. GeneSiC の詳細については、ir.navitassemi.com をご覧ください。.

アドバイザー

Jefferies LLC が Navitas の財務顧問を務め、Bank of America が GeneSiC の財務顧問を務めました。. TCF法務グループ, PLLC は Navitas と Gibson の法律顧問を務めました, ダン & Crutcher LLP が GeneSiC の法律顧問を務めました.

電話会議とウェブキャストの情報

GeneSiCの買収は、Navitas Q2の一部として議論されます 2022 決算発表:

いつ: 月曜日, 8月 15番目, 2022

時間: 2:00 午後. パシフィック / 5:00 午後. 東部

フリーダイヤルイン: (800) 715-9871 または (646) 307-1963

会議ID: 6867001

ライブ Web キャスト: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

リプレイ: 電話会議のリプレイは、次の会社のウェブサイトの投資家向け情報セクションからアクセスできます。 Google Analyticsを使用して、サイトでのユーザーアクティビティとパターンを理解します://ir.navitassemi.com/.

将来の見通しに関する注意事項

このプレスリリースには、米国証券取引法第 21E 条の意味における「将来の見通しに関する記述」が含まれています。 1934, 修正されたように. 将来の見通しに関する記述は、「予想される」または「予想される」などの言葉の使用によって識別される場合があります。," "見積もり," "予定," "事業," "天気," "意図する," "予想," "信じる," "求める,」または将来の出来事または傾向を予測または示唆する、または歴史的事項の記述ではないその他の同様の表現. これらの将来の見通しに関する記述には、, しかし、これらに限定されません, その他の財務および業績指標の推定および予測、ならびに市場機会および市場シェアの予測に関する声明. これらの記述は、さまざまな仮定に基づいています, このプレスリリースで特定されているかどうか. これらの記述は Navitas の経営陣の現在の予想に基づくものであり、実際の業績を予測するものではありません。. このような将来の見通しに関する記述は、説明のみを目的として提供されており、, いかなる投資家も信頼してはなりません。, 保証, 保証, 事実または確率の予測または決定的な陳述. 実際の出来事や状況は予測が困難または不可能であり、仮定や期待とは異なります. パフォーマンスに影響を与える実際の出来事や状況の多くは、Navitas の制御の及ばないものです。. 将来の見通しに関する記述には、多くのリスクと不確実性が伴います, Navitas および GeneSiC の事業の期待される成長が実現しない可能性を含む, または予想される期間内に実現されない, のため, とりわけ, GeneSiC を Navitas のビジネスおよび運用システムにうまく統合できなかった; 顧客とサプライヤーの関係に対する買収の影響、またはそれらの関係を維持および拡大できないこと; 他の事業開発努力の成功または失敗; ナビタスの財務状況と経営成績; Navitas の費用を適切に予算編成し、調整する目的で、将来の収益を正確に予測する Navitas の能力; 顧客ベースを多様化し、新しい市場で関係を構築する Navitas の能力; Navitas の技術を新しい市場やアプリケーションに拡大する能力; Navitas のビジネスに対する競争の影響, 私たちが浸透したいと考えている市場で確立されたプレゼンスとリソースを持つ競合他社の行動を含む, 炭化ケイ素市場を含む; Navitas と GeneSiC の顧客の最終市場における需要のレベル, 一般的にも、連続する世代の製品または技術に関しても; ナビタスの引き寄せ力, 主要な有資格者のトレーニングと保持; 政府の貿易政策の変化, 関税の賦課を含む; COVID-19 パンデミックが Navitas のビジネスに与える影響, 経営成績及び財政状態; COVID-19 パンデミックが世界経済に与える影響, Navitas のサプライ チェーンおよび顧客とサプライヤーのサプライ チェーンを含むがこれらに限定されない; 米国および諸外国における規制の動向; Navitas の知的財産権を保護する能力. これらおよびその他の危険因子については、 危険因子セクション pから始まる. 11 私たちの フォーム 10-K の年次報告書 12月に終了した年度 31, 2021, 証券取引委員会に提出した (「SEC」) 行進に 31, 2022 およびその後の修正, その他の文書では、SEC に提出します, フォーム 10-Q の四半期レポートを含む. これらのリスクのいずれかが実現した場合、または当社の仮定が正しくないことが判明した場合, 実際の結果は、これらの将来の見通しに関する記述によって暗示される結果とは大きく異なる可能性があります. Navitas が認識していない、または Navitas が現在重要ではないと考えている追加のリスクが存在する可能性があり、実際の結果が将来の見通しに関する記述に含まれているものと大きく異なる可能性があります。. その選択は、その第三者からすでに受け取った情報には適用されません。, 将来の見通しに関する記述は Navitas の期待を反映しています, このプレスリリースの日付時点での将来のイベントおよびビューの計画または予測. Navitas は、その後の出来事や展開によって、Navitas の評価が変わると予想しています。. しかしながら, Navitas は、将来のある時点でこれらの将来の見通しに関する記述を更新することを選択する可能性があります。, Navitas は、そうする義務を明示的に否認します。. これらの将来の見通しに関する記述は、このプレス リリースの日付以降の日付における Navitas の評価を表すものとして信頼されるべきではありません。.

ナビタスについて

半導体エネルギー (ナスダック: NVTS) 窒化ガリウムの業界リーダーです (GaN) 電源 IC, 年に設立 2014. GaNFast™パワーICは、GaNパワーとドライブを統合, コントロール, より高速な充電を可能にするセンシングと保護, モバイル向けのより高い電力密度とより大きなエネルギー節約, 消費者, データセンター, EVおよびソーラー市場. 以上 165 Navitas の特許は発行済みまたは申請中です. 以上 50 100 万ユニットが出荷され、GaN フィールド障害は報告されていません, Navitas は、業界初で唯一の 20 年保証を導入しました。. Navitas は、世界で初めての半導体企業です。 カーボンニュートラル®-認証済み.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

ニュース は、炭化ケイ素のパイオニアであり、世界のリーダーです (SiC) テクノロジー. 世界をリードするメーカーは、製品の性能と効率を高めるために GeneSiC の技術に依存しています。. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, より経済的であり、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. GeneSiC は、ワイド バンド ギャップ パワー デバイス技術に関する主要な特許を保有しています。, 以上に達すると予測される市場 $5 十億 2025. 私たちの核となるデザインの強み, プロセスとテクノロジーは、お客様の最終製品により多くの価値を付加します, シリコンカーバイド業界に新しい基準を設定するパフォーマンスとコストの指標.

連絡先

メディア

グラハム・ロバートソン, CMO グランド ブリッジ

Graham@GrandBridges.com

投資家

スティーブン・オリバー, VP コーポレート マーケティング & 投資家向け広報

ir@navitassemi.com

半導体エネルギー, ガンファスト, GaNSense および Navitas のロゴは、Navitas Semiconductor Limited の商標または登録商標です。. 他のすべてのブランド, 製品名およびマークは、それぞれの所有者の製品またはサービスを識別するために使用される商標または登録商標である可能性があります。.

G3R™ 750V SiC MOSFET は比類のない性能と信頼性を提供します

750V G3R SiC MOSFET

ダレス, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC の次世代 750V G3R™SiC MOSFET は、前例のないレベルのパフォーマンスを提供します, 対応するものを超える堅牢性と品質. システムの利点には、動作温度での低オン状態の低下が含まれます, より速いスイッチング速度, 電力密度の増加, 最小限のリンギング (低EMI) コンパクトなシステムサイズ. GeneSiCのG3R™, 最適化された低インダクタンスのディスクリートパッケージで提供 (SMDとスルーホール), すべての動作条件と超高速スイッチング速度で最小の電力損失で動作するように最適化されています. これらのデバイスは、最新の SiC MOSFET と比較して大幅に優れたパフォーマンス レベルを備えています。.

750V G3R SiC MOSFET

「高効率のエネルギー利用は、次世代電力コンバーターにおいて重要な成果物となり、SiCパワーデバイスは、この革命を推進する重要なコンポーネントであり続けます. 何年にもわたる開発作業を経て、最小のオン状態抵抗と堅牢な短絡およびアバランシェ性能を達成, 業界最高の性能を誇る 750V SiC MOSFET をリリースできることを嬉しく思います。. 当社の G3R™ により、パワー エレクトロニクス設計者は困難な効率に対応できます。, ソーラー インバーターなどのアプリケーションでの電力密度と品質目標, EV車載充電器、サーバー・テレコム電源. 保証された品質, 迅速なターンアラウンドと自動車認定の大量生産に支えられ、価値提案をさらに強化. ” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

特徴 –

  • 業界最小のゲートチャージ (QG) および内部ゲート抵抗 (RG(知性))
  • 最低RDS(オン) 温度によって変化する
  • 低出力容量 (C我ら) とマイラー静電容量 (CGD)
  • 100% 雪崩 (UIL) 生産中にテスト済み
  • 業界トップの短絡耐量
  • 低 V で高速で信頼性の高いボディ ダイオードF と低いQRR
  • 高く安定したゲート閾値電圧 (VTH) すべての温度およびドレイン バイアス条件にわたって
  • 低熱抵抗と低リンギングのための高度なパッケージ技術
  • Rの製造均一性DS(オン), VTH と降伏電圧 (BV)
  • 包括的な製品ポートフォリオと、自動車認定の大量生産によるより安全なサプライ チェーン

アプリケーション –

  • 太陽 (PV) インバーター
  • EV / HEV車載充電器
  • サーバ & テレコム電源
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • DC-DCコンバーター
  • スイッチモード電源 (SMPS)
  • エネルギー貯蔵とバッテリー充電
  • 誘導加熱

GeneSiCSemiconductorのすべてのSiCMOSFETは、自動車用途を対象としています (AEC-q101) およびPPAP対応.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&SiC MOSFETの取引

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&SiC MOSFETの取引

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&SiC MOSFETの取引

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Electronics

ニューアークファーネルelement14

マウザーエレクトロニクス

アローエレクトロニクス

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

5クラス最高の効率を実現する第 6 世代 650V SiC ショットキー MPS™ ダイオード

Gen5 650V SiC ショットキー MPS™

ダレス, VA, 五月 28, 2021 — ニュース, 炭化ケイ素のパイオニアであり、世界的なサプライヤー (SiC) パワー半導体デバイス, 第5世代の発売を発表 (GE***シリーズ) 優れた価格性能指数で新しいベンチマークを設定している SiC Schottky MPS™ 整流器, 業界をリードするサージ電流とアバランシェの堅牢性, と高品質の製造.

「GeneSiC は、世界で初めて SiC ショットキー整流器を商業的に供給した SiC メーカーの 1 つです。 2011. 高性能で高品質の SiC 整流器を業界に供給して 10 年以上経った後、, SiC ショットキー MPS™ の第 5 世代をリリースできることを嬉しく思います。 (Merged-PiN-Schottky) サーバー/テレコム電源やバッテリー充電器などのアプリケーションで高効率と電力密度の目標を達成するために、あらゆる面で業界をリードする性能を提供するダイオード. 5代目となる革新的な機能 (GE***シリーズ) SiC ショットキー MPS™ ダイオードは、内蔵電圧が低いことが他の製品の中で際立っています。 (ニーボルテージとも呼ばれる);これにより、すべての負荷条件でダイオードの伝導損失を最小限に抑えることができます - 高効率のエネルギー使用を必要とするアプリケーションにとって重要. 低ニー特性を提供するように設計された他の競合他社の SiC ダイオードとは対照的に、, Gen5 ダイオード設計のもう 1 つの特徴は、依然として高いレベルのなだれを維持していることです。 (UIL) お客様が GeneSiC の Gen3 に期待する堅牢性 (GC***シリーズ) そしてGen4 (GD***シリーズ) SiCショットキーMPS™” 博士は言った. シドダース・スンダレサン, GeneSiC Semiconductor 技術担当副社長.

特徴 –

  • 低い内蔵電圧 – すべての負荷条件で最小の伝導損失
  • 優れた性能指数 – QC×VF
  • 最適な価格パフォーマンス
  • 強化されたサージ電流機能
  • 100% 雪崩 (UIL) テスト済み
  • クーラー動作のための低い熱抵抗
  • ゼロフォワードおよびリバースリカバリ
  • 温度に依存しない高速スイッチング
  • VFの正の温度係数

アプリケーション –

  • 力率補正のブーストダイオード (PFC)
  • サーバーおよびテレコム電源
  • ソーラーインバーター
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • バッテリーチャージャー
  • フリーホイーリング / インバーターの逆並列ダイオード

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC ショットキー MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC ショットキー MPS™

すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

業界最高の性能指数を備えたGeneSiCの新しい第3世代SiCMOSFET

ダレス, VA, 2月 12, 2020 — GeneSiCSemiconductorのRDSを備えた次世代1200VG3R™SiCMOSFET(オン) からの範囲のレベル 20 mΩから 350 mΩは前例のないレベルのパフォーマンスを提供します, 対応するものを超える堅牢性と品質. システムの利点には、より高い効率が含まれます, より速いスイッチング周波数, 電力密度の増加, リンギングの減少 (EMI) コンパクトなシステムサイズ.

GeneSiCは、業界をリードする性能を備えた、業界をリードする第3世代炭化ケイ素MOSFETの発売を発表しました。, 自動車および産業用アプリケーションでこれまでにないレベルの効率とシステムの信頼性を活用するための堅牢性と品質.

これらのG3R™SiCMOSFET, 最適化された低インダクタンスのディスクリートパッケージで提供 (SMDとスルーホール), 高い効率レベルと超高速スイッチング速度を必要とする電力システム設計向けに高度に最適化されています. これらのデバイスは、競合製品と比較して大幅に優れたパフォーマンスレベルを備えています. 保証された品質, 迅速なターンアラウンドの大量生産に支えられて、その価値提案をさらに強化します.

「何年にもわたる開発作業の後、最小のオン状態抵抗と強化された短絡性能の達成に向けて取り組んでいます, 業界最高のパフォーマンスを発揮する1200VSiCMOSFETをリリースできることを嬉しく思います。 15+ ディスクリートおよびベアチップ製品. 次世代のパワーエレクトロニクスシステムが困難な効率に対応する場合, 自動車などのアプリケーションにおける電力密度と品質の目標, 産業, 再生可能エネルギー, 交通手段, ITとテレコム, その場合、現在利用可能なSiC MOSFETと比較して、大幅に改善されたデバイス性能と信頼性が必要です。” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

特徴 –

  • 優れたQG x RDS(オン) 性能指数 – G3R™SiCMOSFETは、非常に低いゲート電荷で業界最低のオン状態抵抗を特長としています, 結果として 20% 他の同様の競合デバイスよりも優れた性能指数
  • すべての温度で低い伝導損失 – GeneSiCのMOSFETは、オン状態抵抗の温度依存性が最も低く、すべての温度で非常に低い導通損失を提供します。; 市場に出回っている他のどのトレンチおよびプレーナSiCMOSFETよりも大幅に優れています
  • 100 % 雪崩テスト済み – 堅牢なUIL機能は、ほとんどのフィールドアプリケーションにとって重要な要件です。. GeneSiCの1200VSiCMOSFETディスクリートは 100 % 雪崩 (UIL) 生産中にテスト済み
  • 低ゲート電荷と低内部ゲート抵抗 – これらのパラメータは、超高速スイッチングを実現し、最高の効率を達成するために重要です。 (低Eon-Eoff) 幅広いアプリケーションスイッチング周波数にわたって
  • 175°Cまでのノーマルオフ安定動作 – GeneSiCのすべてのSiCMOSFETは、最新のプロセスで設計および製造されており、誤動作のリスクがなく、すべての動作条件で安定性と信頼性の高い製品を提供します。. これらのデバイスの優れたゲート酸化物品質は、しきい値を防ぎます (VTH) ドリフト
  • デバイスの静電容量が小さい – G3R™は、デバイスの静電容量が小さいため、より高速かつ効率的に駆動するように設計されています– Ciss, CossとCrss
  • 固有電荷が低く、高速で信頼性の高いボディダイオード – GeneSiCのMOSFETは、ベンチマークの低い逆回復電荷を特徴としています (QRR) すべての温度で; 30% 同様に評価された競合デバイスよりも優れています. これにより、電力損失がさらに削減され、動作周波数が向上します。
  • 使いやすさ – G3R™SiCMOSFETは、+ 15Vで駆動するように設計されています / -5Vゲートドライブ. これにより、既存の商用IGBTおよびSiCMOSFETゲートドライバーとの幅広い互換性が提供されます

アプリケーション –

  • 電気自動車 – パワートレインと充電
  • ソーラーインバーターとエネルギー貯蔵
  • 産業用モータードライブ
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • スイッチモード電源 (SMPS)
  • 双方向DC-DCコンバータ
  • スマートグリッドとHVDC
  • 誘導加熱および溶接
  • パルスパワーアプリケーション

すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Electronics

ニューアークファーネルelement14

マウザーエレクトロニクス

アローエレクトロニクス

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiCSemiconductorのすべてのSiCMOSFETは、自動車用途を対象としています (AEC-q101) およびPPAP対応. すべてのデバイスは業界標準のD2PAKで提供されます, TO-247およびSOT-227パッケージ.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

GeneSiCの3300Vおよび1700V1000mΩSiCMOSFETは、補助電源の小型化に革命をもたらします

ダレス, VA, 12月 4, 2020 — GeneSiCは、比類のない小型化を実現するために最適化された、業界をリードする3300Vおよび1700VディスクリートSiCMOSFETの発売を発表しました。, 産業用ハウスキーピングパワーの信頼性とエネルギー節約.

ニュース, シリコンカーバイドの包括的なポートフォリオのパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体, 本日、次世代の3300Vおよび1700V1000mΩSiCMOSFET–G2R1000MT17Jの即時発売を発表しました, G2R1000MT17D, およびG2R1000MT33J. これらのSiCMOSFETは、優れた性能レベルを可能にします, フラッグシップ性能指数に基づく (FoM) エネルギー貯蔵全体の電力システムを強化および簡素化する, 再生可能エネルギー, 産業用モーター, 汎用インバーターと産業用照明. リリースされた製品は:

G2R1000MT33J –3300V1000mΩTO-263-7SiC MOSFET

G2R1000MT17D –1700V1000mΩTO-247-3SiC MOSFET

G2R1000MT17J –1700V1000mΩTO-263-7SiC MOSFET

G3R450MT17D –1700V450mΩTO-247-3SiC MOSFET

G3R450MT17J –1700V450mΩTO-263-7SiC MOSFET

GeneSiCの新しい3300Vおよび1700VSiC MOSFET, 1000mΩおよび450mΩオプションでSMDおよびスルーホールディスクリートパッケージとして利用可能, 高い効率レベルと超高速スイッチング速度を必要とする電力システム設計向けに高度に最適化されています. これらのデバイスは、競合製品と比較して大幅に優れたパフォーマンスレベルを備えています. 保証された品質, 迅速なターンアラウンドの大量生産によってサポートされ、その価値提案をさらに強化します.

「1500Vソーラーインバーターのようなアプリケーションでは, 補助電源のMOSFETは、2500Vの範囲の電圧に耐える必要がある場合があります, 入力電圧に応じて, トランスの巻数比と出力電圧. 高絶縁破壊電圧MOSFETは、フライバックで直列接続されたスイッチの必要性を排除します, ブーストおよびフォワードコンバーターにより、部品点数が削減され、回路の複雑さが軽減されます. GeneSiCの3300Vおよび1700VディスクリートSiCMOSFETにより、設計者はよりシンプルなシングルスイッチベースのトポロジを使用できると同時に、信頼性の高いものを顧客に提供できます。, コンパクトで費用効果の高いシステム” スミット・ジャダフは言った, GeneSiCSemiconductorのシニアアプリケーションマネージャー.

特徴 –

  • 優れた価格性能指数
  • フラッグシップQG x RDS(オン) 性能指数
  • 低い固有容量と低いゲート電荷
  • すべての温度で低損失
  • 高いアバランシェと短絡の耐久性
  • 175°Cまでの通常オフの安定した動作のためのベンチマークしきい値電圧

アプリケーション –

  • 再生可能エネルギー (ソーラーインバーター) とエネルギー貯蔵
  • 産業用モーター (と絆)
  • 汎用インバーター
  • 産業用照明
  • ピエゾドライバー
  • イオンビーム発生器

すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

GeneSiCの業界をリードする6.5kVSiC MOSFET – アプリケーションの新しい波の先駆者

6.5kV SiC MOSFET

ダレス, VA, 10月 20, 2020 — GeneSiCは6.5kV炭化ケイ素MOSFETをリリースし、前例のないレベルのパフォーマンスを提供することで最前線をリードします, トラクションなどの中電圧電力変換アプリケーションの効率と信頼性, パルスパワーとスマートグリッドインフラストラクチャ.

ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体, 本日、6.5kV SiC MOSFETベアチップ–G2R300MT65-CALおよびG2R325MS65-CALの即時提供を発表しました. この技術を利用した完全なSiCモジュールがまもなくリリースされます. アプリケーションには牽引力が含まれることが期待されます, パルスパワー, スマートグリッドインフラストラクチャおよびその他の中電圧電力変換器.

G2R300MT65-CAL –6.5kV300mΩG2R™SiCMOSFETベアチップ

G2R325MS65-CAL –6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (統合ショットキー付き) ベアチップ

G2R100MT65-CAL –6.5kV100mΩG2R™SiCMOSFETベアチップ

GeneSiCのイノベーションは、SiC二重注入金属酸化物半導体を特徴としています (DMOSFET) 接合バリアショットキーを備えたデバイス構造 (JBS) SiCDMOSFETユニットセルに統合された整流器. この最先端の電力デバイスは、次世代の電力変換システムのさまざまな電力変換回路で使用できます。. その他の重要な利点には、より効率的な双方向パフォーマンスが含まれます, 温度に依存しないスイッチング, 低スイッチングおよび伝導損失, 冷却要件の削減, 優れた長期信頼性, デバイスの並列化の容易さとコストメリット. GeneSiCのテクノロジーは、優れたパフォーマンスを提供し、電力変換器の正味のSiC材料フットプリントを削減する可能性もあります。.

“GeneSiCの6.5kVSiC MOSFETは、低いオン状態抵抗を実現するために6インチウェーハ上に設計および製造されています。, 最高品質, と優れた価格性能指数. この次世代MOSFET技術は、模範的な性能を約束します, 中電圧電力変換アプリケーションにおける優れた耐久性と長期信頼性。” 前記 博士. シドダース・スンダレサン, GeneSiCSemiconductorの技術担当副社長.

GeneSiCの6.5kVG2R™SiCMOSFETテクノロジーの特徴 –

  • 高雪崩 (UIS) と短絡の頑丈さ
  • 優れたQG x RDS(オン) 性能指数
  • 温度に依存しないスイッチング損失
  • 低静電容量と低ゲート電荷
  • すべての温度で低損失
  • 175°Cまでのノーマルオフ安定動作
  • +20 V / -5 Vゲートドライブ

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

PCIMでインタビューされたGeneSiC 2016 ニュルンベルクで, ドイツ

電力システム設計インタビューGeneSiC

ニュルンベルク, ドイツ5月 12, 2016 — GeneSiC Semiconductorの社長は、Power SystemsDesignのAlixPaultreからインタビューを受けました。 (Google Analyticsを使用して、サイトでのユーザーアクティビティとパターンを理解します://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) ニュルンベルクのPCIMショーで, ドイツ.

 

オールシリコンカーバイドジャンクショントランジスタ-ダイオードは 4 リードミニモジュール

堅牢なCoパッケージSiCトランジスタとダイオードの組み合わせ, 孤立, 4-リード, ミニモジュールパッケージは、ターンオンエネルギー損失を削減し、高周波電力変換器の柔軟な回路設計を可能にします

ダレス, VA, 五月 13, 2015 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、 20 mOhm-1200 VSiC接合トランジスタ-絶縁されたダイオード, 4-柔軟性を提供しながら、非常に低いターンオンエネルギー損失を可能にする有鉛ミニモジュールパッケージ, 高周波電力変換器のモジュラー設計. 高周波の使用, 高電圧および低オン抵抗対応のSiCトランジスタおよび整流器は、高い動作周波数でより高い電力処理を必要とする電子機器アプリケーションのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、誘導加熱器を含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています, プラズマ発生器, 急速充電器, DC-DCコンバーター, およびスイッチモード電源.

炭化ケイ素接合トランジスタコパック整流器SOT-227アイソトップ

1200 V / 20mOhmシリコンカーバイド接合トランジスタ整流器-個別のゲートソースおよびシンク機能を提供する絶縁型SOT-227パッケージに同梱

共同パッケージ化されたSiCジャンクショントランジスタ (SJT)-GeneSiCが提供するSiC整流器は、SJTが唯一のワイドバンドギャップスイッチであるため、誘導スイッチングアプリケーションに独自に適用できます。 >10 マイクロ秒の繰り返し短絡機能, でも 80% 定格電圧の (例えば. 960 Vの 1200 Vデバイス). サブ10ナノ秒の立ち上がり/立ち下がり時間と正方形の逆バイアスされた安全な操作領域に加えて (RBSOA), 新しい構成のゲートリターン端子は、スイッチングエネルギーを削減する能力を大幅に向上させます. これらの新しいクラスの製品は、接合部温度に依存しない過渡エネルギー損失とスイッチング時間を提供します. GeneSiCのSiCジャンクショントランジスタはゲート酸化物を使用していません, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, 低いゲート電圧で駆動することができます, 他のSiCスイッチとは異なり.
これらのミニモジュールで使用されるSiCショットキー整流器は、低いオン状態の電圧降下を示します, 優れたサージ電流定格と高温での業界最低の漏れ電流. 温度に依存しない, ほぼゼロの逆回復スイッチング特性, SiCショットキー整流器は高効率回路での使用に理想的な候補です.
“GeneSiCのSiCトランジスタおよび整流器製品は、低いオン状態およびスイッチング損失を実現するように設計および製造されています. 革新的なパッケージにこれらのテクノロジーを組み合わせることで、ワイドバンドギャップベースのデバイスを必要とする電源回路での優れたパフォーマンスが約束されます. ミニモジュールパッケージは、Hブリッジなどのさまざまな電源回路で使用するための優れた設計の柔軟性を提供します, フライバックおよびマルチレベルインバーター” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.
本日リリースされた製品には、
20 mOhm / 1200 VSiCジャンクショントランジスタ/整流器コパック (GA50SICP12-227):
•分離されたSOT-227 /ミニブロック/アイソトップパッケージ
•トランジスタ電流ゲイン (hFE) >100
•Tjmax = 175oC (パッケージによる制限)
•オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <10 典型的なナノ秒.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテスト済み. デバイスはGeneSiCからすぐに入手できます 正規販売代理店.

詳細については, ニュース: Google Analyticsを使用して、サイトでのユーザーアクティビティとパターンを理解します://192.168.88.14/Commercial-sic / sic-modules-copack /

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコンダイオードモジュール. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンホール石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

低コストで提供される汎用高温SiCトランジスタおよび整流器

高温 (>210oC) スモールフォームファクタの金属缶パッケージのジャンクショントランジスタと整流器は、増幅を含むさまざまなアプリケーションに革新的な性能上の利点を提供します, 低ノイズ回路とダウンホールアクチュエータ制御

ダレス, VA, 行進 9, 2015 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、コンパクトラインの即時発売を発表しました, 高温SiCジャンクショントランジスタとTO-46金属缶パッケージの整流器ライン. これらのディスクリートコンポーネントは、周囲温度を超える温度で動作するように設計および製造されています。 215oC. 高温の使用, 高電圧および低オン抵抗対応のSiCトランジスタおよび整流器は、高温でより高い電力処理を必要とする電子機器アプリケーションのサイズ/重量/体積を削減します. これらのデバイスは、さまざまなダウンホール回路を含むさまざまなアプリケーションでの使用を対象としています。, 地熱計装, ソレノイド作動, 汎用増幅, およびスイッチモード電源.

高温SiCジャンクショントランジスタ (SJT) GeneSiCが提供する10ナノ秒未満の立ち上がり/立ち下がり時間を可能にする >10 MHzスイッチングと正方形の逆バイアスされた安全な動作領域 (RBSOA). 過渡エネルギー損失とスイッチング時間は接合部温度に依存しません. これらのスイッチはゲート酸化物フリーです, ノーマルオフ, オン抵抗の正の温度係数を示す, によって駆動することができます 0/+5 VTTLゲートドライバー, 他のSiCスイッチとは異なり. 他のSiCスイッチとは対照的なSJTのユニークな利点は、その高い長期信頼性です。, >20 usec短絡機能, 優れた雪崩能力. これらのデバイスは、他のSiCスイッチよりもはるかに高い直線性を約束するため、効率的なアンプとして使用できます。.

GeneSiCが提供する高温SiCショットキー整流器は、オン状態の電圧降下が低いことを示しています, 高温での業界最低の漏れ電流. 温度に依存しない, ほぼゼロの逆回復スイッチング特性, SiCショットキー整流器は高効率で使用するための理想的な候補です, 高温回路. TO-46金属缶パッケージ、およびこれらの製品を作成するために使用される関連パッケージングプロセスにより、高い信頼性が重要な長期使用が可能になります。.

“GeneSiCのトランジスタおよび整流器製品は、高温動作を可能にするためにゼロから設計および製造されています. これらのコンパクトなTO-46パッケージSJTは、高い電流ゲインを提供します (>110), 0/+5 VTTL制御, 堅牢なパフォーマンス. これらのデバイスは、低い導通損失と高い直線性を提供します. 整流器の「SHT」ラインを設計します, 高温で低リーク電流を提供する. これらの金属缶パッケージ製品は、昨年リリースされたTO-257および金属SMD製品を補強して、スモールフォームファクターを提供します。, 耐振動ソリューション” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

本日リリースされた製品は次のとおりです。:TO-46SiCトランジスタダイオード

240 mOhmSiCジャンクショントランジスタ:

  • 300 Vブロッキング電圧. 品番 GA05JT03-46
  • 100 Vブロッキング電圧. 品番 GA05JT01-46
  • 現在のゲイン (hFE) >110
  • Tjmax = 210oC
  • オン/オフを切り替える; 立ち上がり/立ち下がり時間 <10 典型的なナノ秒.

まで 4 アンペア高温ショットキーダイオード:

  • 600 Vブロッキング電圧. 品番 GB02SHT06-46
  • 300 Vブロッキング電圧. 品番 GB02SHT03-46
  • 100 Vブロッキング電圧. 品番 GB02SHT01-46
  • 総容量性電荷 9 nC
  • Tjmax = 210oC.

すべてのデバイスは 100% 完全な電圧/電流定格でテストされ、金属缶TO-46パッケージに収容されています。デバイスは、GeneSiCの認定販売代理店からすぐに入手できます。.

GeneSiCSemiconductorIncについて.

GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 幅広いパワー半導体のグローバルサプライヤー. そのデバイスのポートフォリオには、SiCベースの整流器が含まれます, トランジスタ, およびサイリスタ製品, だけでなく、シリコンダイオードモジュール. GeneSiCは、SiCパワーデバイスの最新の進歩を網羅する広範な知的財産および技術的知識を開発しました, 代替エネルギーを対象とした製品, 自動車, ダウンホール石油掘削, モーター制御, 電源, 交通手段, 無停電電源装置アプリケーション. の 2011, 会社は名誉あるRを獲得しました&超高電圧SiCサイリスタの商品化に対してD100賞.

詳細については, ニュース https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; そして https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

シリコンカーバイド接合トランジスタのゲートドライバボードとSPICEモデル (SJT) リリース済み

高いスイッチング速度と動作ベースのモデル用に最適化されたゲートドライバボードにより、パワーエレクトロニクス設計エンジニアはボードレベルの評価と回路シミュレーションにおけるSJTの利点を検証および定量化できます。

ダレス, V.A., 11月 19, 2014 — ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体は本日、ゲートドライバ評価ボードの即時提供を発表し、業界で最も損失の少ないスイッチであるSiCジャンクショントランジスタの設計サポートを拡大しました。 (SJT) –完全修飾LTSPICEIVモデルを使用. 新しいゲートドライバーボードの使用, 電力変換回路の設計者は、15ナノ秒未満の利点を検証できます, SiCジャンクショントランジスタの温度に依存しないスイッチング特性, ドライバーの電力損失が少ない. 新しいSPICEモデルを組み込む, 回路設計者は、GeneSiCのSJTが、同等の定格のデバイス用の従来のシリコンパワースイッチングデバイスで可能であるよりも高いレベルの効率を達成するために提供する利点を簡単に評価できます。.

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GeneSiCのSJTに適用可能なゲートドライバボードGA03IDDJT30-FR4

SiCジャンクショントランジスタは、他のSiCトランジスタ技術とは大幅に異なる特性を持っています, だけでなく、シリコントランジスタ. SiCジャンクショントランジスタの利点を活用するためのドライブソリューションを提供するには、高いスイッチング速度を提供しながら低電力損失を提供できるゲートドライバボードが必要でした。. GeneSiCは完全に分離されています GA03IDDJT30-FR4 ゲートドライバボードは0 / 12VとTTL信号を取り込み、小さな立ち上がり/立ち下がり時間を提供するために必要な電圧/電流波形を最適に調整します, オン状態の間、通常オフのSJTを導通状態に保つための連続電流要件を最小限に抑えながら. ピン構成とフォームファクタは、他のSiCトランジスタと同様に保たれています. GeneSiCはまた、ガーバーファイルとBOMをエンドユーザーにリリースし、実現されたドライバー設計の革新の利点を組み込むことができるようにしました。.

SJTは、正常に動作するオン状態およびスイッチング特性を提供します, 基礎となる物理ベースのモデルとも非常によく一致する動作ベースのSPICEモデルを簡単に作成できます. 確立され理解された物理ベースのモデルの使用, SPICEパラメータは、デバイスの動作を使用した広範なテストの後にリリースされました. GeneSiCのSPICEモデルは、すべてのデバイスデータシートで実験的に測定されたデータと比較され、すべてのデバイスに適用できます。 1200 Vと 1700 VSiCジャンクショントランジスタがリリースされました.
GeneSiCのSJTは、以上のスイッチング周波数を提供できます。 15 IGBTベースのソリューションの2倍. それらのより高いスイッチング周波数は、より小さな磁気および容量性要素を可能にすることができます, それにより全体のサイズを縮小します, パワーエレクトロニクスシステムの重量とコスト.

このSiCジャンクショントランジスタSPICEモデルは、GeneSiCの包括的な設計サポートツールスイートに追加されます, 技術文書, GeneSiCのSiCジャンクショントランジスタおよび整流器の包括的なファミリを次世代の電力システムに実装するために必要な設計リソースをパワーエレクトロニクスエンジニアに提供するための信頼性情報.

GeneSiCのGateDriverBoardデータシートとSJTSPICEモデルは、からダウンロードできます。 https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/