半導体プロセスエンジニア

GeneSiC Semiconductorは、プロセスエンジニアのポジションに熱心な応募者を募集しています. 半導体プロセスエンジニアは、最先端の半導体研究ファウンドリで炭化ケイ素および窒化ガリウムデバイスの開発を担当しています。. 関数には両方のRが含まれます&D, 新製品開発と持続的生産. ウェット/ドライエッチングに関する深い知識, フォトリソグラフィー, 電子ビームとスパッタのメタライゼーション, 誘電体の堆積とエッチング, 電気めっき, カプセル化, ウェーハの薄化とダイシング. SiCダイオードおよびMOSFETデバイスの動作原理に精通している. プロセス制御モニターの設計経験 (PCM) 構造とデザインルールの定義. DOEなどのパラメトリック歩留まりおよび統計分析スキル, SPC, および多変量解析.

この作業には、最先端の施設での微細加工ツールを使用したSiCおよびGaNデバイスの実践的な製造が含まれます。. このポジションの要件は次のとおりです。:

• フォトリソグラフィーツールの豊富な実地体験, つまり、. ステッパー, スピンコーター, およびコンタクトマスクアライナ
• 電子ビーム蒸着を含む金属蒸着に使用される機器の使用経験, スパッタリング,
• PECVDを含む誘電体堆積の実用的な知識, 乾式/湿式酸化およびLPCVD炉.
• ウェットエッチングに使用されるプロセスでの実務経験, RIE / ICPエッチング, 金属リフトオフパターン, 等.
• ウェーハダイシングなどのバックエンド処理, ワイヤーボンディング, 等.
• SEMなどのプロセス監視機器の経験, プロフィロメトリー, エリプソメトリー, リフレクトメトリ, 等.
• SiC / GaN半導体処理の経験が望ましいですが、必須ではありません
• 自発性があり、柔軟な時間で働く準備ができている必要があります
• 申請者は、電気工学/マイクロエレクトロニクス工学または関連分野の理学士または修士を最低 5 長年の経験. すぐに卒業する予定の学生のまれな例外も適用される場合があります.
• デバイス製造ディレクターに直接報告する

興味があれば, 履歴書をに送ってください HR@genesicsemi.com