パワーデバイスサイエンティスト

GeneSiCは、ワイドバンドギャップ半導体デバイスに焦点を当てたパワー半導体デバイスサイエンティストを募集しています. 候補者は新しいデバイス構造を開発します, アプリケーションの製造技術および関連する試験方法.

責任

• モデリングに参加する, 設計, 製作, ワイドバンドギャップ半導体デバイスのテスト. テスト作業は、オンウェーハプロービングから信頼性評価および/またはさまざまなデバイスの障害分析に及ぶ場合があります.
• 政府機関の研究イニシアチブに向けたホワイトペーパーや提案、レポートの作成に参加する.
• 半導体材料などの分野で技術的な専門知識を提供する, デバイスの物理と設計, および/またはデバイスの製造とテスト. そのようなデバイスの認定および/または信頼性に関する専門知識が望まれます.
• 書面によるレポートを作成し、実行された分析を説明するプレゼンテーションを行うことにより、結果を効果的に伝達します, 開発されたソリューション, と得られた値.
• プログラムの成長と新しいアイデアの生成を推進するSemiconductorTechnologyLabのソートリーダーになる.
• 文献に遅れないようにし、GeneSiCに関心のある化合物半導体ベースのパワーデバイスに関連する研究動向を特定します.

要件:

• 電気工学の博士号, できればパワー半導体デバイスの分野、または電気工学の修士号, 以上で 5 パワー半導体デバイスでの長年の実務経験.
• SiCおよび/またはGaNパワーデバイスの製造技術に関する強力な実務知識が必要です.
• Siで実証された専門知識, SiCおよび/またはGaNパワー半導体デバイスのモデリング, 強力なデバイス物理学の知識を持つことは重要な要件です.
• 半導体クリーンルームでの製造経験が非常に望ましい.
• 最先端および現在の課題を含む、関連する材料技術に関する強力な実務知識.
• オンウェーハおよびパッケージ化されたパワーデバイスのパラメトリックテストに関する強力な実務知識が必要です。
• 米国市民または米国永住者になる. 例外的な場合, 米国で働くための法的許可を取得できる候補者にオファーを行うことができます.

履歴書をメールで送信してください: HR@genesicsemi.com.