I MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V 1000 mΩ di GeneSiC rivoluzionano la miniaturizzazione degli alimentatori ausiliari
MOSFET SiC da 6,5 kV leader del settore di GeneSiC – l'avanguardia per una nuova ondata di applicazioni
Energia dei semiconduttori, Leader del settore nei circuiti integrati di potenza al nitruro di gallio, Annuncia l'acquisizione di GeneSiC Semiconductor, Pioniere del carburo di silicio
GeneSiC vince il progetto di gestione dell'energia dalla NASA a sostegno delle future missioni di esplorazione di Venere