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Energia dei semiconduttori, Leader del settore nei circuiti integrati di potenza al nitruro di gallio, Annuncia l'acquisizione di GeneSiC Semiconductor, Pioniere del carburo di silicio

 

Il secondo, CIRCA., 15 agosto, 2022 - Energia dei semiconduttori (Nasdaq: NVTS), leader nel settore del nitruro di gallio (GaN) circuiti integrati di potenza, ha annunciato oggi l'acquisizione di GeneSiC Semiconductor, un carburo di silicio (SiC) pioniere con una profonda esperienza nella progettazione e nel processo di dispositivi di alimentazione SiC. La transazione è immediatamente positiva per Navitas poiché GeneSiC è altamente redditizio, con più di 25% Margini EBITDA. Calendario 2022 i ricavi dovrebbero essere di circa $25 milioni con tassi di crescita annuali dimostrati di oltre 60%. La società combinata crea un completo, portafoglio tecnologico leader del settore nei semiconduttori di potenza di prossima generazione, sia GaN che SiC, con un'opportunità di mercato aggregata stimata in oltre $20 miliardi all'anno entro 2026.

“GeneSiC è un partner ideale per Navitas con la loro attenzione e il successo nello sviluppo della tecnologia SiC leader del settore,disse Gene Sheridan, Amministratore delegato e co-fondatore di Navitas. “Navitas ha investimenti significativi nelle vendite globali, team operativi e di supporto tecnico, insieme ai centri di progettazione dei sistemi nei veicoli elettrici e ai data center. Queste capacità sono un complemento perfetto di GeneSiC e accelereranno ulteriormente la loro crescita sia nei nuovi clienti che nei mercati sinergici. In data odierna, abbiamo compiuto un passo importante nella missione della nostra azienda di "Electrify Our World™" e guidare la transizione del nostro pianeta dai combustibili fossili alla pulizia, efficiente, energia elettrica."

“Protetto da brevetto GeneSiC, tecnologia avanzata e innovativa, team esperti sono fattori critici nella crescita della nostra azienda. I nostri MOSFET SiC offrono le prestazioni più elevate del settore, affidabilità, e robustezza: parametri critici per l'adozione diffusa dei veicoli elettrici e delle infrastrutture associate,” ha affermato il presidente di GeneSiC, il dott. Ranbir Singh. «Con quasi 20 anni di avanguardia R&D, piattaforme collaudate, Sopra 500 clienti diversi, e aumento dei ricavi e della redditività, possiamo sfruttare l'esperienza di Navitas nella produzione di massa e la strategia go-to-market per accelerare i ricavi SiC. Siamo molto entusiasti di questa nuova partnership”.

Dott. Singh si unisce a Navitas come vicepresidente esecutivo per l'attività GeneSiC e Navitas prevede di mantenere tutti i membri del team GeneSiC.

Nei semiconduttori di potenza, sia GaN che SiC sono materiali superiori al silicio legacy, consentendo velocità più elevate, maggiore risparmio energetico, ricarica più veloce, e dimensioni notevolmente ridotte, peso, e costo. Insieme, questi complementari, i materiali di nuova generazione soddisfano un'ampia gamma di applicazioni dai caricabatterie per smartphone da 20 W, caricabatterie per veicoli elettrici da 20 kW, a 20 MW di sistemi di infrastrutture di rete e tutto il resto. Con oltre 500 clienti, l'acquisizione di GeneSiC offre mercati e clienti diversificati e sinergici, e accelera le entrate di Navitas in modo strategico, applicazioni di potenza superiore:

  • Veicolo elettrico: I circuiti integrati Navitas GaN sono ottimizzati per i sistemi EV a 400 V, e la tecnologia GeneSiC è ideale per i sistemi EV 800V, con i clienti esistenti nel settore delle entrate e dello sviluppo che includono BYD – the world's #1 Fornitore di veicoli elettrici, Land Rover, Mercedes AMG, Geely, Brillante, LG Magna, Saab, e Innovazione, insieme a decine di altri.
  • Solare & Accumulo di energia: I circuiti integrati GaN Navitas servono l'energia solare residenziale, mentre GeneSiC ha entrate immediate in maggiore potenza, clienti commerciali di accumulo di energia e solare, compreso l'APS, Energia Avanzata, Chinto, Girasole, Growatt, CATL, Exide e molti altri.
  • Mercati industriali più ampi: I prodotti ad alta tensione GeneSiC generano entrate immediate in un'ampia gamma di mercati industriali aggiuntivi, tra cui le ferrovie, UPS, vento, potenza di rete, motori industriali, e imaging medico.

Dettagli di Transazione

L'acquisizione di GeneSiC dovrebbe aumentare immediatamente l'utile per azione di Navitas. Il corrispettivo totale consisteva in circa $100 milioni in contanti, 24.9 milioni di azioni Navitas e possibili pagamenti di earn-out fino a $25 milioni condizionati al raggiungimento di sostanziali obiettivi di fatturato per il business GeneSiC nei quattro trimestri fiscali terminati a settembre 30, 2023. Maggiori informazioni su GeneSiC sono disponibili su ir.navitassemi.com.

Consulenti

Jefferies LLC ha agito come consulente finanziario di Navitas e Bank of America ha agito come consulente finanziario di GeneSiC. Gruppo di diritto TCF, PLLC ha agito come consulente legale di Navitas e Gibson, Nono & Crutcher LLP ha agito come consulente legale di GeneSiC.

Informazioni sulla teleconferenza e sul webcast

L'acquisizione di GeneSiC sarà discussa nell'ambito del Navitas Q2 2022 chiamata guadagni:

quando: Lunedi, agosto 15th, 2022

Volta: 2:00 pomeriggio. Pacifico / 5:00 pomeriggio. Orientale

Numero verde gratuito: (800) 715-9871 o (646) 307-1963

ID conferenza: 6867001

Webcast in diretta: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Rigiocare: Una replica della chiamata sarà accessibile dalla sezione Investor Relations del sito web della Società all'indirizzo https://ir.navitassemi.com/.

Dichiarazione cautelativa sulle dichiarazioni previsionali

Questo comunicato stampa include "dichiarazioni previsionali" ai sensi della Sezione 21E del Securities Exchange Act of 1934, come modificato. Le dichiarazioni previsionali possono essere identificate dall'uso di parole come "ci aspettiamo" o "dovremmo essere".,” “stima," "Piano,” “progetto," "previsione," "avere intenzione,” “anticipare," "ritenere," "cercare,” o altre espressioni simili che predicono o indicano eventi o tendenze futuri o che non sono dichiarazioni di rilevanza storica. Queste dichiarazioni previsionali includono, ma non sono limitati a, dichiarazioni relative a stime e previsioni di altre metriche finanziarie e di performance e proiezioni di opportunità di mercato e quote di mercato. Queste affermazioni si basano su vari presupposti, individuato o meno nel presente comunicato stampa. Queste affermazioni si basano anche sulle attuali aspettative della direzione di Navitas e non sono previsioni di prestazioni effettive. Tali dichiarazioni previsionali sono fornite solo a scopo illustrativo e non intendono fungere da, e non deve essere invocato da alcun investitore come, una garanzia, un'assicurazione, una previsione o una dichiarazione definitiva di fatto o di probabilità. Gli eventi e le circostanze reali sono difficili o impossibili da prevedere e differiranno da supposizioni e aspettative. Molti eventi e circostanze reali che influiscono sulle prestazioni sono al di fuori del controllo di Navitas. Le dichiarazioni previsionali sono soggette a una serie di rischi e incertezze, inclusa la possibilità che la crescita attesa delle attività di Navitas e GeneSiC non si realizzi, o non sarà realizzato entro i periodi di tempo previsti, a causa di, tra l'altro, l'incapacità di integrare con successo GeneSiC nei sistemi aziendali e operativi di Navitas; l'effetto dell'acquisizione sui rapporti con clienti e fornitori o il mancato mantenimento ed ampliamento di tali rapporti; il successo o il fallimento di altri sforzi di sviluppo del business; La situazione finanziaria e i risultati delle operazioni di Navitas; La capacità di Navitas di prevedere con precisione i ricavi futuri allo scopo di preventivare e regolare in modo appropriato le spese di Navitas; La capacità di Navitas di diversificare la propria base clienti e di sviluppare relazioni in nuovi mercati; La capacità di Navitas di scalare la sua tecnologia in nuovi mercati e applicazioni; gli effetti della concorrenza sull'attività di Navitas, comprese le azioni di concorrenti con una presenza e risorse consolidate nei mercati in cui speriamo di penetrare, compresi i mercati del carburo di silicio; il livello della domanda nei mercati finali dei clienti di Navitas e GeneSiC, sia in generale che rispetto alle generazioni successive di prodotti o tecnologie; Capacità di attrazione di Navitas, formare e trattenere personale qualificato chiave; cambiamenti nelle politiche commerciali del governo, compresa l'imposizione di tariffe; l'impatto della pandemia di COVID-19 sull'attività di Navitas, risultati delle operazioni e situazione finanziaria; l'impatto della pandemia di COVID-19 sull'economia globale, inclusi, a titolo esemplificativo ma non esaustivo, la catena di approvvigionamento di Navitas e le catene di approvvigionamento di clienti e fornitori; sviluppi normativi negli Stati Uniti e all'estero; e la capacità di Navitas di proteggere i propri diritti di proprietà intellettuale. Questi e altri fattori di rischio sono discussi nel Sezione Fattori di Rischio a partire da p. 11 della nostra relazione annuale su modulo 10-K per l'anno conclusosi a dicembre 31, 2021, che abbiamo depositato presso la Securities and Exchange Commission (la “SEC”) a marzo 31, 2022 e come successivamente modificato, e in altri documenti archiviamo presso la SEC, compresi i nostri rapporti trimestrali sul modulo 10-Q. Se uno qualsiasi di questi rischi si concretizza o le nostre ipotesi si rivelano errate, i risultati effettivi potrebbero differire sostanzialmente dai risultati impliciti in queste dichiarazioni previsionali. Potrebbero esserci ulteriori rischi di cui Navitas non è a conoscenza o che Navitas attualmente ritiene irrilevanti che potrebbero anche far sì che i risultati effettivi differiscano sostanzialmente da quelli contenuti nelle dichiarazioni previsionali. Inoltre, le dichiarazioni previsionali riflettono le aspettative di Navitas, piani o previsioni di eventi futuri e opinioni alla data del presente comunicato stampa. Navitas prevede che gli eventi e gli sviluppi successivi faranno cambiare le valutazioni di Navitas. tuttavia, mentre Navitas potrebbe decidere di aggiornare queste dichiarazioni previsionali ad un certo punto in futuro, Navitas declina espressamente qualsiasi obbligo in tal senso. Non si può fare affidamento su queste dichiarazioni previsionali come rappresentanti delle valutazioni di Navitas in qualsiasi data successiva alla data del presente comunicato stampa.

A proposito di Navita

Energia dei semiconduttori (Nasdaq: NVTS) è leader nel settore del nitruro di gallio (GaN) circuiti integrati di potenza, fondato nel 2014. I circuiti integrati di alimentazione GaNFast™ integrano l'alimentazione GaN con l'azionamento, controllo, rilevamento e protezione per consentire una ricarica più rapida, maggiore densità di potenza e maggiore risparmio energetico per i dispositivi mobili, consumatore, Banca dati, Mercati elettrici e solari. Al di sopra di 165 I brevetti Navitas sono emessi o in attesa di approvazione. Al di sopra di 50 milioni di unità sono state spedite con zero errori di campo GaN segnalati, e Navitas ha introdotto la prima e unica garanzia di 20 anni del settore. Navitas è la prima azienda al mondo di semiconduttori ad esserlo Carbon Neutral®-certificato.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

Semiconduttore GeneSiC è un pioniere e leader mondiale nel carburo di silicio (SiC) tecnologia. I principali produttori globali dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e in modo più economico e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. GeneSiC detiene i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga, un mercato che si prevede raggiungerà più di $5 miliardi di 2025. I nostri principali punti di forza del design, processo e tecnologia aggiungono più valore al prodotto finale dei nostri clienti, con parametri di prestazioni e costi che stabiliscono nuovi standard nel settore del carburo di silicio.

Informazioni sui contatti

Media

Graham Robertson, CMO Grand Bridges

Graham@GrandBridges.com

Investitori

Stefano Oliver, Vicepresidente marketing aziendale & Relazioni con gli investitori

ir@navitassemi.com

Energia dei semiconduttori, GaNFast, GaNSense e il logo Navitas sono marchi o marchi registrati di Navitas Semiconductor Limited. Tutte le altre marche, i nomi e i marchi dei prodotti sono o possono essere marchi o marchi registrati utilizzati per identificare prodotti o servizi dei rispettivi proprietari.

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I MOSFET SiC G3R™ 750V offrono prestazioni e affidabilità senza pari

750MOSFET V G3R SiC

DULLI, VA, giugno 04, 2021 — I MOSFET G3R™SiC da 750 V di nuova generazione di GeneSiC offriranno livelli di prestazioni senza precedenti, robustezza e qualità che supera le sue controparti. I vantaggi del sistema includono bassi cali di funzionamento alle temperature di esercizio, velocità di commutazione più elevate, maggiore densità di potenza, squillo minimo (bassa EMI) e dimensioni del sistema compatte. G3R™ . di GeneSiC, offerto in pacchetti discreti a bassa induttanza ottimizzati (SMD e foro passante), sono ottimizzati per funzionare con perdite di potenza minime in tutte le condizioni operative e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai MOSFET SiC contemporanei.

750MOSFET V G3R SiC

“L'utilizzo di energia ad alta efficienza è diventato un risultato fondamentale nei convertitori di potenza di prossima generazione e i dispositivi di alimentazione SiC continuano a essere i componenti chiave che guidano questa rivoluzione. Dopo anni di lavoro di sviluppo per ottenere la più bassa resistenza in stato on e robuste prestazioni in caso di cortocircuito e valanga, siamo entusiasti di rilasciare i MOSFET SiC da 750 V più performanti del settore industry. Il nostro G3R™ consente ai progettisti di elettronica di potenza di soddisfare la sfida dell'efficienza, densità di potenza e obiettivi di qualità in applicazioni come gli inverter solari, Caricabatterie di bordo per veicoli elettrici e alimentatori per server/telecomunicazioni. Una qualità assicurata, supportato da un rapido turn-around e da una produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico, migliora ulteriormente la loro proposta di valore. ” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • La tariffa di gate più bassa del settore (QG) e resistenza del cancello interno (RG(INT))
  • R . più bassoDS(SU) cambia con la temperatura
  • Bassa capacità di uscita (CNOI) e capacità miler (CGD)
  • 100% valanga (UIL) testato durante la produzione
  • Capacità di resistenza ai cortocircuiti leader del settore
  • Diodo corporeo veloce e affidabile con basso VF e basso QRR
  • Tensione di soglia del gate elevata e stabile (VTH) in tutte le condizioni di temperatura e drain-bias
  • Tecnologia di confezionamento avanzata per una minore resistenza termica e un suono più basso
  • Uniformità di produzione di RDS(SU), VTH e tensione di rottura (BV)
  • Portafoglio di prodotti completo e catena di approvvigionamento più sicura con produzione ad alto volume qualificata per il settore automobilistico

Applicazioni –

  • Solare (PV) Inverter
  • EV / Caricabatterie di bordo HEV
  • server & Alimentatori per telecomunicazioni
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Convertitori DC-DC
  • Alimentatori in modalità commutata (SMPS)
  • Accumulo di energia e ricarica della batteria
  • Riscaldamento a induzione

Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC Semiconductor sono destinati ad applicazioni automobilistiche (AEC-q101) e compatibile con PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&commercio SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&commercio SiC MOSFET

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ o contattare sales@genesicsemi.com

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Elettronica Digi-Key

Elemento di Newark Farnell14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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5Diodi Schottky MPS ™ SiC da 650 V di generazione per la migliore efficienza della categoria

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLI, VA, Maggio 28, 2021 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore di potenza, annuncia la disponibilità della 5a generazione (GE*** serie) Raddrizzatori SiC Schottky MPS™ che stanno stabilendo un nuovo punto di riferimento con il loro indice di qualità prezzo superiore, Corrente di picco leader del settore e robustezza da valanga, e produzione di alta qualità.

“GeneSiC è stato uno dei primi produttori di SiC a fornire commercialmente raddrizzatori SiC Schottky in 2011. Dopo oltre un decennio di fornitura di raddrizzatori SiC ad alte prestazioni e di alta qualità nel settore, siamo entusiasti di rilasciare la nostra quinta generazione di SiC Schottky MPS™ (PiN unito-Schottky) diodi che offrono prestazioni leader del settore in tutti gli aspetti per soddisfare gli obiettivi di alta efficienza e densità di potenza in applicazioni come alimentatori per server/telecomunicazioni e caricabatterie. La caratteristica rivoluzionaria che rende la nostra quinta generazione (GE*** serie) I diodi SiC Schottky MPS™ si distinguono tra i suoi pari per la bassa tensione incorporata (noto anche come tensione al ginocchio);consente perdite di conduzione del diodo più basse in tutte le condizioni di carico, cruciale per applicazioni che richiedono un utilizzo energetico ad alta efficienza. A differenza di altri diodi SiC della concorrenza progettati anche per offrire caratteristiche di basso ginocchio, un'ulteriore caratteristica dei nostri progetti di diodi Gen5 è che mantengono ancora quell'alto livello di valanghe (UIL) robustezza che i nostri clienti si aspettano da Gen3 . di GeneSiC (GC*** serie) e Gen4 (GD*** serie) SiC Schottky MPS ™” disse il dott. Siddarth Sundaresan, Vicepresidente della tecnologia presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • Bassa tensione incorporata – Perdite di conduzione più basse per tutte le condizioni di carico
  • Figura di merito superiore – QC x VF
  • Prestazioni di prezzo ottimali
  • Capacità di sovracorrente migliorata
  • 100% Valanga (UIL) Testato
  • Bassa resistenza termica per un funzionamento più freddo
  • Zero Forward e Recupero inverso
  • Commutazione veloce indipendente dalla temperatura
  • Coefficiente di temperatura positivo di VF

Applicazioni –

  • Diodo boost nella correzione del fattore di potenza (PFC)
  • Alimentatori per server e telecomunicazioni
  • Inverter solari
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Caricabatterie
  • A ruota libera / Diodo antiparallelo negli inverter

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ o contattare sales@genesicsemi.com

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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I nuovi MOSFET SiC di terza generazione di GeneSiC con la migliore figura di merito del settore

DULLI, VA, febbraio 12, 2020 — MOSFET SiC G3R ™ da 1200 V di nuova generazione di GeneSiC Semiconductor con RDS(SU) livelli che vanno da 20 mΩ a 350 mΩ offre livelli di prestazioni senza precedenti, robustezza e qualità che supera le sue controparti. I vantaggi del sistema includono una maggiore efficienza, frequenza di commutazione più veloce, maggiore densità di potenza, squillo ridotto (EMI) e dimensioni del sistema compatte.

GeneSiC annuncia la disponibilità dei suoi MOSFET in carburo di silicio di terza generazione leader del settore che offrono prestazioni leader del settore, robustezza e qualità per sfruttare livelli di efficienza e affidabilità del sistema mai visti prima nelle applicazioni automobilistiche e industriali.

Questi MOSFET SiC G3R ™, offerto in pacchetti discreti a bassa induttanza ottimizzati (SMD e foro passante), sono altamente ottimizzati per progetti di sistemi di alimentazione che richiedono livelli di efficienza elevati e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai prodotti concorrenti. Una qualità assicurata, supportato da un rapido turn-around di produzione ad alto volume migliora ulteriormente la loro proposta di valore.

“Dopo anni di lavoro di sviluppo per ottenere la più bassa resistenza allo stato on e migliori prestazioni di cortocircuito, siamo entusiasti di rilasciare i MOSFET SiC da 1200 V più performanti del settore con oltre 15+ prodotti a chip discreto e nudo. Se i sistemi di elettronica di potenza di prossima generazione devono soddisfare la sfida dell'efficienza, densità di potenza e obiettivi di qualità in applicazioni come l'automotive, industriale, energia rinnovabile, trasporto, IT e telecomunicazioni, quindi richiedono prestazioni e affidabilità del dispositivo notevolmente migliorate rispetto ai MOSFET SiC attualmente disponibili” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • Superior QG x RDS(SU) persona di merito – I MOSFET SiC G3R ™ presentano la resistenza allo stato on più bassa del settore con una carica di gate molto bassa, risultante in 20% figura di merito migliore di qualsiasi altro dispositivo concorrente simile
  • Basse perdite di conduzione a tutte le temperature – I MOSFET di GeneSiC sono caratterizzati dalla più morbida dipendenza dalla temperatura della resistenza in stato on per offrire perdite di conduzione molto basse a tutte le temperature; significativamente migliore di qualsiasi altro MOSFET SiC da trincea e planare sul mercato
  • 100 % testato in caso di valanga – La robusta capacità UIL è un requisito fondamentale per la maggior parte delle applicazioni sul campo. I MOSFET SiC da 1200 V di GeneSiC sono discreti 100 % valanga (UIL) testato durante la produzione
  • Bassa carica del gate e bassa resistenza del gate interno – Questi parametri sono fondamentali per realizzare una commutazione ultraveloce e ottenere le massime efficienze (Eon -Eoff basso) su un'ampia gamma di frequenze di commutazione delle applicazioni
  • Funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C – Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC sono progettati e fabbricati con processi all'avanguardia per fornire prodotti stabili e affidabili in tutte le condizioni operative senza alcun rischio di malfunzionamento. La qualità superiore dell'ossido di gate di questi dispositivi impedisce qualsiasi soglia (VTH) deriva
  • Capacità del dispositivo basse – I G3R ™ sono progettati per guidare più velocemente e in modo più efficiente con le loro basse capacità del dispositivo - Ciss, Coss e Crss
  • Body diode veloce e affidabile con bassa carica intrinseca – I MOSFET di GeneSiC sono caratterizzati da una bassa carica di recupero inverso di riferimento (QRR) a tutte le temperature; 30% migliore di qualsiasi dispositivo della concorrenza con classificazione simile. Ciò offre un'ulteriore riduzione delle perdite di potenza e aumenta le frequenze operative
  • Facilità di utilizzo – I MOSFET SiC G3R ™ sono progettati per essere pilotati a + 15V / -5V gate drive. Ciò offre la più ampia compatibilità con i gate driver IGBT commerciali esistenti e MOSFET SiC

Applicazioni –

  • Veicolo elettrico – Apparato propulsore e ricarica
  • Inverter solare e accumulo di energia
  • Motorizzazione industriale
  • Alimentazione ininterrotta (UPS)
  • Alimentatore in modalità commutata (SMPS)
  • Convertitori CC-CC bidirezionali
  • Smart Grid e HVDC
  • Riscaldamento e saldatura a induzione
  • Applicazione di potenza pulsata

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Elettronica Digi-Key

Elemento di Newark Farnell14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o contattare sales@genesicsemi.com

Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC Semiconductor sono destinati ad applicazioni automobilistiche (AEC-q101) e compatibile con PPAP. Tutti i dispositivi sono offerti nello standard di settore D2PAK, Pacchetti TO-247 e SOT-227.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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I MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V 1000 mΩ di GeneSiC rivoluzionano la miniaturizzazione degli alimentatori ausiliari

DULLI, VA, dicembre 4, 2020 — GeneSiC annuncia la disponibilità di MOSFET SiC discreti da 3300 V e 1700 V leader di settore ottimizzati per ottenere una miniaturizzazione senza precedenti, affidabilità e risparmio energetico nel potere di manutenzione industriale.

Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di un portafoglio completo di carburo di silicio (SiC) semiconduttori di potenza, annuncia oggi la disponibilità immediata dei MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V 1000 mΩ di nuova generazione - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, e G2R1000MT33J. Questi MOSFET SiC consentono livelli di prestazioni superiori, basato su figure di merito di punta (FoM) che migliorano e semplificano i sistemi di alimentazione attraverso l'accumulo di energia, energia rinnovabile, motori industriali, inverter per uso generale e illuminazione industriale. I prodotti rilasciati sono:

G2R1000MT33J - MOSFET SiC da 3300 V 1000 mΩ TO-263-7

G2R1000MT17D - MOSFET SiC da 1700 V 1000 mΩ TO-247-3

G2R1000MT17J - MOSFET SiC da 1700 V 1000 mΩ TO-263-7

G3R450MT17D - MOSFET SiC 1700 V 450 mΩ TO-247-3

G3R450MT17J - MOSFET SiC da 1700 V 450 mΩ TO-263-7

I nuovi MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V di GeneSiC, disponibile nelle opzioni da 1000 mΩ e 450 mΩ come contenitori discreti SMD e Through-Hole, sono altamente ottimizzati per progetti di sistemi di alimentazione che richiedono livelli di efficienza elevati e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai prodotti concorrenti. Una qualità assicurata, supportata da una produzione ad alto volume di turn-around rapida migliora ulteriormente la loro proposta di valore.

“In applicazioni come inverter solari da 1500V, il MOSFET nell'alimentazione ausiliaria potrebbe dover sopportare tensioni nel range di 2500V, a seconda della tensione di ingresso, gira il rapporto del trasformatore e la tensione di uscita. I MOSFET ad alta tensione di breakdown eliminano la necessità di interruttori collegati in serie in Flyback, Convertitori Boost e Forward riducendo così il numero di parti e riducendo la complessità del circuito. I MOSFET SiC discreti da 3300 V e 1700 V di GeneSiC consentono ai progettisti di utilizzare una più semplice topologia basata su interruttore singolo e allo stesso tempo di fornire ai clienti un affidabile, sistema compatto ed economico” disse Sumit Jadav, Senior Applications Manager presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • Indice di qualità-prezzo superiore
  • Ammiraglia QG x RDS(SU) persona di merito
  • Bassa capacità intrinseca e bassa carica di gate
  • Basse perdite a tutte le temperature
  • Elevata robustezza da valanga e corto circuito
  • Tensione di soglia di riferimento per un funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C

Applicazioni –

  • Energia rinnovabile (inverter solari) e accumulo di energia
  • Motori industriali (e legame)
  • Inverter per impieghi generali
  • Illuminazione industriale
  • Driver piezo
  • Generatori di fasci ionici

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o contattare sales@genesicsemi.com

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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MOSFET SiC da 6,5 ​​kV leader del settore di GeneSiC – l'avanguardia per una nuova ondata di applicazioni

6.5MOSFET SiC kV

DULLI, VA, ottobre 20, 2020 — GeneSiC rilascia MOSFET in carburo di silicio da 6,5 ​​kV per essere all'avanguardia nella fornitura di livelli di prestazioni senza precedenti, efficienza e affidabilità nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione come la trazione, energia pulsata e infrastrutture smart grid.

Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza, annuncia oggi la disponibilità immediata di chip nudi MOSFET SiC a 6,5 ​​kV - G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL. Presto verranno rilasciati moduli SiC completi che utilizzano questa tecnologia. Le applicazioni dovrebbero includere la trazione, potenza pulsata, infrastrutture per reti intelligenti e altri convertitori di potenza a media tensione.

G2R300MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV 300 mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV e 325 mΩ (con Schottky integrato) Chip nudo

G2R100MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV 100 mΩ

L'innovazione di GeneSiC prevede un semiconduttore di ossido di metallo a doppio impianto SiC (DMOSFET) struttura del dispositivo con una barriera di giunzione schottky (JBS) raddrizzatore integrato nella cella dell'unità SiC DMOSFET. Questo dispositivo di potenza all'avanguardia può essere utilizzato in una varietà di circuiti di conversione di potenza nella prossima generazione di sistemi di conversione di potenza. Altri vantaggi significativi includono prestazioni bidirezionali più efficienti, commutazione indipendente dalla temperatura, basse perdite di commutazione e conduzione, requisiti di raffreddamento ridotti, affidabilità a lungo termine superiore, facilità di collegamento in parallelo di dispositivi e vantaggi in termini di costi. La tecnologia di GeneSiC offre prestazioni superiori e ha anche il potenziale per ridurre l'impronta netta del materiale SiC nei convertitori di potenza.

“I MOSFET SiC da 6,5 ​​kV di GeneSiC sono progettati e fabbricati su wafer da 6 pollici per realizzare una bassa resistenza allo stato attivo, la miglior qualità, e indice di prezzo-prestazione superiore. Questa tecnologia MOSFET di nuova generazione promette prestazioni esemplari, robustezza superiore e affidabilità a lungo termine nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione.” disse Dott. Siddarth Sundaresan, VP of Technology presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche della tecnologia MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV di GeneSiC –

  • Valanga alta (UIS) e robustezza di corto circuito
  • Superior QG x RDS(SU) persona di merito
  • Perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura
  • Basse capacità e bassa carica di gate
  • Basse perdite a tutte le temperature
  • Funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o contattare sales@genesicsemi.com

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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GeneSiC vince il prestigioso premio R&Premio D100 per interruttore transistor-raddrizzatore monolitico basato su SiC

DULLI, VA, dicembre 5, 2019 — R&D Magazine ha selezionato GeneSiC Semiconductor Inc. di Dulles, VA come destinatario del prestigioso 2019 R&D 100 Premio per lo sviluppo dell'interruttore raddrizzatore a transistor monolitico basato su SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovatore chiave nei dispositivi di potenza a base di carburo di silicio è stato premiato con l'annuncio di aver ricevuto il prestigioso 2019 R&D 100 Premio. Questo premio riconosce GeneSiC per aver introdotto uno dei più significativi, la ricerca e lo sviluppo di nuova introduzione nel corso di molteplici discipline 2018. R&D Magazine ha riconosciuto la tecnologia dei dispositivi di alimentazione SiC a media tensione di GeneSiC per la sua capacità di integrare monoliticamente MOSFET e raddrizzatore Schottky su un singolo chip. Queste capacità raggiunte dal dispositivo di GeneSiC consentono ai ricercatori di elettronica di potenza di sviluppare sistemi elettronici di potenza di prossima generazione come inverter e convertitori CC-CC. Ciò consentirà lo sviluppo di prodotti all'interno dei veicoli elettrici, infrastruttura di ricarica, industrie delle energie rinnovabili e dello stoccaggio di energia. GeneSiC ha prenotato ordini da più clienti per la dimostrazione di hardware elettronico di potenza avanzato che utilizza questi dispositivi e continua a sviluppare la sua famiglia di prodotti MOSFET al carburo di silicio. La R&D sulla prima versione per applicazioni di conversione di potenza è stata sviluppata tramite il Dipartimento degli Stati Uniti. di Energia e collaborazione con i Laboratori Nazionali Sandia.

L'annuale concorso tecnologico indetto da R&D Magazine ha valutato i lavori di varie aziende e attori del settore, organizzazioni di ricerca e università in tutto il mondo. I redattori della rivista e una giuria di esperti esterni sono stati giudici, valutare ogni voce in termini di importanza per il mondo della scienza e della ricerca.

Secondo R&D Magazine, vincere una R&D 100 Award fornisce un marchio di eccellenza noto all'industria, governo, e il mondo accademico a riprova che il prodotto è una delle idee più innovative dell'anno. Questo premio riconosce GeneSiC come leader globale nella creazione di prodotti basati sulla tecnologia che fanno la differenza nel modo in cui lavoriamo e viviamo.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.