Un réseau électrique fournit une alimentation fiable à l'aide d'appareils électroniques qui garantissent une, flux d'énergie fiable. Jusqu'à maintenant, les assemblages à base de silicium ont été utilisés, mais ils ont été incapables de gérer les exigences du réseau intelligent. Matériaux à large bande interdite tels que le carbure de silicium (SiC) offrent une meilleure alternative car ils sont capables de vitesses de commutation plus élevées, une tension de claquage plus élevée, pertes de commutation plus faibles, et une température de jonction plus élevée que les commutateurs traditionnels à base de silicium. Le premier dispositif à base de SiC à arriver sur le marché est le thyristor en carbure de silicium à ultra-haute tension. (Thyristor SiC), développé par GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Virginie., avec le soutien de Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., les Etats Unis. Département de l'énergie / livraison d'électricité, et les États-Unis. Recherche sur l'armée / l'armement, Centre de développement et d'ingénierie, Arsenal de Picatinny, N.J.
Les développeurs ont adopté une physique opérationnelle différente pour cet appareil, qui fonctionne sur le transport de transporteurs minoritaires et un troisième redresseur de terminal intégré, qui est un de plus que les autres dispositifs SiC commerciaux. Les développeurs ont adopté une nouvelle technique de fabrication qui prend en charge les cotes ci-dessus 6,500 V, ainsi qu'une nouvelle conception porte-anode pour les appareils à courant fort. Capable de fonctionner à des températures allant jusqu'à 300 C et courant à 80 UNE, le SiC Thyristor offre jusqu'à 10 tension fois plus élevée, des tensions de blocage quatre fois plus élevées, et 100 fréquence de commutation fois plus rapide que les thyristors à base de silicium.
