Catégorie: Communiqués de presse

Le deuxième, CALIFORNIE., 15 août, 2022 - Énergie des semi-conducteurs (Nasdaq: NVTS), le leader de l'industrie du nitrure de gallium (GaN) CI de puissance, a annoncé aujourd'hui l'acquisition de GeneSiC Semiconductor, un carbure de silicium (SiC) pionnier avec une expertise approfondie dans la conception et le processus de dispositifs de puissance SiC. La transaction est immédiatement relutive pour Navitas car GeneSiC est très rentable, avec plus de 25% Marges d'EBITDA. Calendrier 2022 les revenus devraient être d'environ $25 millions avec des taux de croissance annuels démontrés de plus de 60%. La société combinée crée une gamme complète, portefeuille de technologies de pointe dans les semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération - à la fois GaN et SiC - avec une opportunité de marché globale estimée à plus de $20 milliards par an par 2026.

"GeneSiC est un partenaire idéal pour Navitas avec sa concentration et son succès dans le développement de la technologie SiC de pointe,” a déclaré Gene Sheridan, PDG et co-fondateur de Navitas. « Navitas a des investissements importants dans les ventes mondiales, équipes d'exploitation et de support technique, ainsi que des centres de conception de systèmes dans les véhicules électriques et les centres de données. Ces capacités sont un complément parfait à GeneSiC et accéléreront encore leur croissance à la fois auprès de nouveaux clients et marchés synergiques.. Aujourd'hui, nous avons franchi une étape majeure dans la mission de notre entreprise d'« électrifier notre monde ™ » et de conduire la transition de notre planète des combustibles fossiles vers des énergies propres, efficace, énergie électrique."

« La technologie brevetée de GeneSiC, technologie avancée et innovante, équipe expérimentée sont des facteurs critiques dans la croissance de notre entreprise. Nos MOSFET SiC offrent les performances les plus élevées du secteur, fiabilité, et robustesse - paramètres essentiels à l'adoption généralisée des véhicules électriques et des infrastructures associées,” a déclaré le président de GeneSiC, le Dr. Ranbir Singh. "Avec presque 20 ans de R de pointe&ré, plates-formes éprouvées, plus de 500 clientèle diversifiée, et croissance des revenus et de la rentabilité, nous pouvons tirer parti de l'expertise de Navitas en matière de production de masse et de sa stratégie de mise sur le marché pour accélérer les revenus du SiC. Nous sommes ravis de ce nouveau partenariat. »

Docteur. Singh rejoint Navitas en tant que vice-président exécutif pour l'activité GeneSiC et Navitas prévoit de conserver tous les membres de l'équipe GeneSiC.

Dans les semi-conducteurs de puissance, GaN et SiC sont tous deux des matériaux supérieurs au silicium traditionnel, permettant des vitesses plus élevées, plus d'économies d'énergie, chargement plus rapide, et taille considérablement réduite, poids, et le coût. Ensemble, ces complémentaires, les matériaux de nouvelle génération répondent à un large éventail d'applications allant des chargeurs de smartphone 20W, aux chargeurs EV 20kW, aux systèmes d'infrastructure de réseau de 20 MW et tout le reste. Avec plus de 500 clients, l'acquisition de GeneSiC offre des marchés et des clients diversifiés et synergiques, et accélère les revenus de Navitas dans les, applications de puissance supérieure:

• Véhicule électrique: Les CI Navitas GaN sont optimisés pour les systèmes EV 400V, et la technologie GeneSiC est idéale pour les systèmes EV 800V, avec des clients existants de revenus et de développement qui incluent BYD - le monde #1 Fournisseur de VE, Land Rover, Mercedes-AMG, Geely, brillant, LG Magna, Saab, et Innovation, avec des dizaines d'autres.
• Solaire & Stockage d'Energie: Les CI GaN de Navitas servent le solaire résidentiel, tandis que GeneSiC a des revenus immédiats dans une puissance plus élevée, clients commerciaux solaires et de stockage d'énergie, y compris APS, Énergie avancée, Chint, Sungrow, Croissance, CATL, Exide et bien d'autres.
• Marchés industriels élargis: Les produits haute tension GeneSiC génèrent des revenus immédiats dans un large éventail de marchés industriels supplémentaires, notamment le rail, UPS, vent, puissance du réseau, moteurs industriels, et imagerie médicale.

détails de la transaction

L'acquisition de GeneSiC devrait être immédiatement relutive pour le bénéfice par action de Navitas. La contrepartie totale se composait d'environ $100 millions en espèces, 24.9 millions d'actions Navitas et d'éventuels compléments de prix pouvant aller jusqu'à $25 millions d'euros sous réserve de la réalisation d'objectifs de revenus substantiels pour l'activité GeneSiC au cours des quatre trimestres fiscaux se terminant en septembre 30, 2023. Plus d'informations sur GeneSiC sont disponibles sur ir.navitassemi.com.

Conseillers

Jefferies LLC a agi en tant que conseiller financier de Navitas et Bank of America a agi en tant que conseiller financier de GeneSiC. Groupe juridique du TCF, PLLC a agi en tant que conseiller juridique de Navitas et Gibson, Dunn & Crutcher LLP a agi en tant que conseiller juridique de GeneSiC.

Informations sur la conférence téléphonique et la diffusion Web

L'acquisition de GeneSiC sera discutée dans le cadre du Navitas Q2 2022 appel de gains:

Lorsque: Lundi, août 15^e, 2022

Temps: 2:00 après-midi. Pacifique / 5:00 après-midi. Est

Appel sans frais: (800) 715-9871 ou (646) 307-1963

ID de conférence: 6867001

Webdiffusion en direct: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Rejouer: Une rediffusion de l'appel sera accessible à partir de la section Relations avec les investisseurs du site Web de la Société à l'adresse https://ir.navitassemi.com/.

Mise en garde concernant les énoncés prospectifs

Ce communiqué de presse contient des "déclarations prospectives" au sens de l'article 21E de la Securities Exchange Act of 1934, tel que modifié. Les déclarations prospectives peuvent être identifiées par l'utilisation de mots tels que "nous prévoyons" ou "devront être," "estimation," "planifier," "projet," "prévoir," "intention," "anticiper," "croire," "chercher," ou d'autres expressions similaires qui prédisent ou indiquent des événements ou des tendances futurs ou qui ne sont pas des déclarations de questions historiques. Ces déclarations prospectives comprennent, mais ne sont pas limités à, déclarations concernant les estimations et les prévisions d'autres mesures financières et de performance et les projections d'opportunités de marché et de parts de marché. Ces déclarations sont basées sur diverses hypothèses, identifiés ou non dans ce communiqué de presse. Ces déclarations sont également basées sur les attentes actuelles de la direction de Navitas et ne sont pas des prédictions des performances réelles. Ces déclarations prospectives sont fournies à titre indicatif uniquement et ne sont pas destinées à servir de, et ne doit pas être invoqué par un investisseur comme, une garantie, une garantie, une prédiction ou un énoncé définitif de fait ou de probabilité. Les événements et circonstances réels sont difficiles ou impossibles à prévoir et différeront des hypothèses et des attentes. De nombreux événements et circonstances réels qui affectent les performances échappent au contrôle de Navitas. Les déclarations prospectives sont soumises à un certain nombre de risques et d'incertitudes, y compris la possibilité que la croissance attendue des activités de Navitas et de GeneSiC ne se réalise pas, ou ne sera pas réalisé dans les délais prévus, à cause de, entre autres, l'échec de l'intégration réussie de GeneSiC dans les systèmes commerciaux et opérationnels de Navitas; l'effet de l'acquisition sur les relations avec les clients et les fournisseurs ou l'incapacité de conserver et d'étendre ces relations; le succès ou l'échec d'autres efforts de développement commercial; Situation financière et résultats d'exploitation de Navitas; Capacité de Navitas à prédire avec précision les revenus futurs dans le but de budgétiser et d'ajuster de manière appropriée les dépenses de Navitas; Capacité de Navitas à diversifier sa clientèle et à développer des relations sur de nouveaux marchés; Capacité de Navitas à faire évoluer sa technologie vers de nouveaux marchés et applications; les effets de la concurrence sur les activités de Navitas, y compris les actions de concurrents ayant une présence établie et des ressources sur les marchés que nous espérons pénétrer, y compris les marchés du carbure de silicium; le niveau de la demande sur les marchés finaux des clients de Navitas et de GeneSiC, tant de manière générale qu'en ce qui concerne les générations successives de produits ou de technologies; Capacité d'attraction de Navitas, former et retenir le personnel clé qualifié; changements dans les politiques commerciales du gouvernement, y compris l'imposition de tarifs; l'impact de la pandémie de COVID-19 sur les activités de Navitas, résultats d'exploitation et situation financière; l'impact de la pandémie de COVID-19 sur l'économie mondiale, y compris, mais sans s'y limiter, la chaîne d'approvisionnement de Navitas et les chaînes d'approvisionnement des clients et des fournisseurs; évolutions réglementaires aux États-Unis et dans les pays étrangers; et la capacité de Navitas à protéger ses droits de propriété intellectuelle. Ces facteurs de risque et d'autres sont abordés dans le Rubrique Facteurs de risque à partir de p. 11 de nôtre rapport annuel sur formulaire 10-K pour l'exercice terminé en décembre 31, 2021, que nous avons déposé auprès de la Securities and Exchange Commission (la seconde") en mars 31, 2022 et tel que modifié par la suite, et dans d'autres documents que nous déposons auprès de la SEC, y compris nos rapports trimestriels sur formulaire 10-Q. Si l'un de ces risques se concrétise ou si nos hypothèses s'avèrent incorrectes, les résultats réels pourraient différer sensiblement des résultats sous-entendus par ces déclarations prospectives. Il peut y avoir des risques supplémentaires dont Navitas n'a pas connaissance ou que Navitas considère actuellement comme étant non significatifs, qui pourraient également entraîner une différence significative entre les résultats réels et ceux contenus dans les déclarations prospectives.. en plus, les déclarations prospectives reflètent les attentes de Navitas, plans ou prévisions d'événements futurs et vues à la date de ce communiqué de presse. Navitas prévoit que les événements et développements ultérieurs entraîneront une modification des évaluations de Navitas. toutefois, tandis que Navitas peut choisir de mettre à jour ces déclarations prospectives à un moment donné dans le futur, Navitas décline expressément toute obligation de le faire. Ces déclarations prospectives ne doivent pas être considérées comme représentant les évaluations de Navitas à toute date postérieure à la date de ce communiqué de presse..

À propos de Navitas

Énergie des semi-conducteurs (Nasdaq: NVTS) est le leader de l'industrie du nitrure de gallium (GaN) CI de puissance, fondé en 2014. Les circuits intégrés de puissance GaNFast™ intègrent la puissance GaN avec le lecteur, contrôler, détection et protection pour permettre une charge plus rapide, une densité de puissance plus élevée et de plus grandes économies d'énergie pour le mobile, consommateur, centre de données, Marchés des véhicules électriques et solaires. Plus de 165 Les brevets Navitas sont délivrés ou en attente. Plus de 50 millions d'unités ont été expédiées sans aucune défaillance de champ de GaN signalée, et Navitas a introduit la première et la seule garantie de 20 ans de l'industrie. Navitas est la première société de semi-conducteurs au monde à être CarbonNeutral®-agréé.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

Semi-conducteur GeneSiC est un pionnier et un leader mondial du carbure de silicium (SiC) La technologie. Les principaux fabricants mondiaux dépendent de la technologie de GeneSiC pour améliorer les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économiquement et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. GeneSiC détient des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite, un marché qui devrait atteindre plus de $5 milliards par 2025. Nos points forts du design, le processus et la technologie ajoutent plus de valeur au produit final de nos clients, avec des mesures de performance et de coût établissant de nouvelles normes dans l'industrie du carbure de silicium.

Informations de contact

Médias

Graham Robertson, CMO Grands Ponts

Graham@GrandBridges.com

Investisseurs

Stéphane Olivier, VP Marketing d'entreprise & Relations avec les investisseurs

ir@navitassemi.com

Énergie des semi-conducteurs, GaNFast, GaNSense et le logo Navitas sont des marques ou des marques déposées de Navitas Semiconductor Limited. Toutes les autres marques, les noms de produits et les marques sont ou peuvent être des marques commerciales ou des marques déposées utilisées pour identifier les produits ou services de leurs propriétaires respectifs.

Entretiens sur la conception de systèmes électriques GeneSiC

Nuremberg, Allemagne mai 12, 2016 — Le président de GeneSiC Semiconductor a été interviewé par Alix Paultre de Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) au salon PCIM de Nuremberg, Allemagne.

Combinaison transistor-diode SiC co-emballée dans un boîtier robuste, isolé, 4-plombé, l'emballage mini-module réduit les pertes d'énergie à la mise sous tension et permet des conceptions de circuits flexibles pour les convertisseurs de puissance haute fréquence

DULLES, Virginie, Peut 13, 2015 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate de 20 mOhm-1200 V SiC jonction transistor-diodes dans un isolé, 4-Emballage mini-module au plomb qui permet des pertes d'énergie de mise en marche extrêmement faibles tout en offrant une flexibilité, conceptions modulaires dans les convertisseurs de puissance à haute fréquence. L'utilisation de la haute fréquence, Les transistors et redresseurs SiC à haute tension et à faible résistance à l'état passant réduiront la taille/le poids/le volume des applications électroniques nécessitant une gestion de puissance plus élevée à des fréquences de fonctionnement élevées. Ces appareils sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris les appareils de chauffage à induction, générateurs de plasma, chargeurs rapides, Convertisseurs DC-DC, et alimentations à découpage.

1200 Redresseur à transistor à jonction en carbure de silicium V/20 mOhm-Co-conditionné dans un boîtier SOT-227 isolé offrant une capacité de source de porte et de puits séparée

Transistors de jonction SiC co-packagés (SJT)-Les redresseurs SiC proposés par GeneSiC sont uniquement applicables aux applications de commutation inductive, car les SJT sont les seuls commutateurs à large bande interdite >10 capacité de court-circuit répétitif microsec, même à 80% des tensions nominales (par exemple. 960 V pour un 1200 V appareil). En plus des temps de montée/descente inférieurs à 10 ns et d'une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA), le terminal Gate Return dans la nouvelle configuration améliore considérablement la capacité de réduire les énergies de commutation. Cette nouvelle classe de produits offre des pertes d'énergie transitoires et des temps de commutation indépendants de la température de jonction. Les transistors de jonction SiC de GeneSiC sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être entraînés à de faibles tensions de grille, contrairement aux autres commutateurs SiC.
Les redresseurs SiC Schottky utilisés dans ces mini-modules présentent de faibles chutes de tension à l'état passant, bonnes valeurs nominales de courant de surtension et courants de fuite les plus faibles de l'industrie à des températures élevées. Avec température indépendante, caractéristiques de commutation de récupération inverse proches de zéro, Les redresseurs SiC Schottky sont des candidats idéaux pour une utilisation dans des circuits à haut rendement.
“Les produits SiC Transistor et Rectifier de GeneSiC sont conçus et fabriqués pour réaliser de faibles pertes à l'état passant et de commutation. Une combinaison de ces technologies dans un package innovant promet des performances exemplaires dans les circuits d'alimentation exigeant des dispositifs à large bande interdite. L'emballage du mini-module offre une grande flexibilité de conception pour une utilisation dans une variété de circuits d'alimentation comme H-Bridge, Onduleurs Flyback et multi-niveaux” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.
Le produit sorti aujourd'hui comprend
20 Transistor/Redresseur à jonction SiC mOhm/1200 V (GA50SICP12-227):
• Ensemble SOT-227/mini-bloc/Isotop isolé
• Gain de courant de transistor (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limité par l'emballage)
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <10 nanosecondes typique.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès de GeneSiC Distributeurs autorisés.

Pour plus d'informations, veuillez visiter: https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-modules-copack/

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des modules à diodes silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier en fond de trou, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Haute température (>210^OC) Les transistors et redresseurs de jonction dans des boîtiers métalliques de petit facteur de forme offrent des avantages de performances révolutionnaires pour une variété d'applications, y compris l'amplification, circuits à faible bruit et commandes d'actionneur de fond de trou

DULLES, Virginie, Mars 9, 2015 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate d'une gamme de, Transistors à jonction SiC haute température ainsi qu'une ligne de redresseurs dans des boîtiers métalliques TO-46. Ces composants discrets sont conçus et fabriqués pour fonctionner à des températures ambiantes supérieures à 215^OC. L'utilisation de haute température, Les transistors et redresseurs SiC à haute tension et à faible résistance à l'état passant réduiront la taille/le poids/le volume des applications électroniques nécessitant une gestion de puissance plus élevée à des températures élevées. Ces dispositifs sont destinés à être utilisés dans une grande variété d'applications, y compris une grande variété de circuits de fond de puits, instrumentation géothermique, actionnement du solénoïde, amplification à usage général, et alimentations à découpage.

Transistors à jonction SiC haute température (SJT) offert par GeneSiC présente des temps de montée/descente inférieurs à 10 nsec permettant >10 Commutation MHz ainsi qu'une zone de fonctionnement sûre à polarisation inverse carrée (RBSOA). Les pertes d'énergie transitoires et les temps de commutation sont indépendants de la température de jonction. Ces commutateurs sont sans oxyde de grille, normalement éteint, présenter un coefficient de température positif de résistance à l'état passant, et sont capables d'être entraînés par 0/+5 Pilotes de porte V TTL, contrairement aux autres commutateurs SiC. Les avantages uniques du SJT par rapport aux autres commutateurs SiC sont sa fiabilité à long terme plus élevée, >20 capacité de court-circuit usec, et une capacité d'avalanche supérieure. Ces appareils peuvent être utilisés comme amplificateurs efficaces car ils promettent une linéarité bien plus élevée que tout autre commutateur SiC.

Les redresseurs SiC Schottky à haute température proposés par GeneSiC présentent de faibles chutes de tension à l'état passant, et les courants de fuite les plus bas de l'industrie à des températures élevées. Avec température indépendante, caractéristiques de commutation de récupération inverse proches de zéro, Les redresseurs SiC Schottky sont des candidats idéaux pour une utilisation à haut rendement, circuits haute température. Les emballages de boîtes métalliques TO-46 ainsi que les processus d'emballage associés utilisés pour créer ces produits permettent une utilisation à long terme où une fiabilité élevée est critique.

“Les produits Transistor et Rectifier de GeneSiC sont conçus et fabriqués à partir de zéro pour permettre un fonctionnement à haute température. Ces SJT compacts TO-46 offrent des gains de courant élevés (>110), 0/+5 Contrôle TTL, et des performances robustes. Ces appareils offrent de faibles pertes de conduction et une linéarité élevée. Nous concevons notre gamme de redresseurs « SHT », offrir de faibles courants de fuite à haute température. Ces produits emballés dans des boîtes métalliques complètent nos produits TO-257 et CMS métalliques lancés l'année dernière pour offrir un petit facteur de forme, solutions résistantes aux vibrations” dit le docteur. Ranbir Singh, Président de GeneSiC Semiconductor.

Les produits lancés aujourd'hui comprennent:

240 Transistors de jonction SiC mOhm:

• 300 V tension de blocage. Numéro d'article GA05JT03-46
• 100 V tension de blocage. Numéro d'article GA05JT01-46
• Gain actuel (h_EF) >110
• T_jmax = 210^OC
• Allumer / éteindre; Temps de montée/descente <10 nanosecondes typique.

Jusqu'à 4 Diodes Schottky Ampère Haute Température:

• 600 V tension de blocage. Numéro d'article GB02SHT06-46
• 300 V tension de blocage. Numéro d'article GB02SHT03-46
• 100 V tension de blocage. Numéro d'article GB02SHT01-46
• Charge capacitive totale 9 NC
• T_jmax = 210^OC.

Tous les appareils sont 100% testé à pleine tension/courant nominal et logé dans des boîtiers métalliques TO-46. Les appareils sont immédiatement disponibles auprès des distributeurs agréés GeneSiC.

À propos de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. est un innovateur de premier plan dans le domaine des hautes températures, carbure de silicium haute puissance et ultra haute tension (SiC) dispositifs, et fournisseur mondial d'une large gamme de semi-conducteurs de puissance. Son portefeuille d'appareils comprend un redresseur à base de SiC, transistor, et produits thyristor, ainsi que des modules à diodes silicium. GeneSiC a développé une propriété intellectuelle étendue et des connaissances techniques qui englobent les dernières avancées en matière de dispositifs d'alimentation SiC, avec des produits orientés vers les énergies alternatives, automobile, forage pétrolier en fond de trou, contrôle moteur, source de courant, transport, et applications d'alimentation sans coupure. Dans 2011, l'entreprise a remporté le prestigieux R&Prix ​​D100 pour la commercialisation de thyristors SiC à ultra-haute tension.

Pour plus d'informations, veuillez visiter https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; et https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

La carte de commande de grille optimisée pour des vitesses de commutation élevées et des modèles basés sur le comportement permettent aux ingénieurs de conception en électronique de puissance de vérifier et de quantifier les avantages des SJT dans l'évaluation au niveau de la carte et la simulation de circuits

DULLES, VIRGINIE., Nov 19, 2014 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate de la carte d'évaluation Gate Driver et a étendu sa prise en charge de la conception pour les commutateurs aux pertes les plus faibles de l'industrie - le transistor de jonction SiC (SJT) – avec un modèle LTSPICE IV entièrement qualifié. Utilisation de la nouvelle carte Gate Driver, les concepteurs de circuits de conversion de puissance peuvent vérifier les avantages de moins de 15 nanosecondes, caractéristiques de commutation indépendantes de la température des transistors à jonction SiC, avec de faibles pertes de puissance du conducteur. Intégration des nouveaux modèles SPICE, les concepteurs de circuits peuvent facilement évaluer les avantages que les SJT de GeneSiC offrent pour atteindre un niveau d'efficacité plus élevé que ce qui est possible avec des dispositifs de commutation de puissance au silicium conventionnels pour des dispositifs de classe comparable.

Carte de pilote de porte GA03IDDJT30-FR4 applicable aux SJT de GeneSiC

Les transistors à jonction SiC ont des caractéristiques très différentes de celles des autres technologies de transistors SiC, ainsi que des transistors au silicium. Des cartes de commande de grille pouvant fournir de faibles pertes de puissance tout en offrant des vitesses de commutation élevées étaient nécessaires pour fournir des solutions d'entraînement permettant d'utiliser les avantages des transistors à jonction SiC. GeneSiC est entièrement isolé GA03IDDJT30-FR4 La carte de commande de porte prend en charge 0/12 V et un signal TTL pour conditionner de manière optimale les formes d'onde de tension/courant requises pour fournir de petits temps de montée/descente, tout en minimisant l'exigence de courant continu pour maintenir le SJT normalement éteint conducteur pendant l'état activé. La configuration des broches et les facteurs de forme sont similaires à ceux des autres transistors SiC. GeneSiC a également publié des fichiers Gerber et des nomenclatures aux utilisateurs finaux pour leur permettre d'intégrer les avantages des innovations de conception de pilotes réalisées.

Les SJT offrent des caractéristiques d'état passant et de commutation qui se comportent bien, facilitant la création de modèles SPICE basés sur le comportement qui s'accordent remarquablement bien avec les modèles physiques sous-jacents. Utiliser des modèles basés sur la physique bien établis et compris, Les paramètres SPICE ont été publiés après des tests approfondis avec le comportement de l'appareil. Les modèles SPICE de GeneSiC sont comparés aux données mesurées expérimentalement sur toutes les fiches techniques de l'appareil et sont applicables à tous 1200 V et 1700 Sortie des transistors à jonction V SiC.
Les SJT de GeneSiC sont capables de fournir des fréquences de commutation supérieures à 15 fois plus élevé que les solutions à base d'IGBT. Leurs fréquences de commutation plus élevées peuvent permettre des éléments magnétiques et capacitifs plus petits, réduisant ainsi la taille globale, poids et coût des systèmes électroniques de puissance.

Ce modèle SPICE de transistor à jonction SiC s'ajoute à la suite complète d'outils d'aide à la conception de GeneSiC, documentation technique, et des informations sur la fiabilité pour fournir aux ingénieurs en électronique de puissance les ressources de conception nécessaires pour mettre en œuvre la gamme complète de transistors et de redresseurs à jonction SiC de GeneSiC dans la prochaine génération de systèmes d'alimentation.

Les fiches techniques Gate Driver Board de GeneSiC et les modèles SJT SPICE peuvent être téléchargés à partir de https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/