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Énergie des semi-conducteurs, Leader de l'industrie des circuits intégrés de puissance en nitrure de gallium, annonce l'acquisition de GeneSiC Semiconductor, Pionnier du carbure de silicium

 

Le deuxième, CALIFORNIE., 15 août, 2022 - Énergie des semi-conducteurs (Nasdaq: NVTS), le leader de l'industrie du nitrure de gallium (GaN) CI de puissance, a annoncé aujourd'hui l'acquisition de GeneSiC Semiconductor, un carbure de silicium (SiC) pionnier avec une expertise approfondie dans la conception et le processus de dispositifs de puissance SiC. La transaction est immédiatement relutive pour Navitas car GeneSiC est très rentable, avec plus de 25% Marges d'EBITDA. Calendrier 2022 les revenus devraient être d'environ $25 millions avec des taux de croissance annuels démontrés de plus de 60%. La société combinée crée une gamme complète, portefeuille de technologies de pointe dans les semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération - à la fois GaN et SiC - avec une opportunité de marché globale estimée à plus de $20 milliards par an par 2026.

"GeneSiC est un partenaire idéal pour Navitas avec sa concentration et son succès dans le développement de la technologie SiC de pointe,” a déclaré Gene Sheridan, PDG et co-fondateur de Navitas. « Navitas a des investissements importants dans les ventes mondiales, équipes d'exploitation et de support technique, ainsi que des centres de conception de systèmes dans les véhicules électriques et les centres de données. Ces capacités sont un complément parfait à GeneSiC et accéléreront encore leur croissance à la fois auprès de nouveaux clients et marchés synergiques.. Aujourd'hui, nous avons franchi une étape majeure dans la mission de notre entreprise d'« électrifier notre monde ™ » et de conduire la transition de notre planète des combustibles fossiles vers des énergies propres, efficace, énergie électrique."

« La technologie brevetée de GeneSiC, technologie avancée et innovante, équipe expérimentée sont des facteurs critiques dans la croissance de notre entreprise. Nos MOSFET SiC offrent les performances les plus élevées du secteur, fiabilité, et robustesse - paramètres essentiels à l'adoption généralisée des véhicules électriques et des infrastructures associées,” a déclaré le président de GeneSiC, le Dr. Ranbir Singh. "Avec presque 20 ans de R de pointe&ré, plates-formes éprouvées, plus de 500 clientèle diversifiée, et croissance des revenus et de la rentabilité, nous pouvons tirer parti de l'expertise de Navitas en matière de production de masse et de sa stratégie de mise sur le marché pour accélérer les revenus du SiC. Nous sommes ravis de ce nouveau partenariat. »

Docteur. Singh rejoint Navitas en tant que vice-président exécutif pour l'activité GeneSiC et Navitas prévoit de conserver tous les membres de l'équipe GeneSiC.

Dans les semi-conducteurs de puissance, GaN et SiC sont tous deux des matériaux supérieurs au silicium traditionnel, permettant des vitesses plus élevées, plus d'économies d'énergie, chargement plus rapide, et taille considérablement réduite, poids, et le coût. Ensemble, ces complémentaires, les matériaux de nouvelle génération répondent à un large éventail d'applications allant des chargeurs de smartphone 20W, aux chargeurs EV 20kW, aux systèmes d'infrastructure de réseau de 20 MW et tout le reste. Avec plus de 500 clients, l'acquisition de GeneSiC offre des marchés et des clients diversifiés et synergiques, et accélère les revenus de Navitas dans les, applications de puissance supérieure:

  • Véhicule électrique: Les CI Navitas GaN sont optimisés pour les systèmes EV 400V, et la technologie GeneSiC est idéale pour les systèmes EV 800V, avec des clients existants de revenus et de développement qui incluent BYD - le monde #1 Fournisseur de VE, Land Rover, Mercedes-AMG, Geely, brillant, LG Magna, Saab, et Innovation, avec des dizaines d'autres.
  • Solaire & Stockage d'Energie: Les CI GaN de Navitas servent le solaire résidentiel, tandis que GeneSiC a des revenus immédiats dans une puissance plus élevée, clients commerciaux solaires et de stockage d'énergie, y compris APS, Énergie avancée, Chint, Sungrow, Croissance, CATL, Exide et bien d'autres.
  • Marchés industriels élargis: Les produits haute tension GeneSiC génèrent des revenus immédiats dans un large éventail de marchés industriels supplémentaires, notamment le rail, UPS, vent, puissance du réseau, moteurs industriels, et imagerie médicale.

détails de la transaction

L'acquisition de GeneSiC devrait être immédiatement relutive pour le bénéfice par action de Navitas. La contrepartie totale se composait d'environ $100 millions en espèces, 24.9 millions d'actions Navitas et d'éventuels compléments de prix pouvant aller jusqu'à $25 millions d'euros sous réserve de la réalisation d'objectifs de revenus substantiels pour l'activité GeneSiC au cours des quatre trimestres fiscaux se terminant en septembre 30, 2023. Plus d'informations sur GeneSiC sont disponibles sur ir.navitassemi.com.

Conseillers

Jefferies LLC a agi en tant que conseiller financier de Navitas et Bank of America a agi en tant que conseiller financier de GeneSiC. Groupe juridique du TCF, PLLC a agi en tant que conseiller juridique de Navitas et Gibson, Dunn & Crutcher LLP a agi en tant que conseiller juridique de GeneSiC.

Informations sur la conférence téléphonique et la diffusion Web

L'acquisition de GeneSiC sera discutée dans le cadre du Navitas Q2 2022 appel de gains:

Lorsque: Lundi, août 15e, 2022

Temps: 2:00 après-midi. Pacifique / 5:00 après-midi. Est

Appel sans frais: (800) 715-9871 ou (646) 307-1963

ID de conférence: 6867001

Webdiffusion en direct: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Rejouer: Une rediffusion de l'appel sera accessible à partir de la section Relations avec les investisseurs du site Web de la Société à l'adresse https://ir.navitassemi.com/.

Mise en garde concernant les énoncés prospectifs

Ce communiqué de presse contient des "déclarations prospectives" au sens de l'article 21E de la Securities Exchange Act of 1934, tel que modifié. Les déclarations prospectives peuvent être identifiées par l'utilisation de mots tels que "nous prévoyons" ou "devront être," "estimation," "planifier," "projet," "prévoir," "intention," "anticiper," "croire," "chercher," ou d'autres expressions similaires qui prédisent ou indiquent des événements ou des tendances futurs ou qui ne sont pas des déclarations de questions historiques. Ces déclarations prospectives comprennent, mais ne sont pas limités à, déclarations concernant les estimations et les prévisions d'autres mesures financières et de performance et les projections d'opportunités de marché et de parts de marché. Ces déclarations sont basées sur diverses hypothèses, identifiés ou non dans ce communiqué de presse. Ces déclarations sont également basées sur les attentes actuelles de la direction de Navitas et ne sont pas des prédictions des performances réelles. Ces déclarations prospectives sont fournies à titre indicatif uniquement et ne sont pas destinées à servir de, et ne doit pas être invoqué par un investisseur comme, une garantie, une garantie, une prédiction ou un énoncé définitif de fait ou de probabilité. Les événements et circonstances réels sont difficiles ou impossibles à prévoir et différeront des hypothèses et des attentes. De nombreux événements et circonstances réels qui affectent les performances échappent au contrôle de Navitas. Les déclarations prospectives sont soumises à un certain nombre de risques et d'incertitudes, y compris la possibilité que la croissance attendue des activités de Navitas et de GeneSiC ne se réalise pas, ou ne sera pas réalisé dans les délais prévus, à cause de, entre autres, l'échec de l'intégration réussie de GeneSiC dans les systèmes commerciaux et opérationnels de Navitas; l'effet de l'acquisition sur les relations avec les clients et les fournisseurs ou l'incapacité de conserver et d'étendre ces relations; le succès ou l'échec d'autres efforts de développement commercial; Situation financière et résultats d'exploitation de Navitas; Capacité de Navitas à prédire avec précision les revenus futurs dans le but de budgétiser et d'ajuster de manière appropriée les dépenses de Navitas; Capacité de Navitas à diversifier sa clientèle et à développer des relations sur de nouveaux marchés; Capacité de Navitas à faire évoluer sa technologie vers de nouveaux marchés et applications; les effets de la concurrence sur les activités de Navitas, y compris les actions de concurrents ayant une présence établie et des ressources sur les marchés que nous espérons pénétrer, y compris les marchés du carbure de silicium; le niveau de la demande sur les marchés finaux des clients de Navitas et de GeneSiC, tant de manière générale qu'en ce qui concerne les générations successives de produits ou de technologies; Capacité d'attraction de Navitas, former et retenir le personnel clé qualifié; changements dans les politiques commerciales du gouvernement, y compris l'imposition de tarifs; l'impact de la pandémie de COVID-19 sur les activités de Navitas, résultats d'exploitation et situation financière; l'impact de la pandémie de COVID-19 sur l'économie mondiale, y compris, mais sans s'y limiter, la chaîne d'approvisionnement de Navitas et les chaînes d'approvisionnement des clients et des fournisseurs; évolutions réglementaires aux États-Unis et dans les pays étrangers; et la capacité de Navitas à protéger ses droits de propriété intellectuelle. Ces facteurs de risque et d'autres sont abordés dans le Rubrique Facteurs de risque à partir de p. 11 de nôtre rapport annuel sur formulaire 10-K pour l'exercice terminé en décembre 31, 2021, que nous avons déposé auprès de la Securities and Exchange Commission (la seconde") en mars 31, 2022 et tel que modifié par la suite, et dans d'autres documents que nous déposons auprès de la SEC, y compris nos rapports trimestriels sur formulaire 10-Q. Si l'un de ces risques se concrétise ou si nos hypothèses s'avèrent incorrectes, les résultats réels pourraient différer sensiblement des résultats sous-entendus par ces déclarations prospectives. Il peut y avoir des risques supplémentaires dont Navitas n'a pas connaissance ou que Navitas considère actuellement comme étant non significatifs, qui pourraient également entraîner une différence significative entre les résultats réels et ceux contenus dans les déclarations prospectives.. en plus, les déclarations prospectives reflètent les attentes de Navitas, plans ou prévisions d'événements futurs et vues à la date de ce communiqué de presse. Navitas prévoit que les événements et développements ultérieurs entraîneront une modification des évaluations de Navitas. toutefois, tandis que Navitas peut choisir de mettre à jour ces déclarations prospectives à un moment donné dans le futur, Navitas décline expressément toute obligation de le faire. Ces déclarations prospectives ne doivent pas être considérées comme représentant les évaluations de Navitas à toute date postérieure à la date de ce communiqué de presse..

À propos de Navitas

Énergie des semi-conducteurs (Nasdaq: NVTS) est le leader de l'industrie du nitrure de gallium (GaN) CI de puissance, fondé en 2014. Les circuits intégrés de puissance GaNFast™ intègrent la puissance GaN avec le lecteur, contrôler, détection et protection pour permettre une charge plus rapide, une densité de puissance plus élevée et de plus grandes économies d'énergie pour le mobile, consommateur, centre de données, Marchés des véhicules électriques et solaires. Plus de 165 Les brevets Navitas sont délivrés ou en attente. Plus de 50 millions d'unités ont été expédiées sans aucune défaillance de champ de GaN signalée, et Navitas a introduit la première et la seule garantie de 20 ans de l'industrie. Navitas est la première société de semi-conducteurs au monde à être CarbonNeutral®-agréé.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

Semi-conducteur GeneSiC est un pionnier et un leader mondial du carbure de silicium (SiC) La technologie. Les principaux fabricants mondiaux dépendent de la technologie de GeneSiC pour améliorer les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économiquement et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. GeneSiC détient des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite, un marché qui devrait atteindre plus de $5 milliards par 2025. Nos points forts du design, le processus et la technologie ajoutent plus de valeur au produit final de nos clients, avec des mesures de performance et de coût établissant de nouvelles normes dans l'industrie du carbure de silicium.

Informations de contact

Médias

Graham Robertson, CMO Grands Ponts

Graham@GrandBridges.com

Investisseurs

Stéphane Olivier, VP Marketing d'entreprise & Relations avec les investisseurs

ir@navitassemi.com

Énergie des semi-conducteurs, GaNFast, GaNSense et le logo Navitas sont des marques ou des marques déposées de Navitas Semiconductor Limited. Toutes les autres marques, les noms de produits et les marques sont ou peuvent être des marques commerciales ou des marques déposées utilisées pour identifier les produits ou services de leurs propriétaires respectifs.

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Les MOSFET SiC G3R™ 750V offrent des performances et une fiabilité inégalées

750MOSFET SiC V G3R

DULLES, Virginie, juin 04, 2021 — Les MOSFET 750V G3R™SiC de nouvelle génération de GeneSiC offriront des niveaux de performances sans précédent, robustesse et qualité qui surpassent ses homologues. Les avantages du système incluent de faibles chutes d'état aux températures de fonctionnement, vitesses de commutation plus rapides, augmentation de la densité de puissance, sonnerie minimale (faible EMI) et taille de système compacte. G3R™ de GeneSiC, offert dans des boîtiers discrets optimisés à faible inductance (SMD et trou traversant), sont optimisés pour fonctionner avec les pertes de puissance les plus faibles dans toutes les conditions de fonctionnement et des vitesses de commutation ultra-rapides. Ces dispositifs ont des niveaux de performances nettement supérieurs à ceux des MOSFET SiC contemporains.

750MOSFET SiC V G3R

« L'utilisation de l'énergie à haut rendement est devenue un livrable essentiel dans les convertisseurs de puissance de nouvelle génération et les dispositifs d'alimentation SiC continuent d'être les composants clés de cette révolution.. Après des années de travail de développement pour atteindre la plus faible résistance à l'état passant et des performances robustes en court-circuit et en avalanche, nous sommes ravis de lancer les MOSFET SiC 750 V les plus performants de l'industrie. Notre G3R™ permet aux concepteurs d'électronique de puissance de répondre aux défis d'efficacité, objectifs de densité de puissance et de qualité dans des applications telles que les onduleurs solaires, Chargeurs embarqués EV et alimentations serveur/télécom. Une qualité assurée, soutenu par des délais d'exécution rapides et une fabrication à haut volume qualifiée pour l'automobile améliore encore leur proposition de valeur. ” dit le docteur. Ranbir Singh, Président chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

  • La charge de porte la plus basse de l'industrie (Qg) et résistance de grille interne (RG(INT))
  • R le plus basDS(SUR) changer avec la température
  • Faible capacité de sortie (Cnous) et capacité de miller (CDG)
  • 100% avalanche (UIL) testé en production
  • Capacité de résistance aux courts-circuits de pointe
  • Diode de corps rapide et fiable avec un faible VF et Q faibleRR
  • Tension de seuil de porte élevée et stable (VE) dans toutes les conditions de température et de polarisation de drain
  • Technologie d'emballage avancée pour une résistance thermique et une sonnerie plus faibles
  • Uniformité de fabrication de RDS(SUR), VE et tension de claquage (BV)
  • Portefeuille de produits complet et chaîne d'approvisionnement plus sûre avec une fabrication à haut volume qualifiée pour l'automobile

Applications –

  • Solaire (PV) Onduleurs
  • VE / Chargeurs embarqués HEV
  • Serveur & Alimentations Télécom
  • Alimentations sans interruption (UPS)
  • Convertisseurs DC-DC
  • Alimentations à découpage (SMPS)
  • Stockage d'énergie et charge de batterie
  • Chauffage par induction

Tous les MOSFET SiC de GeneSiC Semiconductor sont destinés aux applications automobiles (AEC-q101) et compatible PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&commerce MOSFET SiC

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&commerce MOSFET SiC

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&commerce MOSFET SiC

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ ou contactez sales@genesicsemi.com

Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support

Electronique Digi-Key

Élément Newark Farnell14

Électronique Mouser

Arrow Electronics

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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5Diodes SiC Schottky MPS ™ 650 V de génération pour une efficacité inégalée

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLES, Virginie, Peut 28, 2021 — Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et fournisseur mondial de carbure de silicium (SiC) dispositifs semi-conducteurs de puissance, annonce la disponibilité de la 5ème génération (Série GE***) Les redresseurs SiC Schottky MPS™ qui établissent une nouvelle référence avec leur indice prix-performance supérieur, Résistance aux courants de surtension et aux avalanches à la pointe de l'industrie, et fabrication de haute qualité.

« GeneSiC a été l'un des premiers fabricants de SiC à fournir commercialement des redresseurs SiC Schottky dans 2011. Après plus d'une décennie de fourniture de redresseurs SiC hautes performances et de haute qualité dans l'industrie, nous sommes ravis de lancer notre 5ème génération de SiC Schottky MPS™ (Fusionné-PiN-Schottky) diodes qui offrent des performances de pointe dans tous les aspects pour atteindre les objectifs de haute efficacité et de densité de puissance dans des applications telles que les alimentations serveur/télécom et les chargeurs de batterie. La fonctionnalité révolutionnaire qui fait de notre 5e génération (Série GE***) Les diodes SiC Schottky MPS™ se distinguent par leur faible tension intégrée (également connu sous le nom de tension au genou);il permet les pertes de conduction de diode les plus faibles dans toutes les conditions de charge - crucial pour les applications exigeant une utilisation énergétique à haut rendement. Contrairement aux autres diodes SiC concurrentes également conçues pour offrir des caractéristiques à faible inclinaison, une caractéristique supplémentaire de nos conceptions de diodes Gen5 est qu'elles maintiennent toujours ce niveau élevé d'avalanche (UIL) robustesse que nos clients attendent du Gen3 de GeneSiC (Série GC***) et Gen4 (Série GD***) SiC Schottky MPS ™” dit le docteur. Siddharth Sundaresan, Vice-président de la technologie chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

  • Basse tension intégrée – Pertes de conduction les plus faibles pour toutes les conditions de charge
  • Figure de mérite supérieure – QC x VF
  • Performance de prix optimale
  • Capacité de courant de surtension améliorée
  • 100% avalanche (UIL) Testé
  • Faible résistance thermique pour un fonctionnement plus froid
  • Zero Forward et Reverse Recovery
  • Commutation rapide indépendante de la température
  • Coefficient de température positif de VF

Applications –

  • Diode Boost dans la correction du facteur de puissance (PFC)
  • Alimentations serveur et télécom
  • Onduleurs solaires
  • Alimentations sans interruption (UPS)
  • Chargeurs de batterie
  • Roue libre / Diode anti-parallèle dans les onduleurs

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

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Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ ou contactez sales@genesicsemi.com

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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Nouveaux MOSFET SiC de 3e génération de GeneSiC présentant la meilleure figure de mérite de l'industrie

DULLES, Virginie, Février 12, 2020 — MOSFET SiC 1200 V G3R ™ de nouvelle génération de GeneSiC Semiconductor avec RDS(SUR) niveaux allant de 20 mΩ à 350 mΩ offrent des niveaux de performances sans précédent, robustesse et qualité qui surpassent ses homologues. Les avantages du système incluent une efficacité accrue, fréquence de commutation plus rapide, augmentation de la densité de puissance, sonnerie réduite (EMI) et taille de système compacte.

GeneSiC annonce la disponibilité de ses MOSFET en carbure de silicium de 3e génération, leaders de l'industrie, dotés de performances de pointe, robustesse et qualité pour exploiter des niveaux d'efficacité et de fiabilité du système jamais vus auparavant dans les applications automobiles et industrielles.

Ces MOSFET G3R ™ SiC, offert dans des boîtiers discrets optimisés à faible inductance (SMD et trou traversant), sont hautement optimisés pour les conceptions de systèmes d'alimentation nécessitant des niveaux d'efficacité élevés et des vitesses de commutation ultra-rapides. Ces appareils ont des niveaux de performances nettement meilleurs par rapport aux produits concurrents. Une qualité assurée, soutenu par une fabrication rapide à grand volume améliore encore leur proposition de valeur.

«Après des années de développement, nous travaillons pour atteindre la plus faible résistance à l'état passant et des performances de court-circuit améliorées, nous sommes ravis de lancer les MOSFET SiC 1200 V les plus performants du secteur avec plus de 15+ produits discrets et à puces nues. Si les systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération doivent répondre au défi d'efficacité, densité de puissance et objectifs de qualité dans des applications comme l'automobile, industriel, énergie renouvelable, transport, IT et télécom, ils nécessitent alors des performances et une fiabilité de l'appareil considérablement améliorées par rapport aux MOSFET SiC actuellement disponibles” dit le docteur. Ranbir Singh, Président chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

  • Supérieur Qg x RDS(SUR) symbole de mérite – Les MOSFET G3R ™ SiC présentent la plus faible résistance à l'état passant de l'industrie avec une charge de grille très faible, résultant en 20% meilleure figure de mérite que tout autre appareil concurrent similaire
  • Faibles pertes de conduction à toutes les températures – Les MOSFET de GeneSiC présentent la plus faible dépendance à la température de la résistance à l'état passant pour offrir de très faibles pertes de conduction à toutes les températures; nettement mieux que tout autre MOSFET SiC tranchée et planaire du marché
  • 100 % testé en avalanche – Une capacité UIL robuste est une exigence critique pour la majorité des applications sur le terrain. Les MOSFET SiC 1200 V de GeneSiC discrets sont 100 % avalanche (UIL) testé en production
  • Faible charge de grille et faible résistance de grille interne – Ces paramètres sont essentiels pour réaliser une commutation ultra-rapide et atteindre les plus hauts rendements (faible Eon -Eoff) sur une large gamme de fréquences de commutation d'application
  • Fonctionnement stable normalement à l'arrêt jusqu'à 175 ° C – Tous les MOSFET SiC de GeneSiC sont conçus et fabriqués avec des processus de pointe pour fournir des produits stables et fiables dans toutes les conditions de fonctionnement sans aucun risque de dysfonctionnement. La qualité supérieure de l'oxyde de grille de ces appareils empêche tout seuil (VE) dérive
  • Capacités faibles de l'appareil – Les G3R ™ sont conçus pour conduire plus rapidement et plus efficacement grâce à leurs faibles capacités de l'appareil - Ciss, Coss et Crss
  • Diode de corps rapide et fiable avec une faible charge intrinsèque – Les MOSFET de GeneSiC présentent une faible charge de récupération inverse de référence (QRR) à toutes températures; 30% mieux que tout appareil concurrent de même qualité. Cela offre une réduction supplémentaire des pertes de puissance et augmente les fréquences de fonctionnement
  • Facilité d'utilisation – Les MOSFET G3R ™ SiC sont conçus pour être entraînés à + 15V / -5Entraînement de porte en V. Cela offre la plus large compatibilité avec les pilotes de porte IGBT et SiC MOSFET commerciaux existants

Applications –

  • Véhicule électrique – Groupe motopropulseur et recharge
  • Onduleur solaire et stockage d'énergie
  • Entraînement de moteur industriel
  • Alimentation sans interruption (UPS)
  • Alimentation à découpage (SMPS)
  • Convertisseurs DC-DC bidirectionnels
  • Smart Grid et HVDC
  • Chauffage et soudage par induction
  • Application de puissance pulsée

Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support

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Tous les MOSFET SiC de GeneSiC Semiconductor sont destinés aux applications automobiles (AEC-q101) et compatible PPAP. Tous les appareils sont proposés en D2PAK standard, Forfaits TO-247 et SOT-227.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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Les MOSFET SiC 3300V et 1700V 1000mΩ de GeneSiC révolutionnent la miniaturisation des alimentations auxiliaires

DULLES, Virginie, décembre 4, 2020 — GeneSiC annonce la disponibilité de MOSFET SiC discrets 3300 V et 1700 V, leaders de l'industrie, optimisés pour atteindre une miniaturisation inégalée, fiabilité et économies d'énergie dans le domaine de l'énergie domestique industrielle.

Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'un portefeuille complet de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance, annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate des MOSFET SiC 3300V et 1700V 1000mΩ de nouvelle génération - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, et G2R1000MT33J. Ces MOSFET SiC permettent des niveaux de performance supérieurs, basé sur les figures phares du mérite (FoM) qui améliorent et simplifient les systèmes d'alimentation tout au long du stockage d'énergie, énergie renouvelable, moteurs industriels, onduleurs universels et éclairage industriel. Les produits libérés sont:

G2R1000MT33J - MOSFET SiC 3300V 1000mΩ TO-263-7

G2R1000MT17D - MOSFET SiC TO-247-3 1700V 1000mΩ

G2R1000MT17J - MOSFET SiC 1700V 1000mΩ TO-263-7

G3R450MT17D - MOSFET SiC TO-247-3 1700V 450mΩ

G3R450MT17J - MOSFET SiC 1700V 450mΩ TO-263-7

Nouveaux MOSFET SiC 3300 V et 1700 V de GeneSiC, disponible en options 1000 mΩ et 450 mΩ sous forme de boîtiers discrets SMD et traversant, sont hautement optimisés pour les conceptions de systèmes d'alimentation nécessitant des niveaux d'efficacité élevés et des vitesses de commutation ultra-rapides. Ces appareils ont des niveaux de performances nettement meilleurs par rapport aux produits concurrents. Une qualité assurée, soutenus par une fabrication rapide à grand volume, améliorent encore leur proposition de valeur.

«Dans des applications telles que les onduleurs solaires 1500V, le MOSFET de l'alimentation auxiliaire peut avoir à résister à des tensions de l'ordre de 2500V, en fonction de la tension d'entrée, rapport de tours du transformateur et de la tension de sortie. Les MOSFET à tension de claquage élevée évitent le besoin de commutateurs connectés en série dans Flyback, Convertisseurs Boost et Forward réduisant ainsi le nombre de pièces et la complexité du circuit. Les MOSFET SiC discrets 3300 V et 1700 V de GeneSiC permettent aux concepteurs d’utiliser une topologie simple basée sur un commutateur unique tout en fournissant aux clients des, système compact et économique” dit Sumit Jadav, Senior Applications Manager chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques –

  • Indice prix-performance supérieur
  • Produit phare Qg x RDS(SUR) symbole de mérite
  • Faible capacité intrinsèque et faible charge de grille
  • Faibles pertes à toutes les températures
  • Robustesse élevée contre les avalanches et les courts-circuits
  • Tension de seuil de référence pour un fonctionnement stable normalement éteint jusqu'à 175 ° C

Applications –

  • Énergie renouvelable (onduleurs solaires) et stockage d'énergie
  • Moteurs industriels (et lien)
  • Onduleurs à usage général
  • Éclairage industriel
  • Pilotes piézo
  • Générateurs de faisceaux ioniques

Tous les appareils sont disponibles à l'achat auprès de distributeurs agréés – www.genesicsemi.com/sales-support

Pour la fiche technique et d'autres ressources, visite – www.genesicsemi.com/sic-mosfet ou contactez sales@genesicsemi.com

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC, leaders du secteur – l'avant-garde d'une nouvelle vague d'applications

6.5MOSFET kV SiC

DULLES, Virginie, Octobre 20, 2020 — GeneSiC lance des MOSFET en carbure de silicium de 6,5 kV pour être à l'avant-garde en offrant des niveaux de performances sans précédent, efficacité et fiabilité dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension telles que la traction, énergie pulsée et infrastructure de réseau intelligent.

Semi-conducteur GeneSiC, un pionnier et un fournisseur mondial d'une large gamme de carbure de silicium (SiC) semi-conducteurs de puissance, annonce aujourd'hui la disponibilité immédiate des puces nues 6,5kV SiC MOSFET - G2R300MT65-CAL et G2R325MS65-CAL. Des modules SiC complets utilisant cette technologie seront bientôt disponibles. Les applications devraient inclure la traction, puissance pulsée, infrastructure de réseau intelligent et autres convertisseurs d'énergie moyenne tension.

G2R300MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 300mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ 6,5 kV 325 mΩ (avec Integrated-Schottky) Puce nue

G2R100MT65-CAL - Puce nue MOSFET SiC G2R ™ 6,5kV 100mΩ

L'innovation de GeneSiC comprend un semi-conducteur à oxyde métallique à double implantation SiC (DMOSFET) structure de l'appareil avec une barrière de jonction schottky (JBS) redresseur intégré dans la cellule unitaire SiC DMOSFET. Ce dispositif d'alimentation de pointe peut être utilisé dans une variété de circuits de conversion de puissance dans la prochaine génération de systèmes de conversion de puissance. D'autres avantages importants incluent des performances bidirectionnelles plus efficaces, commutation indépendante de la température, faibles pertes de commutation et de conduction, besoins de refroidissement réduits, fiabilité à long terme supérieure, facilité de mise en parallèle des appareils et avantages en termes de coûts. La technologie de GeneSiC offre des performances supérieures et a également le potentiel de réduire l'empreinte nette du matériau SiC dans les convertisseurs de puissance.

“Les MOSFET SiC 6,5 kV de GeneSiC sont conçus et fabriqués sur des tranches de 6 pouces pour obtenir une faible résistance à l'état passant, la plus haute qualité, et un indice qualité-prix supérieur. Cette technologie MOSFET de nouvelle génération promet des performances exemplaires, robustesse supérieure et fiabilité à long terme dans les applications de conversion d'énergie moyenne tension.” m'a dit Docteur. Siddharth Sundaresan, Vice-président de la technologie chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques de la technologie MOSFET 6,5 kV G2R ™ SiC de GeneSiC –

  • Avalanche élevée (ISU) et résistance aux courts-circuits
  • Supérieur Qg x RDS(SUR) symbole de mérite
  • Pertes de commutation indépendantes de la température
  • Faibles capacités et faible charge de grille
  • Faibles pertes à toutes les températures
  • Fonctionnement stable normalement à l'arrêt jusqu'à 175 ° C
  • +20 V / -5 Entraînement de porte en V

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À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor est un pionnier et un leader mondial de la technologie du carbure de silicium, tout en investissant également dans les technologies de silicium à haute puissance. Les principaux fabricants mondiaux de systèmes industriels et de défense dépendent de la technologie de GeneSiC pour élever les performances et l'efficacité de leurs produits. Les composants électroniques de GeneSiC sont plus froids, plus rapide, et plus économique, et jouent un rôle clé dans la conservation de l'énergie dans un large éventail de systèmes à haute puissance. Nous détenons des brevets de premier plan sur les technologies de dispositifs d'alimentation à large bande interdite; un marché qui devrait atteindre plus de $1 milliards par 2022. Notre compétence principale est d'ajouter plus de valeur à nos clients’ produit fini. Nos mesures de performance et de coût établissent des normes dans l'industrie du carbure de silicium.

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GeneSiC remporte le prestigieux R&Prix ​​D100 pour le commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC

DULLES, Virginie, décembre 5, 2019 — R&D Magazine a sélectionné GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA en tant que récipiendaire du prestigieux 2019 R&ré 100 Prix ​​pour le développement d'un commutateur monolithique à transistor-redresseur basé sur SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, un innovateur clé dans les dispositifs de puissance à base de carbure de silicium a été honoré en annonçant qu'il a reçu la 2019 R&ré 100 Décerner. Ce prix récompense GeneSiC pour avoir introduit l'un des plus importants, les progrès de la recherche et du développement récemment introduits dans plusieurs disciplines au cours 2018. R&D Magazine a reconnu la technologie de dispositif d'alimentation SiC moyenne tension de GeneSiC pour sa capacité à intégrer de manière monolithique MOSFET et le redresseur Schottky sur une seule puce. Ces capacités obtenues par le dispositif de GeneSiC permettent aux chercheurs en électronique de puissance de développer des systèmes électroniques de puissance de nouvelle génération tels que des onduleurs et des convertisseurs CC-CC. Cela permettra des développements de produits au sein des véhicules électriques, infrastructure de recharge, industries des énergies renouvelables et du stockage d'énergie. GeneSiC a réservé des commandes de plusieurs clients pour la démonstration de matériel électronique de puissance avancé utilisant ces appareils et continue de développer sa famille de produits MOSFET en carbure de silicium. Le R&D sur la première version pour les applications de conversion de puissance ont été développés par le département américain. of Energy et collaboration avec Sandia National Laboratories.

Le concours technologique annuel organisé par R&D Magazine a évalué les entrées de diverses entreprises et acteurs de l'industrie, organismes de recherche et universités du monde entier. Les rédacteurs en chef du magazine et un panel d'experts extérieurs ont servi de juges, évaluer chaque entrée en fonction de son importance pour le monde de la science et de la recherche.

D'après R&Magazine D, gagner un R&ré 100 Le prix fournit une marque d'excellence connue de l'industrie, gouvernement, et le milieu universitaire comme preuve que le produit est l'une des idées les plus innovantes de l'année. Ce prix reconnaît GeneSiC en tant que leader mondial dans la création de produits basés sur la technologie qui font une différence dans notre façon de travailler et de vivre.

À propos de GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC est un innovateur émergeant rapidement dans le domaine des dispositifs de puissance SiC et s'est fortement engagé dans le développement du carbure de silicium (SiC) appareils basés sur: (une) Dispositifs SiC HT-HF pour réseau électrique, Armes à énergie pulsée et à énergie dirigée; et (b) Dispositifs de puissance SiC haute température pour les actionneurs d'avions et l'exploration pétrolière. GeneSiC Semiconductor Inc. développe du carbure de silicium (SiC) dispositifs à semi-conducteurs à base pour haute température, radiation, et applications de réseau électrique. Cela inclut le développement de redresseurs, FET, dispositifs bipolaires et particules & détecteurs photoniques. GeneSiC a accès à une vaste gamme de conception de semi-conducteurs, fabrication, installations de caractérisation et d'essai de ces appareils. GeneSiC capitalise sur sa compétence de base dans la conception d'appareils et de processus pour développer les meilleurs appareils SiC possibles pour ses clients. La société se distingue en fournissant des produits de haute qualité spécifiquement adaptés aux exigences de chaque client. GeneSiC a des contrats principaux / sous-traitants de grandes agences gouvernementales américaines, y compris ARPA-E, Département américain de l'énergie, Marine, DARPA, Département de la sécurité intérieure, Département du commerce et autres départements du département américain. de la défense. GeneSiC continue d'améliorer rapidement l'équipement et l'infrastructure du personnel de son Dulles, Installation de Virginie. La société recrute activement du personnel expérimenté dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs composés, tests de semi-conducteurs et conceptions de détecteurs. Des informations supplémentaires sur l'entreprise et ses produits peuvent être obtenues en appelant GeneSiC au 703-996-8200 ou en visitantwww.genesicsemi.com.