Gate Driver Board optimize para sa mataas na bilis ng paglipat at pag-uugali-based na mga modelo ay nagbibigay-kakayahan sa kapangyarihan electronic designer upang i-verify at quantify benepisyo ng SJTs sa board-level evaluation at circuit simulation
MGA DULLES, V.A., Nobyembre 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, isang pioneer at pandaigdigang supplier ng malawak na hanay ng Silicon Carbide (Sic) kapangyarihan semiconductors ngayon announcements ang agarang availability ng Gate Driver pagsusuri board at pinalawak nito disenyo suporta para sa pinakamababang pagkawala ng industriya pagkawala switch – ang SiC Junction Transistor (SJT) – na may isang ganap na kwalipikadong LTSPICE IV modelo. Paggamit ng bagong Gate Driver Board, kapangyarihan conversion circuit designer ay maaaring i-verify ang mga benepisyo ng sub-15 nanosecond, temperatura independiyenteng paglipat ng mga katangian ng SiC Junction Transistors, na may mababang driver kapangyarihan pagkalugi. Pagsasama-sama ng mga bagong modelo ng SPICE, circuit designer ay madaling suriin ang mga benepisyo GeneSiC's SJTs magbigay para sa pagkamit ng isang mas mataas na antas ng kahusayan kaysa sa posibleng may maginoo silicon kapangyarihan paglipat ng mga aparato para sa comparably-rated aparato.
Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 naaangkop patungo sa SJTs mula sa GeneSiC
SiC Junction Transistors ay may makabuluhang iba't-ibang mga katangian kaysa sa iba pang mga sic Transistor teknolohiya, pati na rin ang Silicon Transistors. Gate Driver board na maaaring magbigay ng mababang kapangyarihan pagkawala habang nag-aalok pa rin ng mataas na bilis ng paglipat ay kinakailangan upang magbigay ng drive solusyon para sa paggamit ng mga benepisyo ng SiC Junction Transistors. Ganap na nakahiwalay ang GeneSic GA03IDDJT30-FR4 Gate driver board tumatagal sa 0/12V at isang TTL signal sa optimally kondisyon ng boltahe / kasalukuyang waveforms kinakailangan upang magbigay ng maliit na tumaas / mahulog beses, habang pa rin minimizing ang tuloy-tuloy na kasalukuyang kinakailangan para sa pagpapanatili ng Normal-OFF SJT na isinasagawa sa panahon ng estado. Ang pin configuration at form mga kadahilanan ay itinatago katulad sa iba pang mga SiC transistors. GeneSiC ay inilabas din Gerber file at BOMs upang tapusin ang mga ito upang maisama ang mga benepisyo ng driver disenyo makatotohanang.
SJTs nag-aalok ng mahusay na-behave sa estado at paglipat ng mga katangian, paggawa ng madaling lumikha ng pag-uugali batay SPICE modelo na sumasang-ayon kapansin-pansin na rin sa mga pangunahing physics batay mga modelo pati na rin. Paggamit ng mahusay na itinatag at naunawaan physics-based modelo, SPICE parameter ay inilabas matapos ang malawak na pagsubok sa aparato pag-uugali. GeneSiC's SPICE modelo ay inihambing sa eksperimento sinusukat data sa lahat ng mga data ng device at ay angkop sa lahat 1200 V at 1700 V SiC Junction Transistors inilabas.
GeneSiC's SJTs ay kaya ng paghahatid ng mga dalas ng paglipat na higit pa sa 15 beses na mas mataas kaysa sa IGBT-based na mga solusyon. Ang kanilang mas mataas na paglipat ng mga dalas ay maaaring paganahin ang mas maliit na magnetic at capacitive elemento, sa gayon pag-urong ng pangkalahatang laki, timbang at gastos ng kapangyarihan electronic system.
Ito SiC Junction Transistor SPICE modelo ay nagdadagdag sa komprehensibong suite ng mga tool ng disenyo, teknikal na dokumentasyon, at pagiging maaasahan ang impormasyon upang magbigay ng kapangyarihan electronic engineer sa disenyo ng mga mapagkukunan na kailangan upang ipatupad ang komprehensibong pamilya ng SiC Junction Transistors at Rectifiers sa susunod na henerasyon ng mga sistema ng kapangyarihan.
GeneSic's Gate Driver Board datasheets at SJT SPICE modelo ay maaaring i-download mula sa https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
