Una red de energía eléctrica suministra energía confiable con la ayuda de dispositivos electrónicos que garantizan, flujo de energía confiable. Hasta ahora, Se ha confiado en ensamblajes a base de silicio, pero no han podido cumplir con los requisitos de la red inteligente. Materiales de banda ancha como carburo de silicio (Sic) ofrecen una mejor alternativa ya que son capaces de velocidades de conmutación más altas, un voltaje de ruptura más alto, menores pérdidas de conmutación, y una temperatura de unión más alta que los interruptores tradicionales basados en silicio. El primer dispositivo de este tipo basado en SiC en llegar al mercado es el tiristor de carburo de silicio de ultra alto voltaje. (Tiristor de SiC), desarrollado por GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Virginia., con el apoyo de Sandia National Laboratories, Albuquerque, NUEVO MÉJICO., los Estados Unidos. Departamento de Energía / Suministro de Electricidad, y los estados unidos. Investigación del ejército / armamento, Centro de desarrollo e ingeniería, Picatinny Arsenal, NUEVA JERSEY.
Los desarrolladores adoptaron una física operativa diferente para este dispositivo., que opera en transporte de transportistas minoritarios y un tercer rectificador de terminal integrado, que es uno más que otros dispositivos comerciales de SiC. Los desarrolladores adoptaron una nueva técnica de fabricación que admite calificaciones superiores 6,500 V, así como un nuevo diseño de ánodo de puerta para dispositivos de alta corriente. Capaz de funcionar a temperaturas de hasta 300 C y corriente en 80 UN, el tiristor de SiC ofrece hasta 10 veces mayor voltaje, tensiones de bloqueo cuatro veces más altas, http 100 frecuencia de conmutación veces más rápida que los tiristores basados en silicio.
