Categoría: Comunicados de prensa

El Segundo, CALIFORNIA., 15 de agosto, 2022 - Energía de semiconductores (Nasdaq: NVTS), el líder de la industria en nitruro de galio (GaN) circuitos integrados de potencia, anunció hoy la adquisición de GeneSiC Semiconductor, un carburo de silicio (Sic) pionero con gran experiencia en el diseño y proceso de dispositivos de potencia de SiC. La transacción beneficia inmediatamente a Navitas, ya que GeneSiC es altamente rentable., con más que 25% márgenes EBITDA. Calendario 2022 Se espera que los ingresos sean aproximadamente $25 millones con tasas de crecimiento anual demostradas de más de 60%. La compañía combinada crea una completa, cartera de tecnología líder en la industria en semiconductores de potencia de próxima generación, tanto GaN como SiC, con una oportunidad de mercado agregada estimada en más de $20 mil millones por año por 2026.

“GeneSiC es un socio ideal para Navitas con su enfoque y éxito en el desarrollo de tecnología SiC líder en la industria.,dijo Gen Sheridan, CEO y cofundador de Navitas. “Navitas tiene importantes inversiones en ventas globales, equipos de operaciones y soporte técnico, junto con centros de diseño de sistemas en vehículos eléctricos y centros de datos. Estas capacidades son un complemento perfecto para GeneSiC y acelerarán aún más su crecimiento en mercados y clientes sinérgicos y nuevos.. Este Dia, hemos dado un paso importante en la misión de nuestra empresa de "Electrificar nuestro mundo™" e impulsar la transición de nuestro planeta de combustibles fósiles a combustibles limpios, eficiente, energía eléctrica."

“Protegido por patente de GeneSiC, tecnología avanzada e innovadora, equipo experimentado son factores críticos en el crecimiento de nuestra empresa. Nuestros MOSFET de SiC ofrecen el rendimiento más alto de la industria, fiabilidad, y robustez: parámetros críticos para la adopción generalizada de vehículos eléctricos y la infraestructura asociada,” dijo el presidente de GeneSiC, el Dr.. Ranbir Singh. “Con casi 20 años de vanguardia R&D, plataformas probadas, sobre 500 clientes diversos, y el crecimiento de los ingresos y la rentabilidad, podemos aprovechar la experiencia en producción en masa y la estrategia de comercialización de Navitas para acelerar los ingresos de SiC. Estamos muy entusiasmados con esta nueva asociación”.

Dr. Singh se une a Navitas como vicepresidente ejecutivo del negocio de GeneSiC y Navitas espera retener a todos los miembros del equipo de GeneSiC..

En semiconductores de potencia, tanto GaN como SiC son materiales superiores al silicio heredado, permitiendo velocidades más altas, mayor ahorro de energía, carga más rápida, y tamaño significativamente reducido, peso, y costo. Juntos, estos complementarios, los materiales de próxima generación abordan una amplia gama de aplicaciones de cargadores de teléfonos inteligentes de 20 W, a cargadores EV de 20kW, a sistemas de infraestructura de red de 20MW y todo lo demás. Con más de 500 clientes, la adquisición de GeneSiC ofrece mercados y clientes diversificados y sinérgicos, y acelera los ingresos de Navitas en estrategias, aplicaciones de mayor potencia:

• Vehículo eléctrico: Los circuitos integrados Navitas GaN están optimizados para sistemas EV de 400 V, y la tecnología GeneSiC es ideal para sistemas EV de 800 V, con clientes de ingresos y desarrollo existentes que incluyen BYD, el líder mundial #1 proveedor de vehículos eléctricos, Land Rover, mercedes amg, Geely, brillante, LG magna, Saab, e Innovación, junto con decenas de otros.
• Solar & Almacen de energia: Los circuitos integrados Navitas GaN dan servicio a la energía solar residencial, mientras que GeneSiC tiene ingresos inmediatos en mayor potencia, clientes comerciales de almacenamiento de energía y energía solar, incluyendo APS, Energía avanzada, Chint, bronceado, Grovatio, CATL, Exide y muchos otros.
• Mercados industriales más amplios: Los productos de alto voltaje GeneSiC generan ingresos inmediatos en una amplia gama de mercados industriales adicionales que incluyen el ferrocarril, UPS, viento, red eléctrica, motores industriales, e imágenes médicas.

Detalles de la transacción

Se espera que la adquisición de GeneSiC aumente inmediatamente las ganancias por acción de Navitas.. La contraprestación total consistió en aproximadamente $100 millones en efectivo, 24.9 millones de acciones de Navitas y posibles pagos de ganancias de hasta $25 millones condicionado al logro de objetivos de ingresos sustanciales para el negocio de GeneSiC durante los cuatro trimestres fiscales que finalizan en septiembre 30, 2023. Más información sobre GeneSiC está disponible en ir.navitassemi.com.

Asesores

Jefferies LLC actuó como asesor financiero de Navitas y Bank of America actuó como asesor financiero de GeneSiC. Grupo Jurídico TCF, PLLC actuó como asesor legal de Navitas y Gibson, Dunn & Crutcher LLP actuó como asesor legal de GeneSiC.

Información sobre conferencias telefónicas y webcasts

La adquisición de GeneSiC se discutirá como parte de Navitas Q2 2022 llamada de ganancias:

Cuando: Lunes, agosto 15^el, 2022

Tiempo: 2:00 pm. Pacífico / 5:00 pm. Oriental

Acceso telefónico gratuito: (800) 715-9871 o (646) 307-1963

Identificación de la conferencia: 6867001

Transmisión web en vivo: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Repetición: Se podrá acceder a una repetición de la llamada desde la sección de Relaciones con Inversionistas del sitio web de la Compañía en https://ir.navitassemi.com/.

Declaración de precaución con respecto a las declaraciones prospectivas

Este comunicado de prensa incluye "declaraciones prospectivas" en el sentido de la Sección 21E de la Ley de Bolsa de Valores de 1934, como enmendado. Las declaraciones prospectivas pueden identificarse mediante el uso de palabras como "esperamos" o "se espera que sean," "estimar," "plan," "proyecto," "pronóstico," "pretender," "anticipar," "creer," "buscar,” u otras expresiones similares que predicen o indican eventos o tendencias futuras o que no son declaraciones de asuntos históricos. Estas declaraciones prospectivas incluyen, pero no se limitan a, declaraciones sobre estimaciones y pronósticos de otras métricas financieras y de desempeño y proyecciones de oportunidades de mercado y participación de mercado. Estas declaraciones se basan en varias suposiciones, ya sea identificado o no en este comunicado de prensa. Estas declaraciones también se basan en las expectativas actuales de la administración de Navitas y no son predicciones del desempeño real.. Dichas declaraciones prospectivas se proporcionan solo con fines ilustrativos y no pretenden servir como, y no debe ser invocado por ningún inversionista como, una garantía, una seguridad, una predicción o una declaración definitiva de hecho o probabilidad. Los eventos y circunstancias reales son difíciles o imposibles de predecir y diferirán de las suposiciones y expectativas.. Muchos eventos y circunstancias reales que afectan el desempeño están fuera del control de Navitas. Las declaraciones prospectivas están sujetas a una serie de riesgos e incertidumbres., incluyendo la posibilidad de que el crecimiento esperado de los negocios de Navitas y GeneSiC no se realice, o no se realizará dentro de los plazos previstos, debido a, entre otras cosas, la falla en la integración exitosa de GeneSiC en los sistemas comerciales y operativos de Navitas; el efecto de la adquisición en las relaciones con clientes y proveedores o la falta de retención y expansión de esas relaciones; el éxito o el fracaso de otros esfuerzos de desarrollo empresarial; Condición financiera y resultados de operación de Navitas; La capacidad de Navitas para predecir con precisión los ingresos futuros con el fin de presupuestar y ajustar adecuadamente los gastos de Navitas.; La capacidad de Navitas para diversificar su base de clientes y desarrollar relaciones en nuevos mercados; La capacidad de Navitas para escalar su tecnología en nuevos mercados y aplicaciones; los efectos de la competencia en el negocio de Navitas, incluyendo acciones de competidores con presencia establecida y recursos en mercados que esperamos penetrar, incluidos los mercados de carburo de silicio; el nivel de demanda en los mercados finales de los clientes de Navitas y GeneSiC, tanto en general como con respecto a las sucesivas generaciones de productos o tecnología; La capacidad de atracción de Navitas, capacitar y retener al personal calificado clave; cambios en las políticas comerciales del gobierno, incluida la imposición de aranceles; el impacto de la pandemia de COVID-19 en el negocio de Navitas, resultados de operaciones y condicion financiera; El impacto de la pandemia de COVID-19 en la economía mundial, incluyendo, entre otros, la cadena de suministro de Navitas y las cadenas de suministro de clientes y proveedores; desarrollos regulatorios en los Estados Unidos y países extranjeros; y la capacidad de Navitas para proteger sus derechos de propiedad intelectual. Estos y otros factores de riesgo se analizan en el Sección Factores de riesgo comenzando en p. 11 de nuestro informe anual en el Formulario 10-K por el año terminado en diciembre 31, 2021, que presentamos ante la Comisión de Bolsa y Valores (el segundo") en marzo 31, 2022 y como se modificó posteriormente, y en otros documentos que presentamos ante la SEC, incluidos nuestros informes trimestrales en el Formulario 10-Q. Si cualquiera de estos riesgos se materializa o nuestras suposiciones resultan incorrectas, los resultados reales podrían diferir materialmente de los resultados implícitos en estas declaraciones prospectivas. Puede haber riesgos adicionales de los que Navitas no es consciente o que Navitas actualmente cree que son irrelevantes que también podrían causar que los resultados reales difieran materialmente de los contenidos en las declaraciones prospectivas.. Además, las declaraciones prospectivas reflejan las expectativas de Navitas, planes o pronósticos de eventos futuros y vistas a la fecha de este comunicado de prensa. Navitas anticipa que los eventos y desarrollos posteriores harán que las evaluaciones de Navitas cambien. Sin embargo, mientras que Navitas puede optar por actualizar estas declaraciones prospectivas en algún momento en el futuro, Navitas renuncia específicamente a cualquier obligación de hacerlo.. No se debe confiar en estas declaraciones prospectivas como representativas de las evaluaciones de Navitas a partir de cualquier fecha posterior a la fecha de este comunicado de prensa..

Acerca de Navitas

Energía de semiconductores (Nasdaq: NVTS) es el líder de la industria en nitruro de galio (GaN) circuitos integrados de potencia, fundado en 2014. Los circuitos integrados de alimentación GaNFast™ integran la alimentación GaN con la unidad, control, detección y protección para permitir una carga más rápida, mayor densidad de potencia y mayor ahorro de energía para dispositivos móviles, consumidor, centro de datos, Mercados de vehículos eléctricos y solares. Sobre 165 Patentes de Navitas emitidas o pendientes. Sobre 50 Se han enviado millones de unidades con cero fallas de campo de GaN informadas., y Navitas introdujeron la primera y única garantía de 20 años de la industria. Navitas es la primera empresa de semiconductores del mundo en ser CarbonNeutral®-certificado.

Acerca de GeneSiC Semiconductor, C ª.

Semiconductor GeneSiC es pionera y líder mundial en carburo de silicio (Sic) tecnología. Los principales fabricantes mundiales dependen de la tecnología de GeneSiC para elevar el rendimiento y la eficiencia de sus productos. Los componentes electrónicos de GeneSiC funcionan más fríos, Más rápido, y más económicamente y desempeñan un papel clave en la conservación de energía en una amplia gama de sistemas de alta potencia. GeneSiC posee patentes líderes en tecnologías de dispositivos de energía de banda prohibida amplia, un mercado que se proyecta llegará a más de $5 mil millones por 2025. Nuestras principales fortalezas de diseño, el proceso y la tecnología agregan más valor al producto final de nuestros clientes, con métricas de rendimiento y costo que establecen nuevos estándares en la industria del carburo de silicio.

Información del contacto

Medios de comunicación

graham robertson, CMO Grandes Puentes

Graham@GrandBridges.com

inversores

Esteban Oliver, Vicepresidente de Marketing Corporativo & Relaciones con inversionistas

ir@navitassemi.com

Energía de semiconductores, GaNFast, GaNSense y el logotipo de Navitas son marcas comerciales o marcas comerciales registradas de Navitas Semiconductor Limited. Todas las demás marcas, los nombres y marcas de productos son o pueden ser marcas comerciales o marcas comerciales registradas utilizadas para identificar productos o servicios de sus respectivos propietarios.

Entrevistas en diseño de sistemas de energía GeneSiC

Nuremberg, Alemania mayo 12, 2016 — El presidente de GeneSiC Semiconductor fue entrevistado por Alix Paultre de Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) en la feria PCIM de Nuremberg, Alemania.

Combinación de transistor-diodo de SiC co-empaquetada en una robusta, aislado, 4-Con plomo, El empaquetado del mini-módulo reduce las pérdidas de energía de encendido y permite diseños de circuitos flexibles para convertidores de potencia de alta frecuencia

DULLES, Virginia, Mayo 13, 2015 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de 20 Diodos-transistor de unión mOhm-1200 V SiC en un, 4-Embalaje de mini módulo con plomo que permite pérdidas de energía de encendido extremadamente bajas al tiempo que ofrece flexibilidad, diseños modulares en convertidores de potencia de alta frecuencia. El uso de alta frecuencia, Los transistores y rectificadores de SiC de alto voltaje y baja resistencia reducirán el tamaño / peso / volumen de las aplicaciones electrónicas que requieren un mayor manejo de potencia a altas frecuencias de operación. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluidos los calentadores de inducción., generadores de plasma, cargadores rapidos, Convertidores DC-DC, y fuentes de alimentación conmutadas.

1200 Rectificador de transistor de unión de carburo de silicio V / 20 mOhm, empaquetado en un paquete aislado SOT-227 que proporciona capacidad de fuente de compuerta y sumidero independientes

Transistores de unión de SiC empaquetados (SJT)-Los rectificadores de SiC ofrecidos por GeneSiC son aplicables exclusivamente a aplicaciones de conmutación inductiva porque los SJT son los únicos conmutadores de banda ancha que ofrece. >10 capacidad de cortocircuito repetitivo microsec, Incluso a 80% de las tensiones nominales (p.ej. 960 V por un 1200 Dispositivo V). Además de los tiempos de subida / bajada de menos de 10 nseg y un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA), el terminal Gate Return en la nueva configuración mejora significativamente la capacidad de reducir las energías de conmutación. Esta nueva clase de productos ofrece pérdidas de energía transitorias y tiempos de conmutación que son independientes de la temperatura de la unión.. Los transistores de unión SiC de GeneSiC no contienen óxido de puerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y son capaces de funcionar con voltajes de puerta bajos, a diferencia de otros interruptores de SiC.
Los rectificadores SiC Schottky utilizados en estos minimódulos muestran bajas caídas de voltaje en estado activo, buenas clasificaciones de sobrecorriente y las corrientes de fuga más bajas de la industria a temperaturas elevadas. Con temperatura independiente, características de conmutación de recuperación inversa casi cero, Los rectificadores SiC Schottky son candidatos ideales para su uso en circuitos de alta eficiencia.
“Los productos de transistores y rectificadores de SiC de GeneSiC están diseñados y fabricados para lograr bajas pérdidas de conmutación y de encendido.. Una combinación de estas tecnologías en un paquete innovador promete un rendimiento ejemplar en circuitos de potencia que exigen dispositivos basados ​​en banda ancha amplia.. El paquete del mini módulo ofrece una gran flexibilidad de diseño para su uso en una variedad de circuitos de alimentación como H-Bridge, Inversores flyback y multinivel” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.
El producto lanzado hoy incluye
20 Paquete combinado de transistor / rectificador de unión SiC de mOhmios / 1200 V (GA50SICP12-227):
• Paquete aislado SOT-227 / mini-block / Isotop
• Ganancia de corriente del transistor (HFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitado por el embalaje)
• Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <10 nanosegundos típico.

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal. Los dispositivos están disponibles de inmediato en GeneSiC Distribuidores autorizados.

Para más información, por favor visita: https://192.168.88.14/comercial-sic / sic-módulos-copack /

Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como módulos de diodos de silicio. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, perforación petrolífera de fondo de pozo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.

Alta temperatura (>210^OC) Los transistores y rectificadores de unión en paquetes de latas de metal de factor de forma pequeño ofrecen beneficios de rendimiento revolucionarios para una variedad de aplicaciones, incluida la amplificación, circuitos de bajo ruido y controles del actuador de fondo de pozo

DULLES, Virginia, marzo 9, 2015 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) semiconductores de potencia anuncia hoy la disponibilidad inmediata de una línea de compactos, Transistores de unión de SiC de alta temperatura, así como una línea de rectificadores en paquetes de latas de metal TO-46. Estos componentes discretos están diseñados y fabricados para funcionar a temperaturas ambiente superiores a 215^OC. El uso de alta temperatura., Los transistores y rectificadores de SiC con capacidad de alto voltaje y baja resistencia reducirán el tamaño / peso / volumen de las aplicaciones electrónicas que requieren un mayor manejo de potencia a temperaturas elevadas. Estos dispositivos están diseñados para su uso en una amplia variedad de aplicaciones, incluida una amplia variedad de circuitos de fondo de pozo., instrumentación geotérmica, accionamiento por solenoide, amplificación de propósito general, y fuentes de alimentación conmutadas.

Transistores de unión SiC de alta temperatura (SJT) ofrecidos por GeneSiC exhiben tiempos de subida / bajada sub-10 nsec que permiten >10 Conmutación de MHz, así como un área de operación segura con polarización inversa cuadrada (RBSOA). Las pérdidas de energía transitorias y los tiempos de conmutación son independientes de la temperatura de unión.. Estos interruptores no contienen óxido de compuerta, normalmente apagado, exhiben coeficiente de temperatura positivo de resistencia activa, y son capaces de ser impulsados ​​por 0/+5 Controladores de puerta V TTL, a diferencia de otros interruptores de SiC. Las ventajas únicas del SJT en contraste con otros interruptores SiC es su mayor confiabilidad a largo plazo., >20 capacidad de cortocircuito de usec, y capacidad de avalancha superior. Estos dispositivos se pueden utilizar como amplificadores eficientes, ya que prometen una linealidad mucho mayor que cualquier otro interruptor de SiC..

Los rectificadores Schottky de SiC de alta temperatura que ofrece GeneSiC muestran bajas caídas de voltaje en el estado, y las corrientes de fuga más bajas de la industria a temperaturas elevadas. Con temperatura independiente, características de conmutación de recuperación inversa casi cero, Los rectificadores SiC Schottky son candidatos ideales para su uso en alta eficiencia, circuitos de alta temperatura. Los envases de latas de metal TO-46, así como los procesos de envasado asociados que se utilizan para crear estos productos, permiten un uso a largo plazo donde la alta fiabilidad es fundamental..

“Los productos de transistores y rectificadores de GeneSiC están diseñados y fabricados desde la tierra para permitir un funcionamiento a alta temperatura.. Estos compactos SJT empaquetados TO-46 ofrecen altas ganancias de corriente (>110), 0/+5 Control V TTL, y desempeño robusto. Estos dispositivos ofrecen bajas pérdidas de conducción y alta linealidad.. Diseñamos nuestra línea de rectificadores “SHT”, para ofrecer bajas corrientes de fuga a altas temperaturas. Estos productos empaquetados en latas de metal aumentan nuestros productos TO-257 y SMD de metal lanzados el año pasado para ofrecer un factor de forma pequeño, soluciones resistentes a vibraciones” dijo el Dr.. Ranbir Singh, Presidente de GeneSiC Semiconductor.

Los productos lanzados hoy incluyen:

240 Transistores de unión mOhm SiC:

• 300 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GA05JT03-46
• 100 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GA05JT01-46
• Ganancia de corriente (h_FE) >110
• T_jmax = 210^OC
• Encender / apagar; Tiempos de subida / bajada <10 nanosegundos típico.

Hasta 4 Diodos Schottky de alta temperatura amperios:

• 600 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GB02SHT06-46
• 300 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GB02SHT03-46
• 100 Voltaje de bloqueo V. Número de pieza GB02SHT01-46
• Carga capacitiva total 9 Carolina del Norte
• T_jmax = 210^OC.

Todos los dispositivos son 100% probado a plena tensión / corriente nominal y alojado en envases metálicos TO-46. Los dispositivos están disponibles de inmediato en los distribuidores autorizados de GeneSiC.

Acerca de GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. es un innovador líder en alta temperatura, carburo de silicio de alta potencia y ultra alta tensión (Sic) dispositivos, y proveedor global de una amplia gama de semiconductores de potencia. Su cartera de dispositivos incluye rectificador basado en SiC, transistor, y productos de tiristores, así como módulos de diodos de silicio. GeneSiC ha desarrollado un amplio conocimiento técnico y de propiedad intelectual que abarca los últimos avances en dispositivos de potencia de SiC, con productos orientados a energías alternativas, automotor, perforación petrolífera de fondo de pozo, motor control, fuente de alimentación, transporte, y aplicaciones de suministro de energía ininterrumpida. En 2011, la empresa ganó el prestigioso R&Premio D100 por la comercialización de tiristores de SiC de ultra alta tensión.

Para más información, por favor visita https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; http https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Gate Driver Board optimizado para altas velocidades de conmutación y modelos basados ​​en comportamiento permiten a los ingenieros de diseño de electrónica de potencia verificar y cuantificar los beneficios de los SJT en la evaluación a nivel de placa y simulación de circuitos

DULLES, VIRGINIA., nov 19, 2014 — Semiconductor GeneSiC, un proveedor pionero y global de una amplia gama de carburo de silicio (Sic) Power semiconductors anuncia hoy la disponibilidad inmediata de la placa de evaluación Gate Driver y ha ampliado su soporte de diseño para los interruptores de menor pérdida de la industria: el transistor de unión SiC. (SJT) - con un modelo LTSPICE IV totalmente calificado. Uso de la nueva placa de controlador Gate, Los diseñadores de circuitos de conversión de energía pueden verificar los beneficios de menos de 15 nanosegundos., características de conmutación independientes de la temperatura de los transistores de unión de SiC, con bajas pérdidas de potencia del controlador. Incorporación de los nuevos modelos SPICE, Los diseñadores de circuitos pueden evaluar fácilmente los beneficios que brindan los SJT de GeneSiC para lograr un nivel de eficiencia más alto que el que es posible con los dispositivos de conmutación de potencia de silicio convencionales para dispositivos de clasificación comparable..

Tarjeta de controlador de puerta GA03IDDJT30-FR4 aplicable a SJT de GeneSiC

Los transistores de unión de SiC tienen características significativamente diferentes a otras tecnologías de transistores de SiC, así como transistores de silicio. Se necesitaban placas de controlador de compuerta que pudieran proporcionar bajas pérdidas de energía y al mismo tiempo ofrecer altas velocidades de conmutación para proporcionar soluciones de controlador para utilizar los beneficios de los transistores de unión SiC. GeneSiC está completamente aislado GA03IDDJT30-FR4 La placa controladora de compuerta toma 0 / 12V y una señal TTL para acondicionar de manera óptima las formas de onda de voltaje / corriente necesarias para proporcionar pequeños tiempos de subida / bajada, al mismo tiempo que minimiza el requisito de corriente continua para mantener el SJT normalmente apagado conduciendo durante el estado encendido. La configuración de los pines y los factores de forma se mantienen similares a otros transistores de SiC. GeneSiC también ha lanzado archivos Gerber y BOM al usuario final para permitirles incorporar los beneficios de las innovaciones de diseño de controladores realizadas..

Los SJT ofrecen características de conmutación y en estado de buen comportamiento, facilitando la creación de modelos SPICE basados ​​en el comportamiento que también concuerdan notablemente bien con los modelos subyacentes basados ​​en la física. Usar modelos basados ​​en la física bien establecidos y entendidos, Los parámetros de SPICE se publicaron después de pruebas exhaustivas con el comportamiento del dispositivo.. Los modelos SPICE de GeneSiC se comparan con los datos medidos experimentalmente en todas las hojas de datos del dispositivo y son aplicables a todos 1200 V y 1700 Transistores de unión V SiC lanzados.
Los SJT de GeneSiC son capaces de entregar frecuencias de conmutación que son más de 15 veces más alto que las soluciones basadas en IGBT. Sus frecuencias de conmutación más altas pueden permitir elementos magnéticos y capacitivos más pequeños., reduciendo así el tamaño total, peso y costo de los sistemas electrónicos de potencia.

Este modelo SPICE de transistor de unión de SiC se suma al conjunto completo de herramientas de soporte de diseño de GeneSiC, documentación técnica, e información de confiabilidad para proporcionar a los ingenieros de electrónica de potencia los recursos de diseño necesarios para implementar la familia integral de transistores y rectificadores de unión SiC de GeneSiC en la próxima generación de sistemas de energía.

Las hojas de datos de la placa de controlador Gate de GeneSiC y los modelos SJT SPICE se pueden descargar desde https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/