Semiconductor GeneSiC, C ª - Eficiencia energética a través de la innovación



Científico de dispositivos de energía

GeneSiC está buscando un científico de dispositivos semiconductores de potencia centrado en dispositivos semiconductores de banda ancha. El candidato desarrollará estructuras de dispositivos novedosas., Técnicas de fabricación y métodos de prueba asociados para aplicaciones..

RESPONSABILIDADES

  • Involucrarse con el modelaje., diseño, fabricación, y pruebas de dispositivos semiconductores de banda ancha. El trabajo de prueba puede abarcar desde sondeo en oblea hasta evaluaciones de confiabilidad y/o análisis de fallas de varios dispositivos..
  • Participar en la redacción de libros blancos, propuestas e informes para iniciativas de investigación de agencias gubernamentales..
  • Proporcionar experiencia técnica en áreas como materiales semiconductores., física y diseño del dispositivo, y/o fabricación y prueba del dispositivo. Se desea tener experiencia en la calificación y/o confiabilidad de dichos dispositivos..
  • Comunicar eficazmente los resultados mediante la preparación de informes escritos y la realización de presentaciones que describan los análisis realizados., soluciones desarrolladas, y valor obtenido.
  • Ser un líder intelectual en el Laboratorio de Tecnología de Semiconductores que impulse el crecimiento del programa y la generación de nuevas ideas..
  • Manténgase al tanto de la literatura e identifique tendencias de investigación relacionadas con dispositivos de potencia basados ​​en semiconductores compuestos de interés para GeneSiC..

REQUISITOS:

  • Doctorado en Ingeniería Eléctrica, preferiblemente en el campo de dispositivos semiconductores de potencia O Maestría en Ingeniería Eléctrica, con más de 5 años de experiencia laboral en dispositivos semiconductores de potencia.
  • Se requiere un sólido conocimiento práctico de las técnicas de fabricación de dispositivos de potencia de SiC y/o GaN..
  • Experiencia demostrada en Si, Modelado de dispositivos semiconductores de potencia de SiC y/o GaN, Con un sólido conocimiento de la física del dispositivo es un requisito crítico..
  • Se prefiere la experiencia práctica en fabricación en una sala limpia de semiconductores..
  • Sólido conocimiento práctico de la tecnología de materiales asociados, incluidos los desafíos más recientes y actuales..
  • Se requiere un sólido conocimiento práctico de las pruebas paramétricas de dispositivos de potencia empaquetados y en oblea.
  • Ser ciudadano estadounidense o residente permanente de EE. UU.. En casos excepcionales, Se puede hacer oferta a candidatos que puedan obtener autorización legal para trabajar en los EE. UU..

Envíe un correo electrónico a Resume a: HR@genesicsemi.com.

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