650 V con capacidad de alta corriente, 1200Diodos V y 1700V SiC Schottky MPS ™ en paquete de mini módulo SOT-227
Los módulos híbridos SiC Schottky Rectifier / Si IGBT de GeneSiC permiten un funcionamiento a 175 ° C
1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance
AN-1 1200 Diodos V Schottky con alturas de barrera invariantes a la temperatura y factores de idealidad