Los MOSFET SiC de GeneSiC de 3300V y 1700V 1000mΩ revolucionan la miniaturización de las fuentes de alimentación auxiliares
MOSFET de SiC de 6,5 kV líderes en la industria de GeneSiC – la vanguardia para una nueva ola de aplicaciones
Energía de semiconductores, Líder de la industria en circuitos integrados de potencia de nitruro de galio, anuncia la adquisición de GeneSiC Semiconductor, Pionero del carburo de silicio
GeneSiC gana el proyecto de gestión de energía de la NASA en apoyo de futuras misiones de exploración de Venus
Los módulos híbridos SiC Schottky Rectifier / Si IGBT de GeneSiC permiten un funcionamiento a 175 ° C