DULLES, werden, August 30, 2011 - Neue Physik lässt Thyristoren ein höheres Niveau erreichen
Ein Stromnetz liefert zuverlässige Energie mit Hilfe elektronischer Geräte, die für einen reibungslosen Betrieb sorgen, zuverlässiger Kraftfluss. Bis jetzt, Auf Baugruppen auf Siliziumbasis wurde vertraut, Sie waren jedoch nicht in der Lage, die Anforderungen des Smart Grids zu erfüllen. Materialien mit großer Bandlücke wie Siliziumkarbid (SiC) bieten eine bessere Alternative, da sie höhere Schaltgeschwindigkeiten ermöglichen, eine höhere Durchbruchspannung, geringere Schaltverluste, und eine höhere Sperrschichttemperatur als herkömmliche Schalter auf Siliziumbasis. Das erste derartige Gerät auf SiC-Basis, das auf den Markt kommt, ist der Ultrahochspannungs-Siliziumkarbid-Thyristor (SiC-Thyristor), entwickelt von GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., mit Unterstützung der Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., die USA. Abteilung für Energie- / Stromlieferung, und die USA. Armee- / Rüstungsforschung, Entwicklungs- und Entwicklungszentrum, Picatinny Arsenal, NJ.
Die Entwickler haben für dieses Gerät eine andere Betriebsphysik übernommen, das auf Minderheitentransporttransporten und einem integrierten Gleichrichter mit dritter Klemme arbeitet, Das ist eine mehr als andere kommerzielle SiC-Bauelemente. Die Entwickler haben eine neue Herstellungstechnik eingeführt, die die oben genannten Bewertungen unterstützt 6,500 V., sowie ein neues Gate-Anode-Design für Hochstromgeräte. Leistungsfähig bei Temperaturen bis zu 300 C und Strom bei 80 EIN, Der SiC-Thyristor bietet bis zu 10 mal höhere Spannung, viermal höhere Sperrspannungen, und 100 mal schnellere Schaltfrequenz als Thyristoren auf Siliziumbasis.
