Die für hohe Schaltgeschwindigkeiten und verhaltensbasierte Modelle optimierte Gate-Treiberplatine ermöglicht es leistungselektronischen Konstrukteuren, die Vorteile von SJTs bei der Bewertung und Schaltungssimulation auf Platinenebene zu überprüfen und zu quantifizieren
DULLES, V.A., Nov. 19, 2014 — GeneSiC-Halbleiter, ein Pionier und globaler Lieferant einer breiten Palette von Siliziumkarbid (SiC) Leistungshalbleiter kündigt heute die sofortige Verfügbarkeit der Gate-Treiber-Evaluierungskarte an und hat ihre Designunterstützung für die verlustärmsten Schalter der Branche - den SiC-Sperrschichttransistor - erweitert (SJT) - mit einem vollqualifizierten LTSPICE IV-Modell. Verwenden der neuen Gate-Treiberplatine, Entwickler von Leistungsumwandlungsschaltungen können die Vorteile von Nanosekunden unter 15 überprüfen, temperaturunabhängige Schalteigenschaften von SiC-Sperrschichttransistoren, mit geringen Treiberleistungsverlusten. Einbindung der neuen SPICE-Modelle, Schaltungsentwickler können die Vorteile der SJTs von GeneSiC für die Erzielung eines höheren Wirkungsgrads leicht bewerten, als dies mit herkömmlichen Silizium-Leistungsschaltgeräten für Geräte mit vergleichbarer Nennleistung möglich ist.
Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 für SJTs von GeneSiC
SiC-Sperrschichttransistoren haben signifikant andere Eigenschaften als andere SiC-Transistortechnologien, sowie Siliziumtransistoren. Gate-Treiberplatinen, die geringe Leistungsverluste bei gleichzeitig hohen Schaltgeschwindigkeiten bieten können, wurden benötigt, um Antriebslösungen zur Nutzung der Vorteile von SiC-Sperrschichttransistoren bereitzustellen. GeneSiC ist vollständig isoliert GA03IDDJT30-FR4 Die Gate-Treiberplatine nimmt 0 / 12V und ein TTL-Signal auf, um die Spannungs- / Stromwellenformen, die für kleine Anstiegs- / Abfallzeiten erforderlich sind, optimal zu konditionieren, während der Dauerstrombedarf minimiert wird, um das normalerweise ausgeschaltete SJT während des Ein-Zustands leitend zu halten. Die Stiftkonfiguration und Formfaktoren werden ähnlich wie bei anderen SiC-Transistoren gehalten. GeneSiC hat auch Gerber-Dateien und Stücklisten für Endbenutzer freigegeben, damit diese die Vorteile der realisierten Innovationen im Treiberdesign nutzen können.
SJTs bieten gut verhaltene Einschalt- und Schalteigenschaften, Dies macht es einfach, verhaltensbasierte SPICE-Modelle zu erstellen, die bemerkenswert gut mit den zugrunde liegenden physikbasierten Modellen übereinstimmen. Verwendung etablierter und verständlicher physikbasierter Modelle, SPICE-Parameter wurden nach umfangreichen Tests mit Geräteverhalten freigegeben. Die SPICE-Modelle von GeneSiC werden mit den experimentell gemessenen Daten auf allen Gerätedatenblättern verglichen und sind auf alle anwendbar 1200 V und 1700 V SiC-Sperrschichttransistoren freigegeben.
Die SJTs von GeneSiC können Schaltfrequenzen liefern, die höher sind als 15 mal höher als IGBT-basierte Lösungen. Ihre höheren Schaltfrequenzen können kleinere magnetische und kapazitive Elemente ermöglichen, wodurch die Gesamtgröße verkleinert wird, Gewicht und Kosten von Leistungselektroniksystemen.
Dieses SPICE-Modell für SiC-Sperrschichttransistoren ergänzt GeneSiCs umfassende Suite an Tools zur Designunterstützung, technische Dokumentation, Informationen zur Zuverlässigkeit, um Ingenieuren der Leistungselektronik die Entwurfsressourcen zur Verfügung zu stellen, die für die Implementierung der umfassenden Familie von SiC-Sperrschichttransistoren und -gleichrichtern von GeneSiC in die nächste Generation von Stromversorgungssystemen erforderlich sind.
Die Datenblätter für das Gate Driver Board von GeneSiC und die SJT SPICE-Modelle können von heruntergeladen werden https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
