Die SiS-MOSFETs mit 3300 V und 1700 V und 1000 mΩ von GeneSiC revolutionieren die Miniaturisierung von Hilfsstromversorgungen
Halbleiterenergie, Branchenführer bei Galliumnitrid-Leistungs-ICs, gibt die Übernahme von GeneSiC Semiconductor bekannt, Siliziumkarbid-Pionier
GeneSiC gewinnt ein Power-Management-Projekt der NASA zur Unterstützung zukünftiger Venus-Explorationsmissionen