نشر على

تطلق GeneSiC أفضل أداء في الصناعة 1700V SiC Schottky MPS™ الثنائيات

دول, فيرجينيا, كانون الثاني 7, 2019 — تطلق GeneSiC حافظة شاملة من الجيل الثالث من الثنائيات 1700V SiC Schottky MPS ™ في حزمة TO-247-2

أدخلت GeneSiC GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 و GB50MPS17-247; أفضل أداء للصناعة من ثنائيات SiC 1700V المتوفرة في حزمة TO-247-2 عبر الفتحات الشهيرة. هذه الثنائيات 1700V SiC تحل محل ثنائيات الاسترداد فائقة السرعة القائمة على السيليكون وغيرها من الجيل القديم 1700V SiC JBS, تمكين المهندسين من بناء دوائر تحويل بكفاءة أكبر وكثافة طاقة أعلى. من المتوقع أن تشمل التطبيقات أجهزة الشحن السريع للمركبات الكهربائية, محركات السيارات, إمدادات طاقة النقل والطاقة المتجددة.

GB50MPS17-247 عبارة عن صمام ثنائي 1700V 50A SiC مدمج-PiN-schottky, الصمام الثنائي للطاقة SiC المنفصل الأعلى تصنيفًا حاليًا في الصناعة. تتميز هذه الثنائيات التي تم إصدارها حديثًا بانخفاض جهد أمامي منخفض, صفر الانتعاش إلى الأمام, صفر الانتعاش العكسي, سعة تقاطع منخفضة ويتم تصنيفها لدرجة حرارة تشغيل قصوى تبلغ 175 درجة مئوية. توفر تقنية الصمام الثنائي SiC Schottky من الجيل الثالث من GeneSiC صلابة الانهيار الجليدي الرائد في الصناعة والتيار المفاجئ (Ifsm) المتانة, مدمجًا مع مسبك 6 بوصات عالي الجودة مؤهل للسيارات وتقنية تجميع منفصلة متطورة عالية الموثوقية.

هذه الثنائيات SiC هي بدائل مباشرة متوافقة مع دبوس لثنائيات أخرى متوفرة في حزمة TO-247-2. الاستفادة من خسائر الطاقة المنخفضة (عملية أكثر برودة) والقدرة على تبديل التردد العالي, يمكن للمصممين الآن تحقيق كفاءة تحويل أكبر وكثافة طاقة أكبر في التصميمات.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارةwww.genesicsemi.com.

نشر على

متعدد كيلوهرتز, تم أخذ عينات الثايرستور المصنوعة من كربيد السيليكون ذات الجهد العالي إلى باحثين أمريكيين

دول, فيرجينيا, شهر نوفمبر 1, 2010 –في أول عرض من نوعه, تعلن GeneSiC Semiconductor عن توفر عائلة من ثايرستور كربيد السيليكون 6.5 كيلو فولت بوضع SCR لاستخدامها في إلكترونيات الطاقة لتطبيقات الشبكة الذكية. من المتوقع أن تحفز مزايا الأداء الثورية لأجهزة الطاقة هذه الابتكارات الرئيسية في أجهزة إلكترونيات الطاقة على نطاق المرافق لزيادة إمكانية الوصول إلى موارد الطاقة الموزعة واستغلالها (ال). "الى الآن, كربيد السيليكون متعدد كيلو فولت (SiC) لم تكن أجهزة الطاقة متاحة علنًا للباحثين الأمريكيين للاستفادة الكاملة من المزايا المعروفة - أي ترددات التشغيل 2-10 كيلو هرتز عند تصنيفات 5-15 كيلو فولت - لأجهزة الطاقة القائمة على SiC. " علق د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. أكملت GeneSiC مؤخرًا تسليم العديد من 6.5kV / 40A, 6.5الثايرستور kV / 60A و 6.5kV / 80A لعدة عملاء يجرون أبحاثًا في مجال الطاقة المتجددة, تطبيقات أنظمة القوى العسكرية والبحرية. يتم الآن تقديم أجهزة SiC بهذه التصنيفات على نطاق أوسع ".

توفر الثايرستور القائم على كربيد السيليكون جهدًا أعلى 10 مرات, 100X ترددات تبديل أسرع وتشغيل بدرجة حرارة أعلى مقارنة بالثايرستور التقليدي القائم على السيليكون. تشمل فرص بحث التطبيقات المستهدفة لهذه الأجهزة تحويل طاقة الجهد المتوسط ​​للأغراض العامة (MVDC), محولات الطاقة الشمسية المرتبطة بالشبكة, محولات طاقة الرياح, قوة نبضية, أنظمة الأسلحة, التحكم في الاشتعال, والتحكم في الزناد. لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) كربيد السيليكون (SiC) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, معوضات VAR الثابتة والمعوضات المتسلسلة. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية.

الدكتور. يواصل سينغ "من المتوقع أن تفتح الأسواق واسعة النطاق في المحطات الفرعية الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح بعد أن يدرك الباحثون في مجال تحويل الطاقة بشكل كامل فوائد SiC Thyristors. يستخدم الجيل الأول من ثايرستور SiC أقل انخفاض موضّح للجهد في الحالة ومقاومات تفاضلية على الإطلاق تم تحقيقها في SiC Thyristors. نعتزم إطلاق الأجيال القادمة من SiC Thyristors المُحسَّنة لقدرة إيقاف التشغيل التي تتحكم فيها البوابة و >10تقييمات كيلو فولت. مع استمرارنا في تطوير حلول التعبئة والتغليف ذات الجهد العالي للغاية بدرجة الحرارة العالية, يتم تعبئة الثايرستور الحالي 6.5 كيلو فولت في وحدات مع جهات اتصال ملحومة بالكامل, يقتصر على درجات حرارة تقاطع 150 درجة مئوية ". GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.

تقع بالقرب من واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.

نشر على

GeneSiC تفوز بـ 2.53 مليون دولار من ARPA-E لتطوير الأجهزة القائمة على كربيد السيليكون الثايرستور

دول, فيرجينيا, سبتمبر 28, 2010 - وكالة المشاريع البحثية المتقدمة - الطاقة (ARPA-E) أبرمت اتفاقية تعاونية مع فريق GeneSiC الذي يقوده أشباه الموصلات من أجل تطوير كربيد السيليكون الجديد عالي الجهد (SiC) الأجهزة القائمة على الثايرستور. من المتوقع أن تكون هذه الأجهزة عوامل تمكين رئيسية لدمج محطات طاقة الرياح والطاقة الشمسية على نطاق واسع في الجيل التالي من الشبكة الذكية.

"ستسمح لنا هذه الجائزة التنافسية للغاية لشركة GeneSiC بتوسيع مركزنا الريادي التقني في تقنية كربيد السيليكون متعدد كيلوفولت, بالإضافة إلى التزامنا بحلول الطاقة البديلة على نطاق الشبكة مع حلول الحالة الصلبة,”علق د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. "Multi-kV SiC Thyristors التي نعمل على تطويرها هي تقنية التمكين الرئيسية لتحقيق أنظمة نقل التيار المتردد المرنة (حقائق) العناصر والجهد العالي DC (HVDC) المعماريات المتوخاة نحو متكامل, فعال, الشبكة الذكية للمستقبل. توفر الثايرستور المستندة إلى SiC من GeneSiC جهدًا أعلى 10 مرات, 100X ترددات تبديل أسرع وتشغيل درجة حرارة أعلى في حلول معالجة الطاقة FACTS و HVDC مقارنة بالثايرستور التقليدي القائم على السيليكون. "

في أبريل 2010, استجابت GeneSiC للتسليم السريع لتكنولوجيا الطاقة الكهربائية (ADEPT) التماس من ARPA-E الذي سعى إلى الاستثمار في المواد من أجل التقدم الأساسي في مفاتيح الجهد العالي التي لديها القدرة على تجاوز أداء محول الطاقة الحالي مع تقديم تخفيضات في التكلفة. تم اختيار اقتراح الشركة بعنوان "الثايرستور بتبديل أنود كربيد السيليكون لتحويل طاقة الجهد المتوسط" لتوفير وزن خفيف, الحالة الصلبة, تحويل طاقة الجهد المتوسط ​​لتطبيقات الطاقة العالية مثل المحطات الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية. الابتكارات التي تم اختيارها كانت لدعم وتعزيز الولايات المتحدة. الأعمال من خلال الريادة التكنولوجية, من خلال عملية تنافسية للغاية.

كربيد السيليكون هو مادة من الجيل التالي من أشباه الموصلات تتمتع بخصائص متفوقة إلى حد كبير على السيليكون التقليدي, مثل القدرة على التعامل مع الجهد بعشرة أضعاف - ومائة ضعف التيار - في درجات حرارة تصل إلى 300 درجة مئوية. هذه الخصائص تجعلها مناسبة بشكل مثالي للتطبيقات عالية الطاقة مثل السيارات الهجينة والكهربائية, طاقة متجددة (الرياح والطاقة الشمسية) المنشآت, وأنظمة التحكم في الشبكة الكهربائية.

لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) كربيد السيليكون (SiC) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, معوضات VAR الثابتة والمعادلات التسلسلية. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. تشمل التطبيقات والمزايا الواعدة الأخرى لهذه الأجهزة:

  • مطلوب أنظمة إدارة الطاقة وتكييف الطاقة لتحويل DC ذات الجهد المتوسط ​​تحت القدرة البحرية المستقبلية (FNC) البحرية الأمريكية, أنظمة الإطلاق الكهرومغناطيسية, أنظمة الأسلحة عالية الطاقة والتصوير الطبي. تسمح قدرة تردد التشغيل الأعلى 10-100X بتحسينات غير مسبوقة في الحجم, وزن, الحجم وفي النهاية, تكلفة هذه الأنظمة.
  • مجموعة متنوعة من تخزين الطاقة, تطبيقات فيزياء درجات الحرارة العالية والطاقة العالية. تحظى تطبيقات تخزين الطاقة وشبكات الطاقة باهتمام متزايد حيث يركز العالم على حلول إدارة الطاقة الأكثر كفاءة وفعالية من حيث التكلفة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.

“لقد برزنا كشركة رائدة في تقنية SiC عالية الجهد من خلال الاستفادة من كفاءتنا الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات من خلال مجموعة واسعة من التصنيع, التوصيف, ومرافق الاختبار,"يختتم د. سينغ. "لقد تم الآن التحقق من صحة موقف GeneSiC بشكل فعال من قبل وزارة الطاقة الأمريكية من خلال جائزة المتابعة الهامة هذه."

حول GeneSiC أشباه الموصلات

موقع استراتيجي بالقرب من واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارةwww.genesicsemi.com.

نشر على

شبكات اقتحام الطاقة المتجددة GeneSiC أشباه الموصلات 1.5 مليون دولار من وزارة الطاقة الأمريكية

دول, فيرجينيا, شهر نوفمبر 12, 2008 – منحت وزارة الطاقة الأمريكية GeneSiC Semiconductor منحتين منفصلتين يبلغ مجموعهما 1.5 مليون دولار لتطوير كربيد السيليكون عالي الجهد (SiC) الأجهزة التي ستكون بمثابة عوامل تمكين رئيسية للرياح- وتكامل الطاقة الشمسية مع شبكة الكهرباء في البلاد.

"تثبت هذه الجوائز ثقة وزارة الطاقة في قدرات GeneSiC, فضلا عن التزامها بحلول الطاقة البديلة,"ملاحظات د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. "متكامل, تعد شبكة الطاقة الفعالة أمرًا بالغ الأهمية لمستقبل الطاقة في البلاد - وتعد أجهزة SiC التي نطورها ضرورية للتغلب على أوجه القصور في تقنيات السيليكون التقليدية ".

الجائزة الأولى هي منحة المرحلة الثانية من SBIR بقيمة 750 ألف دولار أمريكي لتطوير سريع, أجهزة ثنائية القطب كربيد عالية الجهد. والثاني هو منحة من المرحلة الثانية من STTR بقيمة 750 ألف دولار أمريكي لتطوير محولات SiC عالية الطاقة ذات بوابات بصرية.

كربيد السيليكون هو مادة من الجيل التالي من أشباه الموصلات مع القدرة على التعامل مع 10 أضعاف الجهد و 100 مرة من السيليكون الحالي, مما يجعلها مناسبة بشكل مثالي للتطبيقات عالية الطاقة مثل الطاقة المتجددة (الرياح والطاقة الشمسية) التركيبات وأنظمة التحكم في الشبكة الكهربائية.

خاصة, الجائزتان ل:

  • تطوير الترددات العالية, عدة كيلوفولت كاربيد - إيقاف تشغيل البوابة (GTO) أجهزة الطاقة. تشمل التطبيقات الحكومية والتجارية أنظمة إدارة الطاقة وتكييف السفن, صناعة المرافق, والتصوير الطبي.
  • تصميم وتصنيع الجهد العالي بالبوابات الضوئية, أجهزة تحويل SiC عالية الطاقة. يعد استخدام الألياف الضوئية لتبديل الطاقة حلاً مثاليًا للبيئات التي تعاني من التداخل الكهرومغناطيسي (EMI), والتطبيقات التي تتطلب جهدًا عاليًا للغاية.

تخدم أجهزة SiC التي تطورها GeneSiC مجموعة متنوعة من تخزين الطاقة, شبكة الكهرباء, والتطبيقات العسكرية, التي تحظى باهتمام متزايد حيث يركز العالم على حلول إدارة الطاقة الأكثر كفاءة وفعالية من حيث التكلفة.

مقرها خارج واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, تأثير الترانزستور الميدان (FETs) والأجهزة ثنائية القطب, وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. GeneSiC لديها عقود رئيسية / من الباطن من الوكالات الحكومية الأمريكية الكبرى, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.

نشر على

حصلت شركة GeneSiC لأشباه الموصلات على العديد من منح وزارة الطاقة الأمريكية SBIR و STTR

دول, فيرجينيا, اكتوبر 23, 2007 — شركة GeneSiC Semiconductor Inc., مبتكر سريع الارتفاع في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, أعلن أنه حصل على ثلاث منح منفصلة للأعمال الصغيرة من وزارة الطاقة الأمريكية خلال السنة المالية 2007. سيتم استخدام منح SBIR و STTR بواسطة GeneSiC لإظهار أجهزة SiC جديدة عالية الجهد لمجموعة متنوعة من تخزين الطاقة, شبكة الكهرباء, تطبيقات فيزياء درجات الحرارة العالية والطاقة العالية. تحظى تطبيقات تخزين الطاقة وشبكات الطاقة باهتمام متزايد حيث يركز العالم على حلول إدارة الطاقة الأكثر كفاءة وفعالية من حيث التكلفة.

“نحن سعداء بمستوى الثقة الذي عبرت عنه المكاتب المختلفة داخل وزارة الطاقة الأمريكية فيما يتعلق بحلول الأجهزة عالية الطاقة لدينا. سيؤدي ضخ هذا التمويل في برامج تكنولوجيا SiC المتقدمة إلى إنتاج أجهزة SiC رائدة في الصناعة,” علق رئيس GeneSiC, الدكتور. رانبير سينغ. “تعد الأجهزة التي يتم تطويرها في هذه المشاريع بتوفير تقنية تمكين مهمة لدعم شبكة طاقة أكثر كفاءة, وسيفتح الباب أمام تكنولوجيا الأجهزة التجارية والعسكرية الجديدة التي ظلت غير محققة بسبب قيود التقنيات المعاصرة القائمة على السيليكون.”

تشمل المشاريع الثلاثة:

  • ركزت جائزة SBIR الجديدة في المرحلة الأولى على التيار العالي, أجهزة قائمة على الثايرستور متعددة كيلوفولت موجهة نحو تطبيقات تخزين الطاقة.
  • جائزة متابعة المرحلة الثانية SBIR لتطوير أجهزة طاقة SiC متعددة كيلوفولت لإمدادات الطاقة عالية الجهد لتطبيقات أنظمة التردد اللاسلكي عالية الطاقة التي يمنحها مكتب العلوم التابع لوزارة الطاقة.
  • تركز جائزة المرحلة الأولى من STTR على الجهد العالي ذي البوابات الضوئية, أجهزة طاقة SiC عالية التردد للبيئات الغنية بالتداخل الكهرومغناطيسي, بما في ذلك أنظمة طاقة الترددات اللاسلكية عالية الطاقة, وتوجيه أنظمة أسلحة الطاقة.

جنبا إلى جنب مع الجوائز, نقلت شركة GeneSiC عملياتها مؤخرًا إلى مختبر موسع ومبنى مكاتب في دالاس, فرجينيا, ترقية معداتها بشكل كبير, البنية التحتية وهي في طور إضافة موظفين رئيسيين إضافيين.

“تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها, دعم ذلك من خلال الوصول إلى مجموعة واسعة من التصنيع, مرافق التوصيف والاختبار,” خلص د. سينغ. “نشعر أن هذه القدرات قد تم التحقق منها بشكل فعال من قبل وزارة الطاقة الأمريكية بهذه الجوائز الجديدة والمتابعة.”

يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارة www.genesicsemi.com.