لوحة سائق البوابة المُحسَّنة لسرعات التحويل العالية والنماذج القائمة على السلوك تُمكِّن مهندسي التصميم الإلكتروني المحترفين من التحقق من مزايا SJTs وتحديدها في التقييم على مستوى اللوحة ومحاكاة الدائرة
دول, V.A., نوفمبر 19, 2014 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) أعلنت أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوفر الفوري للوحة تقييم Gate Driver ووسعت من دعمها التصميمي للمفاتيح ذات أدنى خسارة في الصناعة - ترانزستور تقاطع SiC (SJT) - مع نموذج LTSPICE IV مؤهل بالكامل. باستخدام لوحة سائق البوابة الجديدة, يمكن لمصممي دارات تحويل الطاقة التحقق من فوائد أقل من 15 نانوثانية, خصائص تبديل درجة الحرارة المستقلة للترانزستورات تقاطع SiC, مع خسائر طاقة منخفضة للسائق. دمج موديلات سبايس الجديدة, يمكن لمصممي الدوائر بسهولة تقييم الفوائد التي توفرها SJTs من GeneSiC لتحقيق مستوى أعلى من الكفاءة مما هو ممكن مع أجهزة تبديل طاقة السيليكون التقليدية للأجهزة ذات التصنيف المقارن.
لوحة سائق البوابة GA03IDDJT30-FR4 المطبقة تجاه SJTs من GeneSiC
تتميز ترانزستورات SiC Junction بخصائص مختلفة بشكل كبير عن تقنيات ترانزستور SiC الأخرى, وكذلك السيليكون الترانزستورات. كانت هناك حاجة إلى لوحات محرك البوابة التي يمكن أن توفر فقدًا منخفضًا للطاقة مع الاستمرار في تقديم سرعات تحويل عالية لتوفير حلول محرك للاستفادة من مزايا ترانزستورات تقاطع SiC. GeneSiC معزولة تماما GA03IDDJT30-FR4 تأخذ لوحة سائق البوابة 0 / 12V وإشارة TTL لتهيئة أشكال موجة الجهد / التيار المطلوبة على النحو الأمثل لتوفير أوقات صعود / هبوط صغيرة, مع الاستمرار في التقليل من متطلبات التيار المستمر للحفاظ على إجراء SJT بشكل طبيعي-OFF أثناء التشغيل. يتم الاحتفاظ بتكوين الدبوس وعوامل الشكل مشابهة لترانزستورات SiC الأخرى. أصدرت GeneSiC أيضًا ملفات Gerber و BOMs للمستخدم النهائي لتمكينهم من دمج فوائد ابتكارات تصميم السائق المحققة.
تقدم SJTs حسن التصرف على الحالة وخصائص التبديل, مما يجعل من السهل إنشاء نماذج سبايس القائمة على السلوك والتي تتوافق بشكل جيد مع النماذج الأساسية القائمة على الفيزياء أيضًا. استخدام النماذج الفيزيائية الراسخة والمفهومة, تم إصدار معلمات SPICE بعد إجراء اختبارات مكثفة لسلوك الجهاز. تتم مقارنة نماذج SPICE من GeneSiC بالبيانات المقاسة تجريبياً في جميع أوراق بيانات الجهاز وهي قابلة للتطبيق على جميع 1200 V و 1700 صدر V SiC Junction Transistors.
SJTs من GeneSiC قادرة على توصيل ترددات تحويل أكثر من 15 مرات أعلى من الحلول المستندة إلى IGBT. يمكن لترددات التحويل العالية أن تتيح عناصر مغناطيسية وسعوية أصغر, وبالتالي تقلص الحجم الكلي, وزن وتكلفة أنظمة إلكترونيات القوى.
يضيف نموذج SiC Junction Transistor SPICE هذا إلى مجموعة GeneSiC الشاملة من أدوات دعم التصميم, الوثائق الفنية, ومعلومات الموثوقية لتزويد مهندسي إلكترونيات الطاقة بموارد التصميم اللازمة لتنفيذ مجموعة GeneSiC الشاملة من ترانزستورات ومعدلات تقاطع SiC في الجيل التالي من أنظمة الطاقة.
يمكن تنزيل أوراق بيانات GeneSiC's Gate Driver Board ونماذج SJT SPICE من https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
