G3R™ 750V SiC MOSFET 提供無與倫比的性能和可靠性

750V G3R 碳化矽MOSFET

杜勒斯, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 將提供前所未有的性能水平, 超越同類產品的堅固性和質量. 系統優勢包括工作溫度下的低通態下降, 更快的切換速度, 功率密度增加, 最小振鈴 (低電磁干擾) 緊湊的系統尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供優化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 經過優化,可在所有工作條件和超快開關速度下以最低功耗運行. 與當代 SiC MOSFET 相比,這些器件具有明顯更好的性能水平.

750V G3R 碳化矽MOSFET

“高效能源使用已成為下一代電源轉換器的關鍵交付物,而碳化矽功率器件繼續成為推動這場革命的關鍵組件. 經過多年的開發工作,以實現最低的導通電阻和穩健的短路和雪崩性能, 我們很高興發佈業界性能最佳的 750V 碳化矽 MOSFET. 我們的 G3R™ 使電力電子設計師能夠滿足具有挑戰性的效率, 太陽能逆變器等應用中的功率密度和質量目標, EV 車載充電器和服務器/電信電源. 有保證的質量, 由快速周轉和汽車合格的大批量製造支持,進一步增強了他們的價值主張. ” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.

特徵 –

  • 業界最低的柵極電荷 (問G) 和內部柵極電阻 (RG(情報局))
  • 最低 RDS(上) 隨溫度變化
  • 低輸出電容 (C我們) 和米勒電容 (C廣東)
  • 100% 雪崩 (UIL) 生產過程中經過測試
  • 行業領先的短路耐受能力
  • 具有低 V 的快速可靠的體二極管F 和低 QRR
  • 高且穩定的柵極閾值電壓 (VTH) 跨越所有溫度和漏極偏壓條件
  • 具有更低熱阻和更低振鈴的先進封裝技術
  • R的製造均勻性DS(上), VTH 和擊穿電壓 (BV)
  • 全面的產品組合和更安全的供應鏈,符合汽車標準的大批量製造

應用 –

  • 太陽的 (光伏) 逆變器
  • 電動汽車 / HEV車載充電器
  • 服務器 & 電信電源
  • 不間斷電源 (UPS)
  • DC-DC轉換器
  • 開關電源 (開關電源)
  • 儲能和電池充電
  • 感應加熱

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽車應用 (AEC-q101) 和PPAP功能.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&貿易碳化矽MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&貿易碳化矽MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&貿易碳化矽MOSFET

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 或聯繫 sales@genesicsemi.com

所有設備均可通過授權分銷商購買 – www.genesicsemi.com/sales-support

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紐瓦克·法奈爾element14

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關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

GeneSiC的新型第三代SiC MOSFET具有業界最佳的品質因數

杜勒斯, VA, 二月 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor的具有RDS的下一代1200V G3R™SiC MOSFET(上) 級別從 20 mΩ至 350 mΩ可提供前所未有的性能水平, 超越同類產品的堅固性和質量. 系統優勢包括更高的效率, 更快的開關頻率, 功率密度增加, 減少振鈴 (電磁干擾) 緊湊的系統尺寸.

GeneSiC宣布推出具有行業領先性能的行業領先的第三代碳化矽MOSFET, 在汽車和工業應用中實現前所未有的效率和系統可靠性水平的強大功能和質量.

這些G3R™SiC MOSFET, 提供優化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 針對要求提高效率水平和超快開關速度的電源系統設計進行了高度優化. 與競爭產品相比,這些設備具有更好的性能水平. 有保證的質量, 快速周轉的大批量製造的支持進一步增強了其價值主張.

“經過多年的開發,努力實現最低的導通電阻和增強的短路性能, 我們很高興發佈業界性能最佳的1200V SiC MOSFET,具有超過 15+ 分立和裸芯片產品. 如果下一代電力電子系統要滿足挑戰性的效率, 汽車等應用中的功率密度和質量目標, 工業的, 再生能源, 運輸, IT和電信, 則與目前可用的SiC MOSFET相比,它們需要顯著改善的器件性能和可靠性” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.

特徵 –

  • 上級QGDS(上) 品質因數 – G3R™SiC MOSFET具有業界最低的導通電阻和極低的柵極電荷, 導致 20% 比其他同類競爭產品更好的品質因數
  • 在所有溫度下的傳導損耗低 – GeneSiC的MOSFET具有最弱的溫度導通電阻依賴性,在所有溫度下的導通損耗都非常低; 明顯優於市場上任何其他溝槽和平面SiC MOSFET
  • 100 % 雪崩測試 – 強大的UIL功能是大多數現場應用的關鍵要求. GeneSiC的1200V SiC MOSFET分立器件 100 % 雪崩 (UIL) 生產過程中經過測試
  • 低柵極電荷和低內部柵極電阻 – 這些參數對於實現超快速切換和實現最高效率至關重要 (低Eon -Eoff) 廣泛的應用開關頻率
  • 常關穩定工作溫度高達175°C – GeneSiC的所有SiC MOSFET均採用最先進的工藝進行設計和製造,可在所有工作條件下提供穩定可靠的產品,而不會出現任何故障風險. 這些器件的優異柵極氧化質量可防止任何閾值 (VTH) 漂移
  • 低設備電容 – G3R™旨在通過其低設備電容來驅動更快,更高效– Ciss, Coss和Crss
  • 快速可靠的體二極管,固有電荷低 – GeneSiC的MOSFET具有基準低反向恢復電荷 (問RR) 在所有溫度下; 30% 比任何同類額定競爭對手的設備都要好. 這樣可以進一步減少功率損耗並提高工作頻率
  • 使用方便 – G3R™SiC MOSFET設計為以+ 15V驅動 / -5V門驅動. 這與現有的商用IGBT和SiC MOSFET柵極驅動器具有最廣泛的兼容性

應用 –

  • 電磁干擾 – 動力總成和充電
  • 太陽能逆變器和儲能
  • 工業電機驅動
  • 不間斷電源供應 (UPS)
  • 開關電源 (開關電源)
  • 雙向DC-DC轉換器
  • 智能電網和高壓直流
  • 感應加熱和焊接
  • 脈衝功率應用

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GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽車應用 (AEC-q101) 和PPAP功能. 所有設備均以行業標準D2PAK提供, TO-247和SOT-227封裝.

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GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

GeneSiC的3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET徹底改變了輔助電源的小型化

杜勒斯, VA, 十二月 4, 2020 — GeneSiC宣布推出業界領先的3300V和1700V分立SiC MOSFET,這些M​​OSFET經過優化可實現無與倫比的小型化, 工業家政電源的可靠性和節能.

GeneSiC 半導體, 碳化矽綜合產品的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體, 今天宣布推出下一代3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和G2R1000MT33J. 這些SiC MOSFET可實現卓越的性能水平, 基於旗艦功績指標 (FoM) 增強和簡化跨儲能係統的電力系統, 再生能源, 工業馬達, 通用逆變器和工業照明. 發布的產品有:

G2R1000MT33J – 3300V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D – 1700V1000mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J – 1700V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D – 1700V450mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J – 1700V450mΩTO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC的新型3300V和1700V SiC MOSFET, 提供1000mΩ和450mΩ選項的SMD和通孔分立封裝, 針對要求提高效率水平和超快開關速度的電源系統設計進行了高度優化. 與競爭產品相比,這些設備具有更好的性能水平. 有保證的質量, 快速周轉的大批量製造的支持進一步增強了其價值主張.

“在1500V太陽能逆變器等應用中, 輔助電源中的MOSFET可能必須承受2500V的電壓, 取決於輸入電壓, 變壓器匝數比與輸出電壓. 高擊穿電壓MOSFET消除了反激式中串聯開關的需求, 升壓和正激轉換器,從而減少了零件數量並降低了電路複雜度. GeneSiC的3300V和1700V分立SiC MOSFET允許設計人員使用更簡單的基於單開關的拓撲,同時為客戶提供可靠的, 緊湊而經濟的系統” 蘇米特·賈達夫(Sumit Jadav)說, GeneSiC Semiconductor高級應用經理.

特徵 –

  • 優越的性價比指數
  • 旗艦QGDS(上) 品質因數
  • 低固有電容和低柵極電荷
  • 在所有溫度下損耗低
  • 高雪崩和短路強度
  • 基準閾值電壓,可在高達175°C的常態下穩定運行

應用 –

  • 再生能源 (太陽能逆變器) 和儲能
  • 工業馬達 (和債券)
  • 通用變頻器
  • 工業照明
  • 壓電驅動器
  • 離子束髮生器

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GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

GeneSiC行業領先的6.5kV SiC MOSFET – 新浪潮的先鋒

6.5kV SiC MOSFET

杜勒斯, VA, 十月 20, 2020 — GeneSiC發布6.5kV碳化矽MOSFET,在提供前所未有的性能水平方面處於領先地位, 牽引等中壓功率轉換應用的效率和可靠性, 脈衝電源和智能電網基礎設施.

GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體, 今日宣布立即供貨6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用該技術的全碳化矽模塊即將發布. 預計應用將包括牽引力, 脈衝功率, 智能電網基礎設施和其他中壓功率轉換器.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (與集成肖特基) 裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

GeneSiC的創新特色是SiC雙注入金屬氧化物半導體 (場效應管) 結勢壘肖特基器件結構 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET單元電池中. 這種領先的功率器件可用於下一代功率轉換系統中的各種功率轉換電路中. 其他重要優勢包括更高效的雙向性能, 溫度獨立開關, 低開關損耗和傳導損耗, 降低冷卻要求, 出色的長期可靠性, 易於並聯設備並節省成本. GeneSiC的技術不僅具有出色的性能,而且還具有減少功率轉換器中SiC淨材料足蹟的潛力.

“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圓上設計和製造,以實現低導通電阻, 最好的質量, 和卓越的性價比指標. 下一代MOSFET技術可提供出色的性能, 在中壓功率轉換應用中具有出色的耐用性和長期可靠性。” 說過 博士. 席達斯·桑達瑞森, GeneSiC半導體技術副總裁.

GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技術特性 –

  • 高雪崩 (統計研究所) 和短路堅固性
  • 上級QGDS(上) 品質因數
  • 溫度無關的開關損耗
  • 低電容和低柵極電荷
  • 在所有溫度下損耗低
  • 常關穩定工作溫度高達175°C
  • +20 V / -5 V門驅動

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GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

GeneSiC贏得久負盛名的R&SiC基單片晶體管-整流器開關D100獎

杜勒斯, VA, 十二月 5, 2019 — [R&D Magazine選擇了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作為享有盛譽的接受者 2019 [R&d 100 SiC基單片晶體管-整流器開關開發獎.

GeneSiC半導體公司, 基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者因其已獲得久負盛名的獎項而感到榮幸 2019 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一, 在此期間,多個學科之間最新引入的研發進展 2018. [R&D Magazine認可GeneSiC的中壓SiC功率器件技術,因為它能夠將MOSFET和肖特基整流器單片集成在單個芯片上. GeneSiC的設備所具有的這些功能至關重要,使電力電子研究人員能夠開發下一代電力電子系統,例如逆變器和DC-DC轉換器. 這將允許電動汽車內的產品開發, 充電基礎設施, 可再生能源和儲能行業. GeneSiC已預訂了多個客戶的訂單,以演示使用這些設備的先進功率電子硬件,並繼續開發其碳化矽MOSFET產品系列. R&早期版本的D用於電源轉換應用程序是通過美國部開發的. 能源和與桑迪亞國家實驗室的合作.

R舉辦的年度技術競賽&《 D雜誌》評估了多家公司和行業參與者的作品, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.

根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者,這些產品對我們的工作和生活產生了影響.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者,對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力,為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構(包括ARPA-E)的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯(Dulles)迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息,請致電GeneSiC,網址為: 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.