5具有一流效率的第 650V 碳化矽肖特基 MPS™ 二極管

杜勒斯, VA, 可能 28, 2021 — GeneSiC半導體, 碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體器件, 宣布第 5 代的可用性 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 整流器以其卓越的性價比指標樹立了新的標杆, 行業領先的浪湧電流和雪崩穩定性, 和高品質的製造.

“GeneSiC 是最早在美國商業化供應 SiC 肖特基整流器的 SiC 製造商之一。 2011. 經過十多年為業界提供高性能、高品質的碳化矽整流器, 我們很高興發布我們的第 5 代 SiC 肖特基 MPS™ (合併-PiN-肖特基) 在各個方面提供行業領先性能的二極管,以滿足服務器/電信電源和電池充電器等應用中的高效率和功率密度目標. 使我們的第 5 代的革命性功能 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 二極管在同類產品中脫穎而出的是低內置電壓 (也稱為拐點電壓);它可以在所有負載條件下實現最低的二極管傳導損耗 - 對於需要高效能源使用的應用至關重要. 與其他競爭對手的 SiC 二極管相比,同樣設計用於提供低拐點特性, 我們的 Gen5 二極管設計的另一個特點是它們仍然保持高水平的雪崩 (UIL) 我們的客戶對 GeneSiC 的 Gen3 所期望的堅固性 (GC***系列) 和 Gen4 (GD***系列) SiC肖特基MPS™” 醫生說. 席達斯·桑達瑞森, GeneSiC半導體技術副總裁.

特徵 –

  • 低內置電壓 – 所有負載條件下的最低傳導損耗
  • 優異的功績 – 質量控制 x VF
  • 最佳性價比
  • 增強的浪湧電流能力
  • 100% 雪崩 (UIL) 已測試
  • 低熱阻適用於較冷的操作
  • 零正向和反向恢復
  • 溫度無關的快速開關
  • VF 的正溫度係數

應用領域 –

  • 功率因數校正中的升壓二極管 (全氟化合物)
  • 服務器和電信電源
  • 太陽能逆變器
  • 不間斷電源 (UPS)
  • 電池充電器
  • 隨心所欲 / 逆變器中的反並聯二極管

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 碳化矽肖特基 MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 碳化矽肖特基 MPS™

所有設備均可通過授權分銷商購買 – www.genesicsemi.com/sales-support

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ 或聯繫 sales@genesicsemi.com

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標為碳化矽行業樹立了標準.