杜勒斯, VA, 二月 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor的具有RDS的下一代1200V G3R™SiC MOSFET(上) 級別從 20 mΩ至 350 mΩ可提供前所未有的性能水平, 超越同類產品的堅固性和質量. 系統優勢包括更高的效率, 更快的開關頻率, 功率密度增加, 減少振鈴 (電磁干擾) 緊湊的系統尺寸.
GeneSiC宣布推出具有行業領先性能的行業領先的第三代碳化矽MOSFET, 在汽車和工業應用中實現前所未有的效率和系統可靠性水平的強大功能和質量.
這些G3R™SiC MOSFET, 提供優化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 針對要求提高效率水平和超快開關速度的電源系統設計進行了高度優化. 與競爭產品相比，這些設備具有更好的性能水平. 有保證的質量, 快速周轉的大批量製造的支持進一步增強了其價值主張.
“經過多年的開發，努力實現最低的導通電阻和增強的短路性能, 我們很高興發佈業界性能最佳的1200V SiC MOSFET，具有超過 15+ 分立和裸芯片產品. 如果下一代電力電子系統要滿足挑戰性的效率, 汽車等應用中的功率密度和質量目標, 工業的, 再生能源, 運輸, IT和電信, 則與目前可用的SiC MOSFET相比，它們需要顯著改善的器件性能和可靠性” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.
特徵 –
- 上級QG 設DS(上) 品質因數 – G3R™SiC MOSFET具有業界最低的導通電阻和極低的柵極電荷, 導致 20% 比其他同類競爭產品更好的品質因數
- 在所有溫度下的傳導損耗低 – GeneSiC的MOSFET具有最弱的溫度導通電阻依賴性，在所有溫度下的導通損耗都非常低; 明顯優於市場上任何其他溝槽和平面SiC MOSFET
- 100 % 雪崩測試 – 強大的UIL功能是大多數現場應用的關鍵要求. GeneSiC的1200V SiC MOSFET分立器件 100 % 雪崩 (UIL) 生產過程中經過測試
- 低柵極電荷和低內部柵極電阻 – 這些參數對於實現超快速切換和實現最高效率至關重要 (低Eon -Eoff) 廣泛的應用開關頻率
- 常關穩定工作溫度高達175°C – GeneSiC的所有SiC MOSFET均採用最先進的工藝進行設計和製造，可在所有工作條件下提供穩定可靠的產品，而不會出現任何故障風險. 這些器件的優異柵極氧化質量可防止任何閾值 (VTH) 漂移
- 低設備電容 – G3R™旨在通過其低設備電容來驅動更快，更高效– Ciss, Coss和Crss
- 快速可靠的體二極管，固有電荷低 – GeneSiC的MOSFET具有基準低反向恢復電荷 (問RR) 在所有溫度下; 30% 比任何同類額定競爭對手的設備都要好. 這樣可以進一步減少功率損耗並提高工作頻率
- 使用方便 – G3R™SiC MOSFET設計為以+ 15V驅動 / -5V門驅動. 這與現有的商用IGBT和SiC MOSFET柵極驅動器具有最廣泛的兼容性
應用 –
- 電磁干擾 – 動力總成和充電
- 太陽能逆變器和儲能
- 工業電機驅動
- 不間斷電源供應 (UPS)
- 開關電源 (開關電源)
- 雙向DC-DC轉換器
- 智能電網和高壓直流
- 感應加熱和焊接
- 脈衝功率應用
所有設備均可通過授權分銷商購買 – www.genesicsemi.com/sales-support
有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet 或聯繫 sales@genesicsemi.com
GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽車應用 (AEC-q101) 和PPAP功能. 所有設備均以行業標準D2PAK提供, TO-247和SOT-227封裝.
關於GeneSiC半導體, 公司.
GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.
