GeneSiC Полупроводник, Inc - Энергоэффективность за счет инноваций
номер частиБлокирующее напряжение (V)О сопротивлении (RDSon) @ 18 В (мΩ)О сопротивлении (RDSon) @ 15В (мΩ)Текущий рейтинг [100°C] (А)Текущий рейтинг [25°C] (А)ПакетИзображение продуктаКонфигурацияМодель SPICEМодель PLECSCAD МодельСоблюдениеНаличие образца
G3R12MT12K12001012111157К-247-4
G3R20MT12K1200172071100К-247-4
G3R20MT12N120017206490СОТ-227
G3R30MT12J120025306085К-263-7
G3R30MT12K120025305070К-247-4
G3R40MT12J120034404766К-263-7
G3R40MT12D120034404563К-247-3
G3R40MT12K120034403955К-247-4
G3R75MT12J120064752738К-263-7
G3R75MT12D120064752636К-247-3
G3R75MT12K120064752231К-247-4
G3R160MT12J12001351601419К-263-7
G3R160MT12D12001351601319К-247-3
G3R350MT12J1200295350710К-263-7
G3R350MT12D1200295350710К-247-3
G3R20MT17K1700206795К-247-4
G3R20MT17N1700206084СОТ-227
G3R45MT17D1700453752К-247-3
G3R45MT17K1700453346К-247-4
G3R160MT17J17001601318К-263-7
G3R160MT17D17001601217К-247-3
G3R450MT17J170045058К-263-7
G3R450MT17D170045057К-247-3
G2R1000MT17J1700100035К-263-7
G2R1000MT17D1700100035К-247-3
G2R50MT33K3300504463К-247-4
G2R120MT33J33001202433К-263-7
G2R1000MT33J3300100035К-263-7
G3R60MT07J750604431К-263-7
G3R60MT07D750604330К-247-3
G3R60MT07K750603726К-247-4
G3F25MT06J6502570100К-263-7
G3F25MT06K650256490К-247-4
G3F33MT06J650335578К-263-7
G3F33MT06K650335070К-247-4
G3F45MT06J650454057К-263-7
G3F45MT06K650453752К-247-4
G3F45MT06D650453752К-247-3
G3F60MT06J650603246К-263-7
G3F60MT06K650603042К-247-4
G3F60MT06D650603042К-247-3
G3F20MT12J12002087123К-263-7
G3F20MT12K12002077109К-247-4
G3F40MT12J1200404868К-263-7
G3F40MT12K1200404361К-247-4
G3F75MT12J1200752839К-263-7
G3F75MT12K1200752535К-247-4
GeneSiC Полупроводник, Inc